На рис. 2.113 показаны характерные варианты входных цепей
транзисторных приемников. В первой схеме |
(рис. 2.113, а) |
катушка |
контура L,< и катушка связи Ьсв намотаны |
на ферритовом |
стержне |
магнитной антенны. Катушка связи делается подвижной. Тем са мым достигается простота регулировки коэффициента связи. Это достоинство схемы. Недостаток ее заключается в том, что катуш ка связи вместе с входной емкостью транзистора и своей междувитковой емкостью образует колебательный контур. Если его ре-
Рис. 2.113. Варианты схем входных цепей транзисторных приемников:
|
|
|
|
|
|
|
а — индуктивная |
связь |
с транзистором; |
б — автотрансформаторная связь с |
транзи |
стором; а — емкостная |
связь с внешней |
антенной |
и автотрансформаторная |
связь |
с транзистором; |
г — автотрансформаторная |
связь с |
внешней антенной н индуктивная |
|
|
связь с |
транзистором |
|
зонансная частота оказывается в диапазоне приемника, то коэф фициент передачи входной цепи получается резко неравномерным. Если резонансная частота этого контура будет за пределами ди
апазона приемника (на практике должно быть именно |
так), то |
тогда возможен прием случайных помех. |
|
|
Вторая |
схема |
(рис. 2.113, 6) свободна |
от указанного |
недостат |
ка, но зато |
в ней затруднена регулировка |
коэффициента |
связи. |
Третья |
схема |
(рис. 2.113, в) в принципе не отличается от схе |
мы, изображенной |
на рис. 2.111. В этих схемах конденсатор связи |
часто делают переменным. Тогда при смене антенны легко подби рается оптимальная связь.
Четвертая схема |
(рис. 2.113, г) удобна |
в |
диапазоне |
метровых |
волн. Она аналогична схемам, изображенным |
на рис. 2.103 и 2.107. |
Если применяется входная цепь с |
магнитной антенной, то ам |
плитуда напряжения сигнала на базе транзистора |
(в |
милливоль |
тах) |
определяется |
по формуле |
|
|
|
|
|
|
|
|
U m |
= E-hA.p6.Q9 |
(мв), |
|
|
(2.212) |
где |
Е — напряженность |
магнитного |
поля |
в месте |
приема, |
мв/м\ |
|
Ад —действующая |
высота магнитной |
антенны |
(обычно |
/гд = |
=0,003-4-0,01 ,«);
рб — коэффициент включения входного контура в цепь базы
транзистора (обычно ро = 0,1-н0,5);
Q9 — эквивалентная добротность контура (наиболее часто Q3 =10-b50).
§9. УСИЛИТЕЛИ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
1.Назначение УВЧ и его показатели
Усилитель высокой частоты предназначен для увеличения энер гии полезного сигнала и уменьшения энергии помех. Поэтому чаще всего он бывает избирательным (резонансным). Если при емник супергетеродинный, то УВЧ должен обладать хорошей из бирательностью по зеркальному каналу (см. § 1).
Частотная избирательность УВЧ осуществляется за счет ре зонансных свойств колебательной системы, выполняющей роль нагрузки усилительного прибора.
В |
качестве усилительных приборов |
в УВЧ |
применяют обыч |
ные |
электронные лампы, транзисторы, |
лампы |
цилиндрической |
конструкции, лампы бегущей волны и туннельные диоды. В уни кальных приемных устройствах применяют параметрические и мо лекулярные УВЧ.
Эффект частотной избирательности резонансного усилителя высокой частоты поясняется рис. 2.114. Там показано, что на входе УВЧ приемника одновременно действуют несколько модули рованных высокочастотных сигналов. Каждый сигнал занимает определенную полосу частот и имеет определенный уровень мощ ности. Множество сигналов на входе УВЧ оказывается из-за на личия широкой полосы пропускания входной цепи приемника.
В резонансном усилителе происходит преимущественное уси ление полезного сигнала и поэтому на выходе его принимаемый сигнал становится заметнее среди помех, чем на входе.
