Файл: Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках пер. с англ.pdf

450

Предметный указатель

Характеристики

инжекцнонного ла­

Энергия ионизации 16, 20, 134, 156,

зера 252

328—331

275,

276

— спектральные

— — примесей 33, 34, 156

— электрические 325

204—208

— ионизирующего излучения 276

Хвостов зои

заполнение

— пороговая

фотоэмиссии

317

Хвосты зон

18, 53

— связи экситонов 71

— фотона 61, 63, 76

— электронного сродства 309

Частот смешение

291,

292

— — — отрицательная

319

Энтропия носителей 210

Частота

биений

291

Эпитаксиальный рост 384—386

— циклотронная

39

Эффект горячего

электрона

142

Число состояний

14

— Дембера

344,

345,

352,

357

— Зеемаиа 41,

42

— Келдыша — Франца 31, 38, 39,

Ширина

запрещенной

зоны

10

42,

56,.

58,

289, 302, 421,

426,

— — — уменьшение 50

432

371,

372'

— Керра

— — электрооптический 368, 369

Э.д.с. Дембера 344,

352

— Ландсберга — Мандельштама —

Рамана

271

Экснтонная

модуляция

135

— Оже 175

— рекомбинация

127

— Поккельса 369, 370, 372

Экситонное

поглощение

6 8

130

— Суля 169

371

Экситонов

миграция

129,

— Фарадея 370,

Экситонные комплексы

22—24

— Фойгта 371,

372

аномальный

Экситоны 20—25, 37

—

фотовольтаический

— непрямые 6 8

346—354

— прямые 6 S

126—129

— — в р — «-переходах 325—335

— свободные 20—22,

— — — структурах с плавно меня-

— связанные 24, 71, 130, 136

щейся шириной запрещенной зоны

— — на изоэлектрониых ловушках

357—359

зависимость

353,

13 6

в

р — л-пере-

— — угловая

Электрическое поле

354

ходе 189

осаждение 389

— — характеризуемый высоким на­

Электролитическое

пряжением

346

Электролюминесценция 261—268

— — на барьере Шоттки 338

Электроны фотоэмиттпрованные 323

— фотомеханический

346

— эмиттированные 320, 322

430

— фотопьезоэлектрический 357

Электроотражение 421—424,

— фотоугловой

353,

354

Элемент

солнечной

батареи

331 —

— фотоупругости

372

'

346

335

диэлектрической

прони­

— фотоэлектромагнитный 345,

Эллипсоид

— Холла 104, 345, 391

цаемости

366

— Штарка 31, 37, 38, 56, 58

— — — двуосного кристалла 367

—

электроакустический

299—301

Эмиссия

многофононная

183

Эффективная масса 11, 80, 103, 267,

— фононная

155

внутрен­

371

Эмиссия

фотоэлектронная

— — в соединениях III—V 80

21,

няя 338—342

в

полу­

Эффективная

масса дырки

20,

Энергетические состояния

46

проводниках 8—29

— — носителей, определение 103—

— — — полупроводниковых спла­

105

вах 26—29

— — плотности состояний 14

Энергия активации 336

— — поляроиа 25, 46

— — оптическая

156

— — поперечная

14

Энергия активации термическая 156,

— — продольная

14

182

— — Фойгта 372

Предисловие

редакторов п ер ев о д а ...............................................................

5

Из предисловия автора .................................................

7

Глава

1. Энергетические состояния в полупроводниках

. . .

9

§

1.

Зониая структура.......................................................................

2. Распреде­

9

1.

Образование зон из атомпых уровней (9).

§ 2.

16

Прпмесиые состояния.......................................................................

§

3.

Образование «хвостов»з о и ................................................................

18

§

4.

Экситопы ............................................................................................

20

§

5.

Донорно-акцепторные п а р ы

.......................................................... полупроводниковых сплавах

25

§

6 . Энергетические

состоящія

в

26

Глава

2. -Возмущения

в полупроводниках, вызываемые

внешними

31

воздействиями ...............................................................................

§

1.

Влияние давления ..............................

31

1. Гидростатическое давление (31). 2. Одноосное напряже­

§ 2.

ние (34).

36

Температурные эффекты...................................................................

§

3.

Влияние электрического п о л ...............................................я

37

1. Эффект Щтарка (37). 2. Эффект Келдыша — Франца (38).

§ 4.

3. Эффекты ионизации (38).

39

Эффекты, связанные с магнитным ..................................п ол ем

1. Расщепление Ландау (39). 2. Эффект Зеемана (41).

42

Литература.....................................................................................................

Глава

3. Поглощение

...................................................................................

44

§

1.

Собственное поглощ ение...............................................................

44

1. Разрешенные прямые переходы (45). 2 . Запрещенные пря­

мые переходы (46). 3. Непрямые переходы между непрямы­

ми долинами (47). 4. Непрямые переходы между прямыми

долинами (52). 5. Переходы между хвостами зои (53). 6 . Соб­

§

2.

ственное поглощение в сильном электрическом

поле (56).

63

Переходы в области энергий, .........................больших Eg

§

3.

Экситоипое поглощение

...............................................................

6 8

1. Прямые и непрямые экситопы (6 8 ). 2. Экситонное погло­

§

4.

щение в электрическом поле (70).

ловушками

71

Поглощение,

связанное

с

§

5.

Переходы между зоной и примесным .....................уровнем

72