Файл: Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках пер. с англ.pdf

Предметный

указателъ

445

Ионизация полем примесей 70

Критические точки 21, 418

— ударная 267

— — максимумы 418

Испускание фоыопов 47, 139, 145

— — минимумы 418

— — седла 418

364

Картина дальнего поля 241, 245—

Круговая поляризация

Кулоновское взаимодействие 25, 156

247

Катодолюминесцепцпя 148, 161, 273,

Лавишюе образование

электронно-

274,

276

Катодоотражение 424

дырочных пар

267

Квазигомопереходы 213

Лавинный пробой 219, 220

Квазипмпульс

11

— — люминесценция 224

лазером

Квазпуровень Ферми 161, 162, 199,

Лазера

гашение

другим

200,

205,

410

когерент­

279—281

295

Квантовая

эффективность

Лазер аргонный

ного излучѳиия 253

181,

— ннжекцнонный 236, 240, 261, 270,

Квантовый

выход

излучения

278, 291, 401, 402, 407

330

— — из GaAs, характеристики 252

Кинетическая анергия И

— — конструкция 253—256

Когерентность 235

— оптическая накачка

268

268

Колебания

нормальные 86

— оптическое

возбуждение

— сложные 80

— потери 235

Комбинированная плотность состоя­

— рубиновый 271

ний 418

полупроводник

— с двумя линиями излучения 263

Компенсированный

— температурная

зависимость

247,

163

248

Контраст 108

диаграмма

182

— усиление 235

Конфигурационная

Лазерного излучения временная за­

Концентрация

доноров 148

держка 401

— носителей 15, 56, 149

— — нитевидная структура 245

— примесей 17

Лазеры

234—239

240—258

— электронов 151

— полупроводниковые

Коэффициент Берде 370

Ловушки 293, 401, 403, 404

— диффузии 236

116,

140,

— нзоэлектронные 71,

136

— отражения

102—105,

— как насыщающиеся поглотители

253, 417

404—407

— поглощения 44—46, 48—50, 52—

— кинетика заполнения 394

54,

68, 69,

84,

85, 99,

105,

226,

Лучи

рентгеновские 343

286

Луч

обыкновенный 362

— — фотона 60

— необыкновенный 362

261—

— пропускания 105

370

Люминесценции возбуждение

— электрооптпческий 369,

276

401

— экстппкцип 99, 101, 103

— гашение 400,

Коэффициенты давления 33

при­

— — под действием инфракрасного

— — для

энергий

ионизации

облучения 400

месей в германии 34

— — — — нагревания 400

— — — — — — — кремнии 34

— — — — электрического

поля

Край поглощения GaAs 54, 58, 61

400

400

— — германия 51, 69

— — тепловое

Кривые свечения 399

— нарастание

393, 394

Кристалл оптически активный 368

— спад

393, 394

129

Кристаллы двуосные 364

Люминесценция 120, 121,

412,

— дпхроичеекпе 367

— возбуждаемая

деформацией

— одноосные

362

368

413, 415

— трихроические

лазерного

— в ударных экспериментах 413

Критерий

возникновения

— при изломе 414, 415

излучения 234

— — лавинном пробое 224—228

446

Предметный указателъ

Люминесценция, связанная с дефор­

Определение высоты барьера

338

мацией 413, 414

395

Оптическая

аппзотропня нндуцпро-

— термостнмулированная

ванпая 368

— ось 362, 366

Масса приведенная 46

Оптически индуцированные барьеры

356

Метод дифференциальной

спектро­

Оптические свойства линейные 285

скопии 416

— — нелинейные 2S5

Мпкроволн получение 292

Оптическое

возбуждение ■268

Микроплазмы 220

— охлаждение 209—213'

