Файл: Левичев В.Г. Радиопередающие и радиоприемные устройства [учеб. пособие].pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 321

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

На выходе усилителя вершина импульсов не является плоской. Она спадает на величину AU, которая зависит от постоянной вре­ мени переходной цели. Если CnRn^^ ( а это условие всегда выполняется), то

L U = c ^ - S u ^ d t - ^ t - ~ « =

• етп

( 2 - 1 7 ° )

Л

 

 

На практике спад вершины импульса часто выражается в про­

центах от его амплитуды. Тогда, считая Um&

за 100%, имеем

АС/% = 1 0 0 - ^ .

(2.171)

Для уменьшения спада вершины импульса необходимо увели- • чивать постоянную времени переходной цепи, т. е. расширять по­ лосу пропускания усилителя в области нижних частот, так как

/ - - s i b ; -

Если отсюда определить произведение CnRn в уравнение (2.171), то получим

A t / % = 6 2 8 - х „ . / н . г .

( 2 л 7 2 )

и подставить его

(2.173)

В радиолокационных приемниках для импульсов небольшой длительности допускаемая величина AU бывает около 5—10%' ам­ плитуды.

Полезно заметить, что в составе выходного напряжения усили­ теля нет постоянной составляющей. Поэтому у выходных импуль­ сов площадь над осью времени равна площади под ней. На рис. 2.72 этого не видно, потому что там показан только один им­ пульс, а не последовательность ряда импульсов. Поскольку реаль­ ная скважность импульсов достаточно велика, то все переходные процессы за время паузы между импульсами успевают закончить­ ся. По этой причине каждый видеоимпульс на выходе усилителя начинается от нулевого уровня.

Зависимость спада вершины выходных импульсов от полосы пропускания усилителя в области нижних частот иллюстрируется рис. 2.76, где показаны частотные характеристики для двух значе­

ний постоянной времени переходной цепи.

 

Из рисунка видно, что при увеличении произведения

СйЯп про­

исходит расширение полосы -пропускания усилителя

в области

нижних частот. В результате этого спад вершины выходных им­ пульсов уменьшается и их форма приближается к прямоугольной.

Под коэффициентом усиления любого усилителя понимается отношение величины выходного сигнала к величине входного сиг­ нала. Это может быть отношение напряжений или токов. При этом коэффициент усиления только тогда является определенным понятием, когда сравниваемые сигналы имеют одинаковую форму.

304


По этой причине коэффициент усиления видеоусилителя опре­ деляется для синусоидального сигнала средней частоты. Только в первом приближении он равен отношению амплитуды выходных импульсов к амплитуде входных импульсов.

В усилителе на лампе коэффициент усиления определяется по

напряжению. В общем

случае

 

 

 

K=Sd-Rt&S-R„

(2.174)

где S,

— динамическая крутизна

лампы;

о

—статическая

крутизна

лампы.

б) В и д е о у с и л и т е л ь н а т р а н з и с т о р е

Современные высокочастотные транзисторы позволяют исполь­

зовать для усиления импульсных

сигналов простые (обычные) схе­

мы усилителей. Одна из таких схем на транзисторе р-п-р

с

общим

эмиттером изображена

на рис. 2.77.

Схема выполнена

с

фикси­

рованным током смещения и не содержит элементов

частотной

коррекции. В ней нет также элементов температурной

стабилиза­

ции исходного режима

транзистора.

 

 

 

Подобные схемы применяются только в тех случаях, когда

допустимо иметь на выходе усилителя значительное время

нара­

стания прямоугольных импульсов (около половины

микросе­

кунды) .

 

 

 

 

 

Основная проблема

расчета

схемы

некоррелированного уси­

лителя сводится к выбору подходящего транзистора и требуемой величины сопротивления RK. Затем выбирается исходный режим усилителя. Он зависит от полярности и амплитуды усиливаемых импульсов.

305


При выборе транзистора можно руководствоваться довольно простым критерием. Его предельная частота усиления по току дол­ жна быть в несколько раз больше необходимой верхней граничной

частоты усилителя.

 

 

Необходимая частота

fD.r определяется по формуле

 

/ . . , = " .

( 2 Л 7 5 )

где т.ц — заданное время

нарастания

фронта.

Выбор сопротивления RK производится из двух противоречивых требований, предъявляемых к импульсному усилителю. С одной стороны, необходимо получить максимально возможное усиление,

Рис. 2.77. Схема некорректированного импульсного уси­

лителя на транзисторе

р — п — р с общим эмиттером

а с другой — требуется иметь

достаточно широкую полосу пропу­

скания. Для выполнения первого условия желательно увеличи­ вать сопротивление нагрузки транзистора, а для выполнения вто­ рого условия требуется его уменьшать.

