На выходе усилителя вершина импульсов не является плоской. Она спадает на величину AU, которая зависит от постоянной вре мени переходной цели. Если CnRn^^ ( а это условие всегда выполняется), то
L U = c ^ - S u ^ d t - ^ t - ~ « = |
• етп • |
( 2 - 1 7 ° ) |
Л |
|
|
На практике спад вершины импульса часто выражается в про
центах от его амплитуды. Тогда, считая Um& |
за 100%, имеем |
АС/% = 1 0 0 - ^ . |
(2.171) |
Для уменьшения спада вершины импульса необходимо увели- • чивать постоянную времени переходной цепи, т. е. расширять по лосу пропускания усилителя в области нижних частот, так как
/ - - s i b ; -
Если отсюда определить произведение CnRn в уравнение (2.171), то получим
A t / % = 6 2 8 - х „ . / н . г .
( 2 л 7 2 )
и подставить его
(2.173)
В радиолокационных приемниках для импульсов небольшой длительности допускаемая величина AU бывает около 5—10%' ам плитуды.
Полезно заметить, что в составе выходного напряжения усили теля нет постоянной составляющей. Поэтому у выходных импуль сов площадь над осью времени равна площади под ней. На рис. 2.72 этого не видно, потому что там показан только один им пульс, а не последовательность ряда импульсов. Поскольку реаль ная скважность импульсов достаточно велика, то все переходные процессы за время паузы между импульсами успевают закончить ся. По этой причине каждый видеоимпульс на выходе усилителя начинается от нулевого уровня.
Зависимость спада вершины выходных импульсов от полосы пропускания усилителя в области нижних частот иллюстрируется рис. 2.76, где показаны частотные характеристики для двух значе
ний постоянной времени переходной цепи. |
|
Из рисунка видно, что при увеличении произведения |
СйЯп про |
исходит расширение полосы -пропускания усилителя |
в области |
нижних частот. В результате этого спад вершины выходных им пульсов уменьшается и их форма приближается к прямоугольной.
Под коэффициентом усиления любого усилителя понимается отношение величины выходного сигнала к величине входного сиг нала. Это может быть отношение напряжений или токов. При этом коэффициент усиления только тогда является определенным понятием, когда сравниваемые сигналы имеют одинаковую форму.
По этой причине коэффициент усиления видеоусилителя опре деляется для синусоидального сигнала средней частоты. Только в первом приближении он равен отношению амплитуды выходных импульсов к амплитуде входных импульсов.
В усилителе на лампе коэффициент усиления определяется по
напряжению. В общем |
случае |
|
|
|
K=Sd-Rt&S-R„ |
(2.174) |
где S, |
— динамическая крутизна |
лампы; |
о |
—статическая |
крутизна |
лампы. |
б) В и д е о у с и л и т е л ь н а т р а н з и с т о р е
Современные высокочастотные транзисторы позволяют исполь
зовать для усиления импульсных |
сигналов простые (обычные) схе |
мы усилителей. Одна из таких схем на транзисторе р-п-р |
с |
общим |
эмиттером изображена |
на рис. 2.77. |
Схема выполнена |
с |
фикси |
рованным током смещения и не содержит элементов |
частотной |
коррекции. В ней нет также элементов температурной |
стабилиза |
ции исходного режима |
транзистора. |
|
|
|
Подобные схемы применяются только в тех случаях, когда |
допустимо иметь на выходе усилителя значительное время |
нара |
стания прямоугольных импульсов (около половины |
микросе |
кунды) . |
|
|
|
|
|
Основная проблема |
расчета |
схемы |
некоррелированного уси |
лителя сводится к выбору подходящего транзистора и требуемой величины сопротивления RK. Затем выбирается исходный режим усилителя. Он зависит от полярности и амплитуды усиливаемых импульсов.
При выборе транзистора можно руководствоваться довольно простым критерием. Его предельная частота усиления по току дол жна быть в несколько раз больше необходимой верхней граничной
частоты усилителя. |
|
|
Необходимая частота |
fD.r определяется по формуле |
|
/ . . , = " . |
( 2 Л 7 5 ) |
где т.ц — заданное время |
нарастания |
фронта. |
Выбор сопротивления RK производится из двух противоречивых требований, предъявляемых к импульсному усилителю. С одной стороны, необходимо получить максимально возможное усиление,
Рис. 2.77. Схема некорректированного импульсного уси
лителя на транзисторе |
р — п — р с общим эмиттером |
а с другой — требуется иметь |
достаточно широкую полосу пропу |
скания. Для выполнения первого условия желательно увеличи вать сопротивление нагрузки транзистора, а для выполнения вто рого условия требуется его уменьшать.
