Файл: Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках пер. с англ.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 142
Скачиваний: 3
|
|
|
|
|
|
|
Оглавление |
|
|
|
453 |
|
§ 6 . Переходы между донорами и акцепторами............................. |
|
75 |
||||||||||
§ |
7. |
Виутрпзопные |
переходы .......................................................... |
|
|
|
77 |
|||||
§ |
|
1. Полупроводники р-тнпа (77). 2. Полупроводники д-тппа (81). |
84 |
|||||||||
8 . Поглощение |
свободными носителями..................................... |
|
|
|||||||||
§ |
9. |
Решеточное |
поглощение . .......................................................... |
8 6 |
||||||||
§ 10. Поглощение, связанное с колебаниямипримесей................... |
|
90 |
||||||||||
§ 11. Поглощение с участием горячих электронов......................... |
|
90 |
||||||||||
Л итература.................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
96 |
|||
Глава 4. |
Соотношения |
|
между |
оптическими константами..................... |
|
99 |
||||||
§ 1. |
Коэффициент |
|
поглощения.............................................................. |
|
|
|
99 |
|||||
§ |
2. |
Показатель преломления .............................................................. |
|
|
|
100 |
||||||
§ 3. |
Соотношения Крамерса — К ропига.............................................. |
|
|
|
101 |
|||||||
§ 4. |
Коэффициент отражения................................. |
|
................................ |
|
102 |
|||||||
§ 5. Определение эффективной массы носителей............................. |
|
103 |
||||||||||
§ 6 . Плазменный резонанс....................................................................... |
|
|
|
|
104 |
|||||||
§ 7. |
П ропускание....................................................................................... |
|
|
|
|
|
105 |
|||||
§ 8 . Интерференционные эффекты.......................................................... |
|
|
|
106 |
||||||||
Литература . |
'................................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
108 |
|||
Глава 5. |
Абсорбционная спектроскопия...................................................... |
|
|
|
109 |
|||||||
Литература.......................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
НО |
|||
Глава 6 . Излучательные п ер ех о д ы .............................................................. |
|
|
|
120 |
||||||||
§ |
1. Соотношение ван Русбрека — Ш окли.......................................... |
|
|
|
121 |
|||||||
§ 2. |
Эффективность излучения.............................................................. |
|
|
|
125 |
|||||||
§ 3. |
Конфигурационная диаграмма...................................................... |
|
|
|
126 |
|||||||
§ 4. |
Фундаментальные п ер ех о д ы .......................................................... |
|
|
|
127 |
|||||||
|
|
1. Экситонная рекомбинация (127). 2. Переходы «зона про |
|
|||||||||
§ 5. |
водимости — валентная |
зона» (137). |
уровнем |
|
145 |
|||||||
Переходы |
между зоной |
п примесным |
|
|||||||||
|
|
1. Мелкпе переходы (145). 2. Глубокие переходы (146). 3. Пе |
|
|||||||||
§ |
|
реходы на глубокие |
уровни (153). |
|
|
|
156 |
|||||
6 . Донорно-акцепторные |
п ер ех о д ы .................................................. |
Вероятность |
перехо |
|||||||||
|
|
1. |
Спектральная структура (156). 2. |
|
||||||||
|
|
дов |
(161). |
3. |
Временная зависимость донорно-акцепторных |
|
||||||
|
переходов |
(166). |
|
|
|
|
|
168 |
||||
§ 7. |
Внутрпзопные |
переходы ............................. |
|
|
|
|||||||
Л итература.................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
173 |
|||
Глава 7. |
Безызлучательная рекомбпиацпя .............................................. |
|
|
|
175 |
|||||||
§ 1. Оже-эффект |
............................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
176 |
||||
§ 2. |
Поверхностная рекомбинация...................................................... |
|
|
|
179 |
|||||||
§ 3. |
Рекомбинация через дефекты и включения............................. |
|
180 |
|||||||||
§ 4. |
Конфигурационная диаграмма...................................................... |
|
|
|
182 |