Существенную роль при выборе величины RK играет входное сопротивление следующего каскада, которое для переменных со­ ставляющих коллекторного тока включено параллельно с сопро­

тивлением RK-

Приходится учитывать

и внутреннее

сопротивле­

ние источника

входного сигнала RUc, так

как от его

величины за­

висит режим работы входной цепи усилителя. Параметры выбран­ ного транзистора также оказывают заметное влияние на требуе­

мую величину

сопротивления RK.

В результате

всего этого расчетная формула для RK получается

сложной и неточной. Поэтому на практике при проектировании видеоусилителя сопротивление резистора RK часто определяют экс­ периментально. Его величина обычно бывает 500—3000 ом.

Резистор Ro выбирается в зависимости от полярности и ам­ плитуды усиливаемых импульсов. Для этого на семействе КСХ выбранного транзистора строят КДХ и определяют необходимую величину тока базы в режиме покоя. Обозначим этот ток U.a-

306


Если усилитель выполнен на транзисторе р-п-р с общим эмит­ тером и предназначен для усиления положительных импульсов, то точку исходного режима необходимо иметь в верхней части КДХ (рис. 2.78,а). Для этого надо выбрать сопротивление R5 неболь­ шой величины. Это невыгодно не только по энергетическим сооб­ ражениям, но и потому, что при уменьшении Re уменьшается входное сопротивление усилителя.

При отрицательной полярности усиливаемых импульсов точку исходного режима необходимо иметь в нижней части КДХ. В этом случае сопротивление R& должно быть большим.

1Б = ШмкА

1Б = ISOjhkA

1Б = 100мкА

'кдх

=50мкА

Рис. 2.78. Выбор точки исходного режима импульсного усили­ теля в зависимости от полярности входного сигнала:

а — д л я транзистора р — п — р; б — д л я транзистора п — р — п

Расчет сопротивления RQ производят

по формуле

R 6 = ^ .

(2.176)

' б . п

 

Если усилитель выполнен на транзисторе п-р-п с общим эмит­ тером, то в зависимости от полярности входных импульсов точка

исходного режима вьгбирается так, как это показано на рис. 2.78, б.

Из сказанного следует, что для усиления отрицательных им­

пульсов энергетически выгоднее применять транзисторы

р-п-р, а

для усиления положительных импульсов — транзисторы

п-р-п.

Рассмотрим физические процессы в усилителе на сплавном транзисторе р-п-р. Схема усилителя изображена на рис. 2.77. Гра­ фики, иллюстрирующие процессы, происходящие в усилителе, изо­ бражены на рис. 2.79.

В исходном режиме (до момента /1) на входе усилителя на­ пряжения нет. На базе транзистора действует небольшое прямое напряжение. Уровень инжекции очень мал. Поэтому токи всех

электродов транзистора

( / э . п , 7к.п, h.n) малы. При этом,

конечно,

/ в . п = / к . п + / б . п .

Напряжение на коллекторе

UK.a немного

меньше

£ к . Очевидно,

что UK.N=EK

— /К.П • RK-

 

 

В момент

U на вход

усилителя скачком

подается отрицатель­

ное напряжение. Это возможно при наличии определенных усло­ вий. В основном для этого надо иметь малое сопротивление R A . C и малую входную емкость усилителя. Полагаем, что эти условия вы-

307


полняготся. Тогда в момент U происходит резкое увеличение тока эмиттера. Однако ток коллектора в момент 1\ ие изменяется, так как инжектированные дырки ие сразу достигают коллекторного перехода. Требуется определенное время, чтобы они прошли сквозь базу транзистора. Пока это время не истекло, происходит

О

U

(

 

 

ПИШИ11-

"тех

Ш 111

t

 

Рис. 2.79. Процесс усиления прямоугольных видеоим­ пульсов в транзисторном усилителе без коррекции

процесс втягивания большого количества электронов в базу из

внешней цепи (в основном с правой обкладки конденсатора

С р ) .

Поэтому в момент А ток базы возрастает в такой же степени,

как

и ток эмиттера. Область базы при этом все время остается ней­

тральной. Процесс накопления парных

неравновесных

носителей

в базе происходит до момента

t2. Упрощенно его называют процес­

сом накопления

избыточных

дырок *.

 

 

Промежуток

времени от момента U

до момента t2

зависит от

* Концентрация дырок в базе резко возрастает, а концентрация электронов практически остается прежней.

308