Файл: Кремниевые планарные транзисторы..pdf

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 194

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

Список

литературы

 

 

 

 

 

 

 

 

1. Основы

технологии

кремниевых

интегральных схем. Окисление,

диффу­

 

зия, эпитаксия. Под ред. Р .

Бургера

и Р . Донована.

Пер. с

англ.

 

Под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса, М., «Мир», 1969.

 

2.

П р е с с

Ф.

П.

Фотолитография

в

поизводстве

полупроводниковых

 

приборов. М., «Энергия», 1968.

 

 

 

 

 

 

 

3.

S c h u e t z e

H . ,

H e n n i n g s

К-

Large area masking with patterns

 

of micron and submicron element

size. — «Semiconductor

Products»,

 

1966, v. 9, № 7, p. 31—35.

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Diffusion

characteristics

and

application of doped

silicon

dioxide

layers

 

deposited from silane

(SiH4 ). —«RCA

Review»,

1968,

v.

29,

№ 4,

 

p. 533—548. Aut . : A. W . Fisher, J. Amick, H . Hyman, J. H . Scott.

5.

Физика тонких пленок.

Под

общей

ред. Г. Хасса

и Р . Э. Туна. Пер.

 

с англ. Под ред. В. Б . Сандомирского

и А. Г. Ждана . T. I V , М., «Мир»,

с.303—386.

6.Local oxidation of silicon and its application in semiconductor device

 

technology. — « P h i l i p s

Research

Reports»,

1970,

v. 25,

№ 3, p. 118—

 

132. Aut . : J. A. Apples, E. Kool,

M . M .

Paffen,

J.

J.

H .

Schatcrje,

 

W. H . C. G. Verkuylen.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

С h u

T.

L . L e e

С. H .

G r u b e r

G.

A. The preparation

and proper­

 

ties

of

amorphous

silicon nitride

films. — «J. Electrochem.

Soc.»,

1967,

 

v. 114, № 7, p. 717—722.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.

С о h e n

 

R.

S.,

M o u n t a i n

 

R.

W.

S i 3 N 4

— masked

thermally

 

oxidized

postdiffused mesa process (SIMTOP). — « I E E E

Trans.»,

1971,

 

v. ED-18, № 1, p. 54—57.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.

С a h e n

 

O.,

P i c q u e n d a r

J.

E.

Application

 

des

techniques

élect­

 

roniques et ioniques a la reduction

 

des

dimensions

 

des composants

semi­

 

conducteurs. — «L'Onde

électrique»,

1970, v. 50,

№ 9, p. 768—772.

 

10.

Б о л T a к с

Б .

И.

Диффузия

 

в

полупроводниках,

М.,

Физматгиз,

 

1961.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11.

F u l l e r

С.

S.,

D i t z e n b e r g e r

J.

A.

Diffusion

of

boron

and

 

phosphorus in Silicon. — «J. Appl .

 

Phys.»,

1954, v. 25, № 11, p.

1439—

 

1440.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.

F u 1 1 e г

C.

S.,

D i t z e n b e r g e r

J.

A.

Diffusion

of donor accep­

 

tor

elements

in Silicon,

— «J. Appl . Phys.,»,

1956,

v. 27, №

5, p. 544—

 

553.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13.

T a n n e n b a u m

E.

 

Detailed

 

analysis

of

thin

phosphorus-diffused

 

layers in p-type

silicon. — «Solid

 

State

Electronics»,

1961, v.

2, p.

 

123—132.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14.

К u r t z

A.

D . ,

Y e e

R.

Diffusion of boron

in

silicon. — «J. Appl .

 

Phys.,», 1960, v.

31, № 2, p. 303—305.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15.

M a e k a w a

S.,

О s h i d a

F.

 

 

Diffusion

of

 

boron

in

silicon. —

 

«J. Phys. Soc. of Japan»,

1967, v. 19, № 3, p. 253—257.

 

 

 

16.

С h a n g

J.

J. Concentration-dependent

diffusion

of boron and phospho­

 

rus

in

Silicon, — « I E E E

Trans.»,

1963,

v. ED-10, №

6, p. 357—359.

17.

J о s h i

 

M .

L . ,

W i l h e l m

F.

Diffusion-induced

imperfections in

 

silicon. — «J. Electrochem. Soc»,

1965, v. 112,

№

2,

p. 185—188.

18.J о s h i M . L . , D a s h S. Dislocation induced deviation of phospho­ rus—diffusion profiles in silicon. — «IBM J. Research and Development», 1966, v. 10, № 6, p. 446—454.

19.

Mc D o n a l d

R.

A . , E h 1 e n b e r g e r

G. G.,

H u f f m a n

T. R.

 

Control

of diffusion

induced

dislocations

in phosphorus diffused

Silicon. —

20.

«Solid

State Electronics», 1966, v. : 9,

№ 8, p. 807—812.

silicon. —

T s a i

С.

C. j

J.

Shallow

phosphorus

diffusion

profiles in

 

«Proc.

I E E E » ,

1969,

v. 57,

№ 9,

p.

1499—1606.

 

 

 

21. С о h e n

B. G.,

T r e t о 1 a

A.

R.

 

Impurity

interaction and

damage

 

in double

diffused

layers on

silicon. •— «Solid

State Electronics», 1967,

 

v. 10, № 6, p. 555—557.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

22.

A t a 1 1 a

M . M . ,

T a n n e n b a u m

 

E.

Redistribution of

impuri-

323

ties

and

formation

junction

in

silicon

by

thermal

oxidation.