3S9,

Микроскоп электронно-лучевой 273

Осаждение

электролитическое

Моделп аномального фотовольтаиче­

390

ского эффекта 350—352

Ось луча 366

— пленок 352

Отжиг фотостимулированный

390,

Модель двойного акцептора 409, 410

391

от стехиометрического

— заполнения хвостов зон 204

Отклонение

— основанная на эффекте Дембера

состава 16

352

— — р — л-переходамн 352

ве лазера 283

Модуляцпп отражения методы 421 —

— лазер — гаситель 280

427

Пары

Френкеля

334,

390

Модуляция длины волны 373, 426,

Перехода емкость 188

427

— природа 185—189

— добротности внутренняя 410—412

— толщина

186

— отраженпя 416—432

Переход, избыточный ток 192, 198

— — оптическая 424

— «п — р — н-крюк» 305

— поглощенпя

416

— плавный линейный

188

Монохроматор

109

— р — п 185—190, 199,

204, 205,

М ОП-структура (металл — оксид —

214,

219,

237,

241,

244,251,268,

полупроводник) 266

272,

281,

304,

305,

325-327,343

Многократное внутреннее отражение

350,

352,

353,

389,

390

106

183

— — плавающий 305

Многофонониая эмпсспя

— — с положительным смещением

261-264

Напряжение одноосное

34, 35

— резкий 187

— свободного электрона в зоне про­

Насыщение поглощения 280

водимости

84

Нити,

сфор&шрованные

преципита­

— электрическое ноле в нем 189

тами,

находящимися

на краевых

Переходы бесфопоішые 151

дислокациях

245

— виутризоиные 77—84, 168, 169

— вынужденные 231

Обедненный слой 186

— глубокие 146

156—169,

— доиорно-акцепториые

Области пропускания различных ма­

199

териалов 111

18

— зона проводимости — валентная

Образование хвостов

зона 137—145

224

Обратное смещение,

приложение

— излучательные 120,

к переходу 217

— между акцепторами 75—77

Объемное возбуждение путем удар­

— — долинами

84

ной ионизации 267

— — донорами

75—77

Ограничение когерентного излучения

— — зонами 44, 137

в активной области лазера 244

— — зоной и примесным уровнем

— области излучения 244

145—156

Одноосное напряжение 34

— — минимумами подзон 81

Оже эффект 176—179, 201

— — подзонами 44

448

Предметный указателъ

Пропусканію

105,

106

Самопоглощенпе

140, 141

Процесс Оже 90

Сверхсвечеиие 235

— удвоепия энергии фотона 271

Светового пучка модуляция 372—374

Процессы в р —• «-переходах 185—

— — отклонение

372—374

228

Светящиеся

пятна

на излучающей

— при смещении обратпом 217—228

поверхности лазера 245

—■ — — прямом 1S9—213

Свойства волноводные активной об­

— рассеяния 50

426

ласти

241—245

Пьезоотражеипе 425,

— оптические

электроакустических

доменов 299—307

Работа выхода 309

Сдвиг Бурштейиа — Мосса 49

покрытой

— допплеровский 297

194,

— — для

поверхности,

— пики

в

спектре

излучения

цезием 319

321

199

—

Кондона

127,

155,

------- — полупроводников

— Фраика

Радиационное повреждение

334

156

Радиус первой боровской орбиты 17

Сечение захвата 92, 145, 395

Рамановское

излучение

вынужден­

— поглощения

92,

93

ное 295

Скорость генерации пар 232

— рассеяние 271, 292, 294—296

— рекомбинации

125, 232

Распределение в пространстве ква-

Слой инверсионный 265

зпимпульсов 11—13

— обедненный

186—188

— Плапка 231, 233

Смешение

частот

(гетеродпнирова-

— спектральное основных гармоник

иие)

287,

291

288

Соединение GaAs^j-P^ 226, 431

— — — частот 288

электронов

по

Солнечная

батарея

331—335

—

эмитированных

Соотношение ваи Русбрека — Шокли

энергиям

322—324

294,

121—124,

175

Рассеяние брпллюэиовское 292,

— Краморса — Кронига 101, 102,

296—299,

373

241,

243,

417,

421

378

------ на электроакустическом домене

Состояния

поверхностные

306, 307

251, 252

— примесные

16—18

фотостп-

— мощности внутри лазера

Спектральная

зависимость

—

рамановское

(см.

Рамановское

мулнрованного

отжига 391

рассеяние)

— — фото-э.д.с.

330

Расстояние между модами 240

Спектральное распределение излуче­

Растяжение перехода 344

ния

в

GaAs

153

194

Расщепление Зеемана 31

Спектр

излучения

— Ландау 31, 39—42, 256

— — диоды из GaAs 195

Резонансное

поглощение

176

— — пижекционного лазера из GaA

Резонанс плазменный 104, 105, 107

264

— циклотронный 41

247, 248

— — образца Si 135

Резонатора

включение

— — при прямом смещении диода

Резонатор моды 240,

241

из GaAs

212

InAs 138

— Фабри — Перо 235, 240, 245, 253,

— люминесценции

268, 279,

284

безызлучательная

— отражения

66

Рекомбинация

— поглощения GaP «-типа 81

176—183,

198

— — оптический

102

— вынужденная 231

— эксптонный 129

— излучательная

199

180

Спектры излучения диодов из ІиР

— поверхностная

179,

207

— полярптонов 129,

130

— — р — /г-перехода в Si 224

— спонтанная 231—233

— отражения

66

— через дефекты

180—182

— — CclS при возбуждении аргон-

— — включения 180—182

ным лазером

295

легиро­

— эксптоиная 127—137

— поглощения

германия,

— — прямая

128

ванного сурьмой

70