Файл: Синяков Н.И. Технология изготовления фотомеханических печатных форм учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 328

Скачиваний: 5

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Входящие

в уравнение величины

 

 

 

 

являются

переменными. Причем

а и

 

 

 

 

s' хотя и переменные

величины, но в

 

 

 

 

растровом

фотопроцессе они

явля­

 

 

 

 

ются заданными, так как размер ре­

 

 

 

 

продукции и линиатура

растра опре­

 

 

 

 

делены издательством.

 

Фотограф,

ис­

 

 

 

 

ходя из требуемой градации растро­

 

 

 

 

вого негатива,

может

менять только

 

 

 

 

d и г. Эти величины называют

п е р е ­

 

 

 

 

м е н н ы м и ф а к т о р а м и

р а ­

 

 

 

 

с т р о в о г о

ф о т о п р о ц е с с а.

 

 

 

 

При этом, как видно из уравнения

 

 

 

 

растра, необязательно

изменять

од­

 

Рис.

25

 

новременно оба фактора (хотя это в

 

Влияние переменных факторов

некоторых

случаях

и

необходимо),

 

 

 

изменению другого,

так как изменение одного из

них

равносильно

иначе говоря,

переменные факторы взаимозаместимы. При изменении

одного из факторов в

правую

часть

уравнения

вводят поправочный

коэффициент К, называемый растровым коэффициентом

 

 

CL

 

гг d

 

 

 

г/

CIS

 

 

 

т = к — , откуда

 

 

 

На рис. 25 показаны схемы влияния изменения переменных вели­ чин на размер основания светового растрового элемента. Уменьшение диаметра диафрагмы или уменьшение расстояния растра от фотослоя приводит к уменьшению светового растрового элемента (рис. 25,

Таблица 8

Л и ни ату р а растра,

Величина дифракции,

У величение диаметра свето­

лин/см

мм

вого растрового элемента, %

20

0,0200

3,52

25

0,0250

5,00

34

0,0339

11,50

► 40

0,0400

12,90

48

0,0480

16,50

54

0,0540

19,05

60

0,0600

28,90

70

0,0700

39,10

80

0,0800

51,20

1,2). Уменьшение растяжения камеры приводит к увеличению свето­ вого растрового элемента (рис. 25, 3). Но при изменении переменных факторов наряду с изменением величины светового растрового эле­ мента изменяется и распределение освещенности на его площади. Это, как увидим дальше, весьма важное свойство проекционного растра.

4 Н. И. Синяков

97

 


 

 

 

 

Распределение

освещенности

на

пло­

 

 

 

 

щади светового растрового элемента мо­

 

 

 

 

жет быть

показано

графически

(рис.

26).

 

 

 

 

По оси абсцисс

в

обе

стороны

от центра

 

 

 

 

откладывают радиус г светового растрово­

 

 

 

 

го элемента,

а

по

 

оси

ординат — осве­

 

 

 

 

щенность.

Кривая

 

зависимости

lgE=f(r)

 

 

 

 

представляет

собой

профиль освещенности

 

 

 

 

светового

 

растрового

элемента.

Ниже на

 

 

 

 

этом же

рисунке

световой

растровый эле­

 

 

 

 

мент показан в плане. Замкнутые кривые,

 

 

 

 

соединяющие

точки

 

равной

освещенности,

 

 

 

 

представляют

собой

 

изофоты.

Профиль

 

 

 

 

освещенности и семейство изофот дают

 

 

 

 

полное представление о величине

светово­

 

 

 

 

го растрового элемента

и о

распределении

 

 

 

 

освещенности на его площади. На рис. 27

 

 

 

 

показаны схемы построения

светового ра­

Рис.

26

 

 

стрового

конуса,

размеры

 

световых раст­

Распределение

освещенности

ровых элементов и профили

освещенности

на площади светового растро­

при /С=1,

при К > 1, при

К < 1.

 

 

вого элемента

 

 

Как показывают приведенные схемы, от

растрового

элемента и

величины

 

К

зависят

величина

светового

характер

распределения освещенности

на

его площади.

При К = 1

световые

 

растровые

элементы соприкаса­

ются

друг

с

другом,

профиль освещенности

их

 

крутой

При

А>1 световые растровые элементы разобщены,

профиль освещенности

более крутой. При этом в центре светового растрового элемента появи­ лась равноосвещенная площадка с относительно наибольшей осве­ щенностью, чем вся остальная площадь светового растрового элемен­ та. Вследствие этого в центре растровых элементов на негативе из­ готовленном при данном режиме (К>1), образуется равноплотная площадка, называемая ядром растровой точки. При /С<1 световые раст­ ровые элементы своими краями накладываются друг на друга, про­ филь освещенности относительно пологий, а световой конус имеет

Рис. 27 Схема построения светового растрового конуса:

а — при К = 1 ; б —при К > 1 ; в — при К < 1

98


острую вершину. Понятно, что, переходя от одного значения К к другому, можно получать большее или меньшее сцепление световых растровых элементов, большую или меньшую крутизну профиля осве­ щенности, большее или меньшее ядро растровой точки.

Практическое значение приведенных положений состоит в том, что от режима растрового фотопроцесса, который, как видим, опреде­ ляется значением К, зависит градационная характеристика растрового негатива. Чем больше К, а следовательно, чем меньше d или г, тем меньше контраст растрового негатива и тем плотнее и резче растровая точка в тенях. Чем меньше К, а следовательно, чем больше d или г, тем больше контраст растрового негатива, тем крупнее растровая точ­ ка в тенях и тем больше сцепление растровых точек в светах.

