Файл: Страховский Г.М. Основы квантовой электроники учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 205
Скачиваний: 1
Г. M. СТРАХОВСКИЙ, А. В. УСПЕНСКИЙ
ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Д о п у щ е н о М и н и с т е р с т в о м в ы с ш е г о и с р е д н е г о
с п е ц и а л ь н о г о о б р а з о в а н и я С С С Р в к а ч е с т в е у ч е б н о г о п о с о б и я
д л я с т у д е н т о в в у з о в , о б у ч а ю щ и х с я по с п е ц и а л ь н о с т и
« П о л у п р о в о д н и к и и д и э л е к т р и к и »
МОСКВА «ВЫСШАЯ ШКОЛА» 1973
531.9 С 83
УДК 537.311.33 + 537.226 (075.8)
Страховский Г. М., Успенский А. В.
С 83 Основы квантовой электроники. Учеб. посо бие для студентов вузов специальности «Полу проводники и диэлектрики». М., «Высш. шко ла», 1973.
|
|
|
|
312 с. с ил. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Книга состоит |
из трех |
разделов. В первом разделе излага |
|||
|
|
|
ются физические |
основы |
квантовой |
электроники, |
во втором |
||
|
|
|
разделе |
рассматриваются |
приборы |
квантовой |
электроники, |
||
|
|
|
в третьем |
разделе — вопросы использования мощного когерент |
|||||
|
|
|
ного электромагнитного излучения. |
|
|
||||
С |
3312 — |
398 |
124 — 73 |
|
|
|
531.9 |
||
001 |
(01) |
—73 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Рецензентыі
кафедра атомной физики МГУ; докт. техн. наук проф. В. А. Дьяко в
(Московский институт электронного машиностроения)
© Изд-во «Высшая школа», 1973
ПРЕДИСЛОВИЕ
Квантовая электроника — очень молодая наука. Рождение ее от носится к 1954—1955 гг., когда в результате многолетних фундамен тальных исследований независимо и почти одновременно в СССР
Н. Г. Басовым и А. М. Прохоровым и в США группой в составе Дж. Гор дона, X. Цайгера и Ч. Таунса был запущен квантовый генератор на пучке молекул аммиака. Тем самым был открыт новый метод генера ции и усиления электромагнитных волн, основанный на использова нии индуцированного излучения квантовых систем в возбужденном состоянии.
За создание квантового генератора на пучке молекул аммиака со ветским ученым Н. Г. Басову и А. М. Прохорову присуждена Ленин ская премия. А в 1964 г. Нобелевский комитет отметил заслуги двух вышеназванных групп в создании квантовой электроники, присудив Нобелевскую премию по физике советским ученым, ныне академикам, Н. Г. Басову и А. М. Прохорову и американскому ученому Ч. Таунсу.
Интересно отметить, что обе группы физиков работали в области радиоспектроскопии над созданием радиоспектроскопов высокой раз решающей силы. Впоследствии в лекции, прочитанной после вручения ему Нобелевской премии, акад. А. М. Прохоров отмечал, что это совпа дение не было случайным, не было случайным и то, что к идее нового метода усиления и генерации пришли физики, работавшие в области радиоспектроскопии. Именно радиоспектроскопия явилась непосред ственной предшественницей квантовой электроники. Она помогла уста новить структуру уровней, частоты и интенсивности переходов и ре лаксационные свойства веществ. Эти данные в настоящее время важны для квантовой электроники, а сама радиоспектроскопия является одной из составных частей квантовой электроники.
Физики, работавшие в области радиоспектроскопии, с одной сто роны, понимали значение индуцированного излучения; с другой сто
роны, они знали, что если |
система усиливает проходящее излучение, |
то с помощью ее возможно |
создать генератор, но необходима обратная |
связь — резонатор. Вне сомнения, некоторые ученые еще в сороковых годах нашего века понимали, что если атомы привести в возбужденное состояние, то они будут усиливать электромагнитное излучение. Так, еще в 1939 г. советский ученый В. А. Фабрикант указал на возможность экспериментального обнаружения «отрицательной абсорбции» в работе, посвященной изучению оптических свойств газового разряда. Однако
3
в то время никто не говорил о возможности создания квантовых гене раторов. Это предложение не только было осмыслено теоретически, но и реализовано практически лишь в 1954—1955 гг. двумя вышеназван ными группами исследователей СССР и США.
Основные этапы развития квантовой электроники таковы. Вскоре после создания квантового генератора на пучке молекул аммиака было выдвинуто (а затем и реализовано) предложение по созданию кванто вых усилителей на основе парамагнитных кристаллов. Затем квантовая электроника начинает продвигаться в оптический диапазон длин волн. В 1960 г. был запущен первый оптический квантовый генератор на кристалле рубина, положивший начало целому классу генераторов и усилителей на ионных кристаллах и стеклах. Несколько позднее был запущен первый газовый оптический квантовый генератор, а затем квантовые генераторы и усилители на полупроводниках. Появилось и интенсивно развивается новое направление квантовой электроники — нелинейная оптика. Квантовая электроника бурно развивается и в на стоящее время; безусловно, здесь еще будут созданы новые направ ления и получены новые замечательные результаты.
Цель настоящего учебного пособия — систематически изложить основы квантовой электроники для студентов специальности «Полу проводники и диэлектрики».