Качественными показателями УВЧ являются:
•— резонансный коэффициент усиления по напряжению Ко',
—входное сопротивление;
—полоса пропускания 2Д/;
—избирательность при заданной расстройке (обычно по зер кальному и по соседнему каналам);
— максимально |
достижимый |
коэффициент |
усиления Ко макс! |
— коэффициент |
шума. |
|
|
Эти показатели |
будут подробно рассмотрены |
только для УВЧ |
с полным включением контура в |
анодную цепь |
лампы. |
|
|
foz |
Таз |
fo'h |
^05 foe |
f |
|
Рис. 2.114. |
Графическое |
изображение |
частотной |
избирательности |
|
|
резонансного |
усилителя |
|
|
|
2. УВЧ |
с полным включением контура в анодную |
|
|
|
|
цепь |
лампы |
|
|
|
|
а) С х е м а |
у с и л и т е л я |
|
|
|
Схема усилителя |
может быть |
выполнена |
с |
последовательным |
или с параллельным |
питанием |
(рис. |
2.115). |
В |
любом |
варианте |
анодная нагрузка лампы |
является частотно-зависимой. |
Ее роль |
выполняет параллельный контур. К основным элементам схемы относятся: усилительная лампа, контур и источник анодного пи тания. Остальные элементы дополнительные.
Первые два варианта схемы УВЧ (а и б) используются в при емниках с небольшой полосой пропускания. В основном это при емники связи и радиовещательные приемники. Третий вариант (в) применяется в приемниках с широкой полосой пропускания. В ос новном это радиолокационные приемники.
Рис. 2.115. Схемы УВЧ с полным включе нием контура в анодную цепь лампы:
а — последовательное |
питание: |
б — параллельное |
питание с анодным |
дросселем; |
в — параллельное |
питание с анодным резистором
Зависимость сопротивления анодной нагрузки лампы от ча стоты усиливаемых колебаний изображена на рис. 2.116. В даль нейшем будем считать, что колебательный контур настроен на ча стоту полезного сигнала, который полагаем немодулированным.
Рис. 2.116. Зависимость сопротивления анодной нагрузки лампы УВЧ от частоты усиливаемых ко лебаний
б) Р е з о н а н с н ы й к о э ф ф и ц и е н т у с и л е н и я
Настроенный параллельный контур имеет сопротивление для переменного анодного тока лампы, активное по характеру. Ввиду
этого справедливы графики физических процессов, изображенные на рис. 2.117.
Из графиков видно, что под воздействием сеточного напряже ния происходит изменение анодного тока. Амплитуда его перемен ной составляющей / т а зависит от амплитуды входного напряже ния СЛпвх и крутизны рабочего участка сеточной динамической ха рактеристики лампы Sd-
Очевидно, что
Лпа = |
• Umg = Sd • Um в х . |
(2.213) |
Переменная составляющая анодного тока, проходящая через настроенный контур, создает на нем переменное синфазное напря жение с амплитудой
|
С//пк — /даа ' |
|
R3 - Umg |
— Sd - R3 |
- Um DX. |
В результате этого напряжение на аноде лампы изменяется и |
имеет амплитуду Um&=UmK. |
|
Переменное анодное напряжение про- |
тивофазно |
входному |
напряжению. |
|
|
Пульсирующее анодное напряжение ' приложено к переходной |
цепи CaRn. |
На |
конденсаторе |
С п |
действует постоянное напряжение |
ияо + Е8, а |
на |
резисторе |
Rn |
создается |
переменное напряжение с |
амплитудой и т л ъ к = |
ита. |
|
|
|
|
|
Поэтому |
|
|
|
|
|
|
|
где |
|
U т вых = |
Sd |
• RB |
• Uт в х |
= KQ • Uт |
вх, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
K0 = |
Sd-R3. |
|
(2.214) |
Таким |
образом, |
резонансный |
коэффициент |
усиления каскада |
УВЧ пропорционален динамической крутизне лампы и сопротивле
нию контура. Если усилитель выполняется |
на пентоде, то Sa^S и |
тогда |
|
Ko = S-R9. |
(2.215) |
В этой формуле S представляет собой |
крутизну рабочего уча |
стка сеточной динамической характеристики, но она практически совпадает с сеточной статической характеристикой, так как в уси
лителе на пентоде |
Ri^>R3. |
|
в) В х о д н о е |
с о п р о т и в л е н и е |
Входное сопротивление усилителя является чисто емкостным только на сравнительно низких частотах. С повышением частоты усиливаемых колебаний оно становится комплексным и может быть представлено параллельным соединением входной емкости и вход ного активного сопротивления (рис. 2.11, в).
Активная составляющая входного сопротивления каскада УВЧ обусловлена индуктивностью ввода катода и наводимыми сеточ ными токами.
Для анализа первой причины напомним, что в лампе кроме меж дуэлектродных емкостей существуют еще индуктивности вводов