Из предыдущего (§ 37) известно, что растровая плотность зависит от соотношения непрозрачных и прозрачных растровых элементов, а это соотношение в растровом фотопроцессе, как видим, определяется значением коэффициента К ■Но градация растрового негатива зависит от того, какими величинами растровых плотностей переданы на растро­ вом негативе оптические плотности тонового оригинала. Отсюда сле­ дует основное положение проекционного растрового процесса о том, что градационная характеристика растрового негатива определяется выбором К ■ В этом и заключается связь образования растровых эле­ ментов с градационной передачей в растровом фотопроцессе.

Нормальные точки в светах и тенях растрового негатива можно получить с режимом растрового фотопроцесса, при котором /(=0,9, т. е. с одной диафрагмой и одним растровым расстоянием. Однако та­ кой режим в большинстве случаев не может обеспечить требуемую гра­ дацию растрового негатива по всей шкале яркостей. Приходится применять две диафрагмы, причем со значительно разным диаметром, т. е. в одном растровом фотопроцессе участвуют два растровых коэф­ фициента К, значительно отличающихся друг от друга. Большая диаф­

рагма предназначается для

проработки светов и светлых полутонов

и называется с в е т о в о й

д и а ф р а г м о й , меньшая диафрагма —

для проработки средней части шкалы яркостей и называется п о л у ­ т о н о в о й д и а ф р а г м о й . При съемке особенно контрастных оригиналов применяют еще третью диафрагму — малого диаметра. Эта диафрагма предназначена для получения на растровом негативе мелкой растровой точки в тенях. При экспонировании через эту диафрагму оригинал завешивают листом белой бумаги.

В основе механизма образования непрозрачных растровых эле­ ментов — растровых точек на растровом изображении — лежат аб­ солютная и относительная освещенности на площади светового раст­ рового элемента. Абсолютная освещенность на площади растрового светового элемента на разных участках растрового оптического изоб­ ражения на матовом стекле или фотослое различна и зависит от яр­ кости этих участков на тоновом оригинале, или, иначе говоря, от их оптической плотности. Относительная освещенность на площади ра­ стрового светового элемента одинакова для всех световых элементов данного оптического изображения и зависит: при проекционном раст­ ре от режима растровой съемки, т. е. от коэффициента К, при контакт-

4*

99



 

Света

Полутона

Тени

Света

Полутона Тени

 

 

 

 

D , - o

D 2= 0,3

 

D 3 -I.O

 

 

 

Ві=Ю О %

В 2-5 0 %

Вз -10%

 

 

 

 

Е г = 0,05

Е з = 0,01

 

 

(

 

0,01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,01

 

f-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

I

I

I

 

 

 

Юс

 

 

 

 

Юс

 

Рис. 28

 

 

 

 

 

 

Образование растровых

точек:

 

 

а — при

пологом

профиле

освещенности; б — при

крутом профиле

освещенности

 

 

 

 

 

ном растре от профиля плотностей элемента растра данного серого контактного растра, а при пурпурном растре еще и от режима съемки со светофильтром.

В то время как от абсолютной освещенности светового растрового элемента при данных условиях и режимах изготовления растрового негатива зависит размер растровых точек, от относительной освещен­ ности зависит соотношение их размеров, т. е. градационная передача. Таким образом, абсолютная освещенность является регулятором раз­ мера растровых точек, а относительная — регулятором их соотно­ шения.

Схема образования на негативе растровых точек разной величины в зависимости от оптических плотностей оригинала и экспозиции показана на рис. 28, а. Вверху три плотности оригинала D і= 0; £>2=0,3; £>з=1,0. Следовательно, яркость участков оригинала, имею­ щих эти плотности, составляет соответственно: в светах 100%, в полу­ тонах 50%, в тенях 10%. На фотослое за проекционным или контакт­ ным растром образуются световые растровые элементы с соответст­ вующим распределением освещенности.

Пример. Примем, что 100%-ная яркость (Dx= 0) создает на ядре светового раст­ рового элемента освещенность лк, тогда от 50%-ной яркости (D =0,3) осве­ щенность ядра будет £ 2= 0,05 лк, от 10%-ной яркости — £ 3=0,0 1 лк. Возьмем фото­ техническую пленку типа ФТ-101 или «лит», характеристическая кривая 1 которой показана на рис. 17. Примем, что граница растрового элемента на негативе опреде­ лится изоденсой*, имеющей Ь = 1 ,2 . Эту плотность находим на кривой 1 (рис. 17). Экспозиция для получения D — 1,2, как видно из графика (рис. 17), равна 0,1 лк-с. Вернемся к рис. 28, а, на котором видно, что при выдержке в 2 с изоденса c D = l,2 получается в тех местах, где значение изофоты равно 0,05 лк: 0,05 -2=0,1 лк.

Таким образом, при выдержке 2 с на растровом негативе получается растровая точка только в светах и полутонах. В тенях негатива растровой точки нет вследствие того, что максимальная освещенность ядра светового растрового элемента составляет

* И з о д е н с ы — замкнутые кривые, соединяющие точки одинаковой плот*- ности на площади элемента контактного растра.

100