Файл: Прикладная электролюминесценция..pdf

stituted

isobenzofurans and isoindoles. — «J.

Am. Chemg. Soc.»,

1966,

v. 88, № 12, p. 2864—2865. Aut.: A. Z w e i g,

G. M e t z 1e r, A. M a u ­

r er , B. R. R o b e r t s .

18.

A1 b u r g e r

«Electronic Industries», 1957, v. 16, № 2, p. 50—53.

индикации. —

19. Современные

электрохимические

устройства

В кн.:

Приборы

и

системы автоматики.

Харьков

1970,

вып. 16,

с. 61—66.

К.

Х у д е н е к ий, А. И.

Б ы х,

Л.

В.

В о е в о д а ,

Авт.: Ю.

Ф. Я. Е в с е е в .

R. Mechanism of photoconductivity in microcristalline

20. В u b е

powders. — «J. Appl. Phys.», 1960, v. 31,

№

12,

p. 2239—2245.

21.

Х е н и ш

Г. Электролюминесценция. Пер. с англ., М., «Мир»,

1964.

Б ь ю б

Р.

Фотопроводимость твердых

тел.

Пер.

с

англ.,

22.

М., ИЛ, 1962.

23.

Инжекционная электролюминесценция. Под ред. Э. И. Таль-

висте. Тарту, ТГУ,

1968. Авт.: М. В.

Ф о к,

А. Э. Ю н о в и ч,

Ю. Н. Н и к о л а е в и др.

24.

Р о у з

А. Основы теории фотопроводимости. Пер. с англ.

М., «Мир»,

1966.

К г л а в е

2

1. Р и з

А.

Химия

кристаллов

с дефектами. Пер. с

англ.

М., ИЛ, 1956.

E. Nature of luminescent centers in

alkali

2. W i 11 i a m s F.

halides and

zine

sulfide

phosphors: — «J. Opt. Soc. Am.», 1957,

v. 47,

минофорах.— «Известия АН

СССР. Сер. физ.», 1951,

т. 15, № 6,

с. 742—747.

Г. Химизм образования

центров све­

5. Р и л ь Н., О р т м а н

чения в цинксульфидных люминофорах. — «ЖОХ»,

1955, т. 25, № 7,

с. 1289—1303.

in zinc-sulphide phos­

6. H o o g e n s t r a a t e n W: Electron traps

phors.— «Philips Res. Repts.», 1958, v. 13, № 6,

p.

5J 5—603.

15. Р а 1 i 11 a

F. G., В a i г d О. Н. Red-emitting (Zn, Cd)

(S, Se)

Electroluminescent

phosphors. — «J.

Electrochem. Soc.»,

1962,

v.

109,

№ 12, p. 1162—1166.

W. A. Method

for improving

electrolumines­

16. T h o r n t o n

cent phosphor

and

electroluminescent

lamp. — «Official

gazette. U. S.

Patent Office, 1963, v. 788, patent № 3082344.

17. L e h m a n

W. Hyper-maintenance of electroluminescence.—

«J. Electrochem. Soc.», 1966, v. 113, №

1, p. 40—42.

18. R i e h l

N.. O r t m a n n H .

Uber die Structur

von Leuchtzent-

1959,

v. 4, № 1—5, S. 3—14.

Л а й с a a p

19. К и p с

Я-

Я.,

А. И. К вопросу

о происхожде­

сульфида цинка. — «Труды института

физики

и астрономии АН Эст.

ССР». Под ред. Ф. Д. Клемента '1963, т. 23, с. 61—66.

20. W en d e l

G.

Zur

Elektrolumineszenz

der

Kupferaktivierten

Zinksulfide. II. — «Z.

Phys. Chem.

(DDR)»,

1966,

v.

215, №

1—2,

S.

80—91.

the

21. K r o g e r

F.

A.,

S m i t

N.

W.

The

physical

chemistry of

formation of

fluorescence centres

in

ZnS—Cu. — «Physika»,

1950,

23.

