Файл: Прикладная электролюминесценция..pdf

измерения характеристик преобразователей с обратной оптической связью.

Я ф — фотосопротивление; R 2 — сопротивление нагрузки; И Ф \ и Н Ф 2 — нейтраль­ ные светофильтры.

формулой, аналогичной (9.21), с той только разницей, что Акр пел имеет другое значение. Для его нахождения нужно подставить в (9.26) корень уравнения, получен­ ного путем приравнивания друг другу производных по у от левой и правой частей (9.26), и решить уравнение относительно ааел.

Подобные расчеты можно провести и с учетом емко­ сти фотопроводника и утечек в слое электролюминофо­ ра. Все они дают сходные результаты. Таким образом, зная характеристики слоев электролюминофора и фото­ проводника, можно вычислить характеристики состав­ ленного из них преобразователя (или оптрона). Если они окажутся неудовлетворительными, можно легко вы­ яснить, изменением какого именно параметра того или иного слоя проще добиться нужной характеристики пре­ образователя.

Иногда, например для лучшего согласования импедансов слоев, оказывается полезным снизить импеданс слоя электролюминофора введением в него утечек, из­ готовляя его на диэлектрике с относительно большой проводимостью. Расчет показал, что в этом случае мож­ но повысить контраст изображения, но ценой снижения яркости преобразователя,

367

Экспериментальная проверка расчетов

Проверка была проведена на системе, состоящей из раздельно расположенных ЭЛК и фотопроводника, с тем, чтобы их характе­ ристики можно было измерить раздельно. Принципиальная схема

3.Величину освещенности фотопроводника Р.

4.Чувствительность фотопроводника г к внешней освещенности

Р, которую можно найти по формуле 1(Ясъ= ЧЯфон+ гР, зная 1/Дфон и Р и экспериментально определив величину 1/РСв как функ­ цию от Р.

6.Величину емкостной проводимости ЭЛК toСэл.

7.Величины постоянной времени фотопроводника т.

Все измерения проводились на частоте питающего напряжения 400 Гц. При достижимой в настоящее время яркости свечения стан­ дартных электролюминофоров фототок линейно зависит от В0 и Р. На рис. 9.6 приведены расчетные кривые f {y) для преобразователя без обратной связи и экспериментальные точки, полученные при сня­ тии характеристик выходная яркость — входная освещенность макета одноэлементного преобразователя. На рис. 9.7 приведена эксперимен­ тальная зависимость выходной яркости преобразователя с обрат­ ной связью от входной освещенности для различных величин пи­

368

мость lg -Дср от l/VU. Как видно, экспериментальные точки лежат близко от расчетной прямой.

Как указывалось выше, устройство, в котором конструктивно предусмотрено получение обратной оптической связи между фото­ проводником и электролюмино­

отношению к слабым сигналам. При этом сохраняется возможность получения градационных изображений, как и в обычном усилцтеле без обратной связи.

Было измерено время, необходимое для запоминания сигнала преобразователем при различных величинах питающего напряжения,

входной освещенности и коэффициентах обратной связи. Для этого для каждого коэффициента обратной связи определялась величина яркости, начиная с которой преобразователь переходит в состояние запоминания, а затем время, необходимое для достижения этой яркости. Если изобразить эту зависимость в координатах

то получим, как и при теоретическом анализе, одну прямую линию (рис. 9.10), где зависимость времени нарастания яркости от коэф­ фициента обратной связи и напряжения выражена через величину

и (9.14)]. Как видно из рис, 9.10 и 9.11, совпадение расчетных за­ висимостей (сплошные линии) с экспериментальными (точки) хоро­ шее. (При расчете использовалась найденная из опыта величина т фотопроводника типа ФСК-1 при освещении его светом ЭЛК, рав­ ная 7±1 с.)

370