Файл: Левичев В.Г. Радиопередающие и радиоприемные устройства [учеб. пособие].pdf

повышается, то происходит увеличение тока /к о- Но одновременно уменьшается напряжение UK0, а следовательно, и напряжение £б.

Уменьшение напряжения Ео в свою очередь приводит к умень­ шению тока /бо, а эта причина сдерживает перемещение точки исходного режима усилителя вверх по выходной динамической ха­ рактеристике. В результате этого ток /„о хотя и возрастает с по­ вышением температуры, но в меньшей степени, чем в схеме уси­ лителя с фиксированным смещением, т. е. без обратной связи.

1ко+1б0

Рис. 2.66. Схема резисторного усилителя с последователь­ ной ИООС по эмиттерному току

Эффективность коллекторной температурной стабилизации ис­

Сопротивление нагрузки транзистора для переменного тока

шунтирует вход усилителя по переменному току и тем самым уменьшает его входное сопротивление.

Схема резисторного усилителя с последовательной ИОС по

2Э5

С повышением температуры ток 7эо возрастает, что приводит к увеличению напряжения U30- Но при этом уменьшается напряже­ ние (Убо, что ослабляет процесс инжекции и сдерживает рост эмиттерного тока, а следовательно, и рост коллекторного тока.

Хорошая эмиттерная температурная стабилизация исходного режима транзистора получается только при достаточно большом сопротивлении R9 и небольшом сопротивлении RK. Обычно вели­ чина сопротивления /?э выбирается порядка единиц килоом. Чем

Применение инерционной ООС часто не обеспечивает требуе­ мой стабильности параметров транзисторного усилителя. Тогда приходится применять безынерционную отрицательную обратную

1КО+1БО

Рис. 2.67. Схема резисторного усилителя с параллель­ ной БООС по коллекторному напряжению

связь (БООС). Методы ее осуществления те же самые, что и в ламповых усилителях.

Наиболее часто используются следующие варианты БООС: •— параллельная по коллекторному напряжению;

—последовательная по эмиттерному току;

—комбинированная.

Схема резисторного усилителя с параллельной БООС по кол­ лекторному напряжению изображена на рис. 2.67. В этой схеме ток базы определяется по формуле

(2-154)

Из формулы видно, что между током базы и напряжением на коллекторе имеется линейная зависимость. Ее можно использо-

296

вать для нахождения точки исходного режима на коллекторной динамической характеристике усилителя. Для этого необходимо задаться рядом значений тока базы (по числу имеющихся кол­

шает входное сопротивление усилителя. Поэтому уменьшается и коэффициент усиления по току.

Схема усилителя с последовательной БООС по току изобра­ жена на рис. 2.69. Напряжение обратной связи создается на ре­ зисторе Ra. Оно пропорционально току эмиттера. Ток эмиттера

297

может изменяться быстро (сигнальные изменения) или медленно (температурные изменения). В обоих случаях обратная связь дей­ ствует, так как резистор Нэ не заблокирован конденсатором.

Ток базы в исходном режиме определяется по уравнению

/ < и — Л 6 + Л 9 ( Г + » " *

В соответствии с ним легко найти величины Дю и UKo (по точке исходного режима на коллекторной динамической характери­ стике) .

1ко+ гб-о

Рис. 2.69. Схема резисторного усилителя с последова­ тельной БООС по эмиттерному току

Основные параметры усилителя с БООС по эмиттерному току можно рассчитать по следующим уравнениям. .

1) Входное сопротивление усилителя

Последовательная БООС по эмиттерному току заметно увели­ чивает входное сопротивление усилителя, незначительно умень­ шает коэффициент усиления по току и резко уменьшает усиление сигнала по напряжению. Однако надо иметь в виду, что на вход усилителя с большим входным сопротивлением попадает большая часть ЭДС источника сигнала.

298

По этой причине для транзисторных усилителей коэффициент усиления по напряжению, определяемый как отношение выходного напряжения к входному, часто бывает, малопоказательным пара­ метром. Вот почему наряду с ним пользуются понятием коэффи­ циента усиления по ЭДС сигнала. Он имеет следующий вид:

Если входное сопротивление усилителя активно, то

(2.163)

299