G о 1d b е г g

Р. Etch

pits in electroluminescent zine sulfide cry­

stallites.— «J. Appl.

Phys.», 1961, v. 32, № 8,

p.

1520—1524.

24. К а з а н к и н

О. H., С е р г е е в

В.

П.

Способ получения

электролюминофоров.

Авт.

свидетельство

№

154341. — «БЙ»,

1963,

№ 9.

Г р и г о р ь е в а

25.

К а з а н к и н

О. Н., С е р г е е в В. П.,

Т. Н.

Способ

получения

электролюминофоров.

Авт. свидетельство

32.

Исследование

легированных азотом монокристаллов карби­

да кремния а-модификации. — «Электронная

техника»,

1966,

сер. 2,

№ 3, с. 103—112. Авт.:

В.

П.

Н о в и к о в ,

Ю. Н. И и к о л а е в,

В. И. И о н о в , Н. С. С п а с с к а я , И. В. С е р г е е в а .

33. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым при­

борам.

Под ред. К. В. Шалимовой. М.,

«Высшая

школа»,

1968,

с. 122—131.

полупроводниковых

материалов.

Под

ред.

34. Технология

resisti­

vity

35.

Van der P a u w e

L. J. A method of measuring the

and Hall coefficient

on

lamellae

of

arbitrary

shape. — «Philips-

Techn. Rev.», 1958/59, v. 20, № 8, p. 220^224.

36.

Л о м а к и н а

Г. А. Электрические свойства гексагонального;

SiC с примесью N и

В. — «ФТТ»,

1965,

т. 7,

№

2, с. 600—605..

37.

Н a m i 1t о n

D.

R.,

C h о у k e

W.,

P a t r i c k

L. PRotolu-

SiC. — «Phys.

Rev:»„

1963, v. 131, № 1, p. 127—133.

M a p а з у е в

Ю.

А.,

С у л е й м а ­

38.

Г о p б а н ь И.

C.,

н о в Ю. И. Энергетический

спектр

акцепторов

как

центров излуча­

тельной

рекомбинации в карбиде кремния. — «ФТП»,

1967, т. 1, № 4 ,

с. 612—616.

luminescence of exitons

bound

39.

Two-electron transitions in the

to neutral donors

in

gallium

phosphide. — «Phys.

Rev.

Letts.», 1967,

v. 18, № 4, p. 122—124,

Aut.:

P.

J. D e a n ,

J.

D.

C u t b e r t,

О. C. T o m a s , R. T. L y n c h .

40. M а д e л у н г О. Физика полупроводниковых соединений эле­

ментов III и V групп. Пер. с англ. М., «Мир», 1967.

F. А.

Pair

41.

T h o m a s

D.

G., G e r s h e n z o n

М.,

T r u m b o r e

spectra and

«edge»

emission

in

gallium

phosphide. — «Phys.

Rev.», 1964, v. 133, №

16, p. A269—279.

D e a n

P. J.

Temperature-

'

42.

C u t b e r t

J.

D.,

H e n г у

C. H. ,

GaP

(Zn, O) and

GaP

(Cd, O). — «Phys. Rev.»,

1968,

v. 170, №

3,

p. 739—748.

43.

H a r p e r

F.

E.,

S t r a s s l e r s ,

H a n n

B. W. Time-decay

characteristics for

red

emission

from

GaP. — «J.

Appl.

Phys.»,

1968,

v. 39, № 8, p. 3661—3663.

44.

Г л а з о в

В.

H„

З е м с к о в

В.

С.

Физико-химические ос­

новы легирования полупроводников. М., «Наука», 1967.

45.

Фотолюминесценция

эпитаксиального

GaP. — «ФТП»,

1968,

т. 2,

№

9, с. 1259—1265.

Авт.: Р. С. И г н а т к и н а ,

И. А. К у ч е ­

46.