Книга |
рассчитана |
на читателя, |
имеющего подготовку по |
общей |
|
физике, квантовой |
механике и элементарные знания в области |
радио |
|||
техники. |
|
|
|
|
|
Материал данного учебного пособия логически распадается на три |
|||||
больших |
раздела: |
I . |
Физические |
основы квантовой электроники; |
|
I I . Приборы квантовой электроники; |
I I I . Взаимодействие мощных ко |
||||
герентных |
потоков |
электромагнитного излучения с веществом. |
|
Первый раздел знакомит читателя с физическими основами но вого метода генерации и усиления электромагнитного излучения. Во втором разделе рассмотрены приборы, разработанные квантовой электтроникой, их возможности и применения. В третьем разделе приведены новые направления научных исследований, которые стали возможны в результате разработки квантовой электроникой источников мощного когерентного электромагнитного излучения.
Немного о терминологии. В настоящее время в этом вопросе нет еди нообразия. Даже для названия квантовой электроники часто употреб ляют другой термин— «квантовая радиофизика». Для устройств кван товой электроники в зарубежной литературе наиболее широко исполь зуются термины «мазер» (maser) и «лазер» (laser). Оба эти слова образо ваны начальными буквами целых английских фраз (microwave ampli fication by stimulated emission of radiation — усиление СВЧ излучения с помощью индуцированного излучения и light amplification by stimu lated emission of radiation—усиление света с помощью индуцирован ного излучения).
Словом «мазер» обозначаются квантовые усилители и квантовые ге нераторы радиодиапазона, словом «лазер» — квантовые усилители и квантовые генераторы оптического диапазона.
4
В отечественной литературе, кроме терминов «мазер» и «лазер», используются названия «квантовый усилитель» и «квантовый гене ратор» с указанием диапазона (радиодиапазона или оптического диа пазона). Часто используются сокращения, например, ОКГ — оптиче ский квантовый генератор, ОКУ—оптический квантовый усилитель. Специальная терминология существует для квантовых генераторов и усилителей на основе полупроводников. Например, полупроводнико вый квантовый генератор называют иногда лазерным диодом. В лите ратуре по квантовой электронике встречаются все указанные термины, поэтому авторы не сочли возможным ограничиться какой-либо группой терминов. В отношении остальной терминологии авторы старались сле довать книге «Квантовая электроника» (изд-во «Советская энцикло педия», 1969).
Несколько слов об обозначениях. Для понимания основ квантовой электроники необходимы знания из различных областей физики, где уже установились определенные каноны в обозначениях величин. Ав торы старались по возможности следовать этим канонам, вводя для различения схожих по написанию величин какие-либо индексы. На пример, р ѵ — спектральная плотность энергии поля, р — полная плотность энергии электромагнитного поля, р 3 — плотность зарядов, Рі — плотность состояний, р — матрица плотности, ptJ — элемент матрицы плотности. Особо отметим, что для обозначения напряженностей электрического и магнитного полей использованы два обозна чения: Щ и Е — для напряженности электрического поля и Ж, H -~ для напряженности магнитного поля. Символы Е и Ж использованы либо в общем случае, либо для обозначения напряженностей высоко частотных полей, символы Е и Я обозначают напряженности полей, не зависящих от времени.
Прежде чем излагать основы квантовой электроники, дадим ее оп ределение.
«Квантовая электроника — это область физики, исследующая вза имодействие электромагнитного излучения с электронами, входящими в состав атомов, молекул, твердых тел, и создающая на основе этих ис
следований квантовые |
устройства |
различных диапазонов |
длин волн |
и разных назначений» |
(«Квантовая |
электроника». Изд-во |
«Советская |
энциклопедия», 1969, стр. 13). |
|
|
Авторы
Р А 3 Д Е Л I
Ф И З И Ч Е С К ИЕ О С Н О В Ы КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Г Л А В А 1
О С Н О В Н Ы Е Ф И З И Ч Е С К И Е П О Н Я Т И Я
КВ А Н Т О В О Й Э Л Е К Т Р О Н И К И
§1.1. Энергетические уровни квантовых систем. Спонтанное и индуцированное излучение.
Коэффициенты Эйнштейна
Вклассической электронике (электронные лампы, клистроны, маг
нетроны) усиление и генерация электромагнитных волн происходят за счет к и н е т и ч е с к о й энергии электронов. В квантовой элект ронике усиление и генерация электромагнитных волн происходят за счет изменения в н у т р е н н е й энергии атомов, молекул, ионов и т. д. В дальнейшем, в тех случаях где не будет требоваться детальная конкретизация, будем говорить просто о частицах и их внутренней энер гии.
Из квантовой механики известно, что внутренняя энергия частиц квантована, т. е. может принимать ряд определенных дискретных зна чений, называемых в физике энергетическими состояниями, или энер гетическими уровнями. Самый нижний энергетический уровень (внут
ренняя энергия |
частицы наименьшая) носит название |
о с н о в н о г о . |
|
Остальные энергетические уровни соответствуют более |
высокой |
внут |
|
ренней энергии |
частицы и носят название в о з б у ж д е н н ы |
х . |
Когда говорят, что частица перешла с одного энергетического уров ня на другой, то имеют в виду, что внутренняя энергия частицы изме нилась на величину, равную разности энергий этих энергетических уровней. При переходе на более высокий энергетический уровень ча стица поглощает энергию, а при переходе на более низкий — отдает.
Эти переходы могут быть как и з л у ч а т е л ь и ы м и, т. е. пе реходами с и з л у ч е н и е м или п о г л о щ е н и е м электромаг нитного излучения (они и будут рассмотрены ниже), так и безизлучательными. Рассмотрим в первую очередь взаимодействие электромаг нитного поля с частицами (веществом). Здесь квантовая электроника оперирует двумя фундаментальными физическими понятиями — спон танного и индуцированного излучения.
Представим себе частицу с двумя |
энергетическими состояниями |
||
(уровнями) m и п, соответствующими |
значениям |
внутренней энергии |
|
Wmn Wn. Пусть для определенности |
Wm> |
Wn, |
т. е. энергетический |
6