|||||||
§ 5. Многофононная эмиссия.................................................................. |
|
|
|
183 |
||||||||
Л итература.................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
184 |
|||
Глава 8 . Процессы в |
|
р — »-переходах...................................................... |
|
|
|
185 |
||||||
§ |
1. |
Природа |
р — »-перехода ............................................................... |
|
|
|
18.5 |
|||||
|
|
1. Обедненный слой (186). 2. Емкость перехода (18S). 3. Элект |
|
|||||||||
§ 2. |
рическое |
поле |
в р — »-переходе (189). |
|
|
|
189 |
|||||
Процессы прп прямом смещении.................................................. |
|
2. Туннелирование |
||||||||||
|
|
1. |
Туннелирование «зона — зона» (190). |
|
||||||||
|
|
прп участии |
фотона |
(192). 3. Инжекция |
(195). 4. |
Туннели- |
|
|||||
454 |
|
|
Оглавление |
|
|
|
|
|
роваппе на глубокие уровни (196). 5. Туннелирование донор — |
|
|||
|
|
акцептор прп участпп фотона (199). 6 . Заполнение хво |
|
|||
|
|
стов зон (204). 7. Иижекцпопная люминесценция в слабо |
|
|||
|
|
легированных переходах (208). 8 . Оптическое «охлаждение» |
|
|||
§ 3. |
(209). |
|
|
|
213 |
|
Гетеропереходы................................................................................... |
|
|
||||
§ 4. Процессы |
прп обратном смещении.............................................. |
|
|
217 |
||
|
|
1. Ток насыщения и фотопроводимость (217). 2 . Зпыеровскпй |
|
|||
|
|
пробой (218). 3. Лавинный пробои (219). |
|
|
228 |
|
Литература..................................................................................................... |
|
|
|
|||
Глава 9. |
Вынужденное излучение ...................................... |
|
. . . |
231 |
||
§ |
1. |
Связь между спонтанным и вынужденным излученпем .. . . |
231 |
|||
§ |
2. Критерии |
возникновения лазерного излучения в полупро- |
<, |
|||
|
|
водниках................................................................................................. |
|
. |
234 |
|
Литература.......................... |
|
|
239 |
|||
Глава |
10. Полупроводниковыел а з е р ы ........................... |
|
|
240 |
||
§ |
1. |
Резонатор и м оды ...................................... |
|
|
240 |
|
§ 2. |
Волноводные свойства активной области ................................ |
|
|
241 |
||
§ 3. |
Картина |
дальнего п о л я ................................................................. |
|
|
245 |
|
§ 4. |
Температурная зависимость..................................................... |
|
|
247 |
||
|
|
1. Влияние резонатора (247). 2. Температурная зависимость |
|
|||
|
|
оптических потерь, эффективности и пороговой плотности |
|
|||
§ |
5. |
тока (248). 3. Рассеяние мощности (251). |
лазера . . . . |
253 |
||
Оптимальная конструкция инжекцпонного |
||||||
§ 6 . |
Влияние |
магнитногоп о л я ................................................................. |
|
|
256 |
|
§ 7. |
Влияние |
давления ........................................................................ |
. |
. . . |
258 |
|
Л итература.......................................... |
. |
260 |
||||
Глава 11. Возбуждение люминесценции и лазерного излучения в полу |
261 |
|||||
|
|
проводниках .................................................................................... |
|
|
||
§ |
1 . Электролюминесценция .................................................................. |
|
2. По |
261 |
||
|
|
1. р — п-Переход с положительным смещением (261). |
|
|||
|
|
верхностный барьер с положительным смещением (265). 3. |
|
|||
|
|
Туннелирование через слой изолятора (266). 4. Объемное |
|
|||
§ |
2. |
возбуждение путем ударной ионизации (267). |
|
|
268 |
|
Оптическое возбуждение .................................................................. |
|
|
||||
§ 3. |
Возбуждение электронным пучком .............................................. |
|
. . . |
272 |
||
Литература ...................................... |
................................. |
|
276 |
|||
Глава 12. Процессы с участием когерентного излучения..................... |
|
278 |
||||
§ 1. Фотон-фотонные взаимодействия в полупроводниках . . . 278
1.Гашение лазера другим лазером (279). 2. Усиление (281).