Существенную роль при выборе величины RK играет входное сопротивление следующего каскада, которое для переменных со ставляющих коллекторного тока включено параллельно с сопро
тивлением RK- |
Приходится учитывать |
и внутреннее |
сопротивле |
ние источника |
входного сигнала RUc, так |
как от его |
величины за |
висит режим работы входной цепи усилителя. Параметры выбран ного транзистора также оказывают заметное влияние на требуе
мую величину |
сопротивления RK. |
В результате |
всего этого расчетная формула для RK получается |
сложной и неточной. Поэтому на практике при проектировании видеоусилителя сопротивление резистора RK часто определяют экс периментально. Его величина обычно бывает 500—3000 ом.
Резистор Ro выбирается в зависимости от полярности и ам плитуды усиливаемых импульсов. Для этого на семействе КСХ выбранного транзистора строят КДХ и определяют необходимую величину тока базы в режиме покоя. Обозначим этот ток U.a-
Если усилитель выполнен на транзисторе р-п-р с общим эмит тером и предназначен для усиления положительных импульсов, то точку исходного режима необходимо иметь в верхней части КДХ (рис. 2.78,а). Для этого надо выбрать сопротивление R5 неболь шой величины. Это невыгодно не только по энергетическим сооб ражениям, но и потому, что при уменьшении Re уменьшается входное сопротивление усилителя.
При отрицательной полярности усиливаемых импульсов точку исходного режима необходимо иметь в нижней части КДХ. В этом случае сопротивление R& должно быть большим.
1Б = ШмкА
1Б = ISOjhkA
1Б = 100мкА
'кдх
=50мкА
Рис. 2.78. Выбор точки исходного режима импульсного усили теля в зависимости от полярности входного сигнала:
а — д л я транзистора р — п — р; б — д л я транзистора п — р — п
Расчет сопротивления RQ производят |
по формуле |
R 6 = ^ . |
(2.176) |
' б . п |
|
Если усилитель выполнен на транзисторе п-р-п с общим эмит тером, то в зависимости от полярности входных импульсов точка
исходного режима вьгбирается так, как это показано на рис. 2.78, б. |
Из сказанного следует, что для усиления отрицательных им |
пульсов энергетически выгоднее применять транзисторы |
р-п-р, а |
для усиления положительных импульсов — транзисторы |
п-р-п. |
Рассмотрим физические процессы в усилителе на сплавном транзисторе р-п-р. Схема усилителя изображена на рис. 2.77. Гра фики, иллюстрирующие процессы, происходящие в усилителе, изо бражены на рис. 2.79.
В исходном режиме (до момента /1) на входе усилителя на пряжения нет. На базе транзистора действует небольшое прямое напряжение. Уровень инжекции очень мал. Поэтому токи всех
электродов транзистора |
( / э . п , 7к.п, h.n) малы. При этом, |
конечно, |
/ в . п = / к . п + / б . п . |
Напряжение на коллекторе |
UK.a немного |
меньше |
£ к . Очевидно, |
что UK.N=EK |
— /К.П • RK- |
|
|
В момент |
U на вход |
усилителя скачком |
подается отрицатель |
ное напряжение. Это возможно при наличии определенных усло вий. В основном для этого надо иметь малое сопротивление R A . C и малую входную емкость усилителя. Полагаем, что эти условия вы-
полняготся. Тогда в момент U происходит резкое увеличение тока эмиттера. Однако ток коллектора в момент 1\ ие изменяется, так как инжектированные дырки ие сразу достигают коллекторного перехода. Требуется определенное время, чтобы они прошли сквозь базу транзистора. Пока это время не истекло, происходит
|
О |
U |
( |
|
|
|
ПИШИ11- |
"тех |
Ш 111 |
t |
|
|
Рис. 2.79. Процесс усиления прямоугольных видеоим пульсов в транзисторном усилителе без коррекции
процесс втягивания большого количества электронов в базу из
внешней цепи (в основном с правой обкладки конденсатора |
С р ) . |
Поэтому в момент А ток базы возрастает в такой же степени, |
как |
и ток эмиттера. Область базы при этом все время остается ней
тральной. Процесс накопления парных |
неравновесных |
носителей |
в базе происходит до момента |
t2. Упрощенно его называют процес |
сом накопления |
избыточных |
дырок *. |
|
|
Промежуток |
времени от момента U |
до момента t2 |
зависит от |
* Концентрация дырок в базе резко возрастает, а концентрация электронов практически остается прежней.