В и о л и и

Э. Е., X о л у я н о в

Г. Ф. Об электро- и фотолю­

минесценции

диффузионных

р-п

переходов

в

SiC. — «ФТТ»,

1964,

т. 6, с. 1696—1701.

Н.

Band

structure

and

electron

transport

in

47.

E h r e n r e i c h

GaAs. — «Phys. Rev.»,

1960, v. 420, № 6, p.1951—1963.

R.

C.

Band

48.

L o r e n z

M.

R„

P e t t i t

G.

D.,

T a y l o r

gap of GaP from О

to

900 °K

and light

emission

from

diodes

at

high

temperatures. — «Phys.

Rev.»,

1968,

v.

171,

№

3,

p. 876—881.

trum

49.

D e a n

P. J , T h o m a s

D. G. Intrinsic

absorption-edge

spec­

of

gallium

phosphide. — «Phys.

Rev.,

1966,

v.

150,

№

2,

p. 690—703.

a n

B. An

impruved

high-gain

panel

light

amplifier.—

50.

К a z

«Proc. IRE»,

1957, v. 45, №

10, p. 1358—4364.

К г л а в е

3

1.

I п с е

A.

V.,

O a t

l e y

C.

W.

The

electrical

properties

of

electroluminescent

phosphors. — «Phylos. Mag.»,

1955,

v.

46, № 381,

р. 1081—1103.

Ю. П. Электрические

и оптические свойства элек-

2. Ч у к о в а

тролюминесцентных конденсаторов

на

основе

ZnS—Си.— «Труды

ФИАН». Под ред. Д. В. Скобельцына, 1966, с. 149—230.

3. В а с и л ь ч е н к о

В. П., У й б о

Л. Я- Об эквивалентной схе­

ме электролюминесцентного

конденсатора. — «Оптика

и

спектроско­

пия», 1965, т. 18, № 2, с. 341—343.

У й б о

Л. Я. Электролюминесцен­

4. В а с и л ь ч е н к о

В.

П.,

тельными

электрическими

импульсами. — «Труды

ин-та

физики

и

астрономии АН Эст. ССР». Под

ред. Ф. Д. Клемента,

1966,

т. 31,

с. 255—267.

И. К.,

Д р а п а к

И. Т. Электролюминесцен­

5.

В е р е щ а г и н

ция монокристаллов окиси цинка (явление

Лосева). — В кн.: Опти­

ка и спектроскопия. Сборник 1. Под

ред. С. Э. Фриша.

М.—Л.,

Изд.-во АН СССР, 1963, с. 327—335.

of

ZnS

type

phosphors.—

6.

Z а 1m

Р. The

electroluminescence

«Philips Res. Repts.», 1956, v. 14, № 5, p. 353—399.

ZnS

powder par­

7. F i s h e r

A. G. Electroluminescent

lines

in

ticles II. Model and comparison with

experience. — «J.

Electrochem.

Soc.», 1963, v. 110, № 7, p. 733—748.

А. Я. Электролюминесцен­

8. П и л и п е н к о

В. M.,

Я к у н и н

ция

ZnS—Си. — В

кн.: Тезисы докладов

на

Всесоюзном совещании

Львов, 1961, с. 24.

И. К.,

К о с я ч е н к о

Л. А. О лавинных про­

9. В е р е щ а г и н

цессах

при

электролюминесценции

ZnS—Си. — «Оптика

и

спектро­

скопия, 4962, т. 13, № 6, с. 877—879.

Ч.

В.

О

диэлектрических

10. А г а ш к и н

О,

В.,

Д ж у з е е в

свойствах

электролюминеДщнтного

конденсатора. — В

кн.: Материа­

ского Университета, 1959, с. 237—239.

Electrical

properties

of

electro­

14.

H a h n

D.,

T h u r l e y

F.

luminescent

layer. — «Phys.

Kondens

mater.»,

1965,

v.

4,

№

1,

p. 33—36.