3.Генерация гармоник (285). 4. Двухфотонное поглощение
§ 2. |
(288). 5. Смешение частот (291). |
292 |
Фотон-фононные взаимодействия в полупроводниках . . . |
||
|
1. Рамановское рассеяние (294). 2. Бриллюэиовское рас |
|
§ 3. |
сеяние (296). |
299 |
Оптические свойства электроакустических доменоь . . . . |
||
|
1. Электроакустический эффект (299). 2. Пропускание света |
|
|
электроакустическим доменом (301). 3. Испускание света |
|
|
электроакустическим доменом (303). 4. Исследование брил- |
|
|
люэновского рассеяния на электроакустических доменах (306). |
307 |
Литература..................................................................................................... |
||
|
|
Оглавление |
|
|
455 |
|
Глава 13. Внешний фотоэффект....................................................................... |
|
|
|
309 |
||
§ |
1. |
Порог фотоэффекта................................................................... |
|
|
. . |
309 |
§ 2. |
Выход фотоэффекта........................................................................... |
|
|
|
311 |
|
§ 3. |
Влияние условий на поверхности................................................. |
по |
энергиям |
316 |
||
§ |
4. |
Распределение эмиттпрованных |
электронов |
322 |
||
Литература.......................................... ............................. |
, |
. „ |
. . . . |
324 |
||
Глава |
14. Фотовольтаические эффекты ....................................................... |
|
|
|
325 |
|
§ |
1. |
Фотовольтаический эффект в р |
— /і-переходах..................... |
|
325 |
|
1.Электрическиехарактеристики (325). 2. Спектральные
§ |
2. |
характеристики (328). 3. Элемент солнечной батареи |
(331)> |
335 |
|
Фотовольтаические эффекты на барьерах Ш оттки................. |
|
||||
|
|
1. Барьер Шоттки (335). 2. Фотоэффекты (337). 3. Детекторы |
|
||
§ |
3. |
частиц (342). |
|
344 |
|
Объемные фотовольтаические эффекты . . . -......................... |
|
||||
|
|
1. Эффект Дембера (344). 2. Фотоэлектромагнитный эффект |
|
||
|
|
(345). |
|
|
346 |
§ 4. Аномальный фотовольтаический эффект...................................... |
|
||||
|
|
1. Характеристики элементов, обладающих аномальным фото |
|
||
|
|
вольтаическим эффектом (347). 2. Условия наблюдения ано |
|
||
|
|
мального фотовольтаического эффекта (349). 3. Модели ано |
|
||
|
|
мального фотовольтаического эффекта (350). 4. Угловая |
|
||
§ 5. |
завпспмость фотовольтаических эффектов (353). |
|
355 |
||
Другие |
фотовольтаические эффекты .......................................... |
|
|||
|
|
1. Продольный фотоэффект (355) 2. Оптически индуцированные |
|
||
|
|
барьеры |
(356) . 3. Фотовольтаический эффект в структурах |
357 |
|
|
|
с плавно меняющейся шириной запрещенной зоны |
. . . . |
||
Литература |
..................................................................................................... |
|
359 |
||
Глава 15. Поляризационные ..........................................................эффекты |
|
361 |
|||
§ |
1. |
Двойное ............................................................... |
лучепреломление |
|
361 |
1.Двойное лучепреломление в одноосных кристаллах (362).
2.Эллиптическая поляризация (363). 3. Двойное лучепре
§ 2. |
ломление в двуосных кристаллах (364). |
368 |
||
Индуцированная оптическая анизотропия.................................. |
||||
|
|
1. Электрооптический эффект Керра (368). 2. Эффект Пок- |
||
|
|
кельса или |
линейный электрооптический |
эффект (369). |
|
|
3. Эффект Фарадея (370). 4. Эффект Фойгта (371). 5. Двойное |
||
|
|
лучепреломление, вызванное напряжениями (372). 6 . Откло |
||
|
|
нение и модуляция светового пучка (372). |
375 |
|
Литература.................................................................................................... |
|
|||
Глава |
16. Фотохимические эффекты ........................................................... |
3 7 7 |
||
§ |
1. |
Фотохимия в |
газовой с р е д е ........................................................... |
3 7 7 |
|
■1. Поверхностные состояния (378). 2. Адсорбция и десорб |
|||
|
|
ция (379). 3. Фотокатализ (383). 4. Спектроскопический |
||
|
|
анализ адсорбированных веществ (383). 5. Эпитаксиальный |
||
§ |
2. |
рост (384). |
жидкой с р е д е |
386 |
Фотохимия в |
||||
|
|
1. Химическое травление (386). 2. Электролитическое травле |
||
§ 3. |
ние (3S8). 3. |
Электролитическое осаждение |
(389). |
|
Фотохимические реакции в кристалле.......................................... |
390 |
|||
|
|
1. Фотостимулированиый отжиг (390). |
|
|
Литература.................................................................................................... |
|
392 |
||