— «Bell

Syst. Techn. J.», 1 9 6 0 ,

July, v. X X I X ,

№

4, P .

9 3 3 — 9 4 6 .

 

 

 

2 3 . К a

t о

T., N i s h

i

Y . Redistribution of

diffused

boron in

silicon

by

thermal

oxidation.

— «Japan .

J.

Appl .

Phys.»,

1 9 6 7 , July,

v.

3 ,

№ 7 ,

p.3 7 7 — 3 8 3 .

2 4 .

С h

e n

W.

H . ,

C h e n

 

W.

S.

Impurity

redistribution

in a

semicon­

 

ductor during thermal oxidation.

— «J. Electrochem. S o c » ,

1 9 6 7 ,

v. 1 1 4 ,

2 5 .

№ 1 2 , p.

1 2 9 7 — 1 3 0 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С a

V e

К-

I .

S.

The

base

diffusion

profile

arising

from

boron

redistri­

 

bution

in the

oxide —

a

useful

approximation, — «Solid

State

Electro­

2 6 .

nics»,

1 9 6 5 ,

v.

8 ,

№

 

1 2 ,

p.

9 9 1 — 9 9 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V i с

к

L . ,

W h i t t l e

 

 

К.

 

M . Solid solubility and

diffusion

coeffici­

 

ents

of

boron

in

silicon. — «J. Electrochem.

 

Soc.»,

1 9 6 9 ,

 

v.

1 1 6 ,

 

№ 8 ,

2 7 .

p. 1 1 4 2 — 1 1 4 4 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G e r e

t

h

R.,

L o o n

 

van

P.

G.

G.,

 

W i l l i a m s

 

V .

Localized

 

enhanced diffusion

in

n-p-n

silicon

structures. —

«J.

Electrochem.

Soc.»,

2 8 .

1 9 6 5 , v.

1 1 2 , № 3 , p.

3 2 3 — 3 2 9 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G e r e t h

R.,

S c h w u t t k e

G.

H .

 

Localized

enhanced

diffusion

 

in n-p-n

silicon

transistors. —

«Appl.

Phys.

 

Lett.»,

 

1 9 6 6 , v.

8 , № 3 ,

 

p. 5 5 — 5 7 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 9 . L a w r e n c e

 

J.

 

E.

 

The

 

cooperative

 

diffusion

 

effect. — « J .

Appl .

3 0 .

Phys.»,

1 9 6 6 ,

v.

3 7 ,

 

№

 

1 1 ,

p. 4 1 0 6 — 4 1 1 2 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эффект

вытеснения

базовой

примеси

при

 

создании

эмиттера

в

кремнии

 

я-типа.— В кн. Сборник трудов

по

полупроводниковым

материалам,

 

приборам

и их применению. Воронежский

политехнический

институт,

 

1 9 6 8 .

Авт.: М. А. Акимов,

Н. Ю. Дыбовская,

И. Ф. Дымов,

Г. В. Сонов,

3 1 .

Б . Л . Толстых.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B a r r y

M .

L . ,

О

l o f

s e n

 

P.

 

Doped

oxides

as

diffusion

sources.

 

I .

Boron in Silicon — «J . Electrochem. Soc.»,

1 9 6 9 ,

v. 1 1 6 ,

№

6 ,

p.

8 5 4 —

3 2 .

8 6 0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В г о w n

D.

M . ,

K e n n i c o t t

 

P.

R.

Glass

source

В

diffusion

in

3 3 .

Si

and

S i 0 2 . — «J. Electrochem. Soc.»,

1 9 7 1 ,

v. 1 1 8 ,

№

2 ,

p.

2 9 3 — 3 0 0 .

В a r r y

M .

L .

Doped

oxides

as

 

diffusion

sources

I I . Phosphoro-

 

rous into silicon. —

«J. Electrochem. Soc.»,

 

1 9 7 0 , v.

 

1 1 7 ,

№

1 1 ,

p. 1 4 0 5 — •

 

1 4 1 0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 4 .

С о

1 1 i n s

С.

В . ,

C a r l s o n

R.

 

О.,

G a l l a g h e r

С.

J.

Proper­

 

ties of gold-doped silicon. —

«Phys.,

Rev.»,

1 9 5 7 ,

v.

1 0 5 ,

№ 4 , p.

 

1 1 6 8 —

 

1 1 7 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 5 .

W

i 1 с о x

W.

R.,

 

La

C h a p e l l e

T.

J.

Mechanism

of gold

diffu­

 

sion

 

into

silicon.

—

«J.

Appl .

Phys.»,

1 9 6 4 ,

v.

3 5 ,

№

1,

p.

2 4 0 — 2 4 6 .

3 6 .

S p r о с e

1

С.

J.,

 

F a i r f i e l d

 

J.

M . Diffusion

of

gold into

silicon

 

crystals. —

«J.

Electrochem.

S o c » ,

1 9 6 5 ,

v.

1 1 2 ,

p.

2 0 0 — 2 0 3 .

 

 

 

 

3 7 .

В u

1 1 i s

W .

M .

Properties

of

gold in

silicon. — «Solid

State

Electro­

 

nics»,

1 9 6 6 ,

v.

9 ,

№

2 ,

p.

1 4 3 — 1 6 8 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 8 .

Р Ы Б К И Н

 

С.

 

M .

 

Фотоэлектрические

 

явления

 

в

полупроводниках.

3 9 .

М.,

 

Физматгиз,

 

1 9 6 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В e m s k i

 

G.

 

Recomination

properties

 

of

gold

 

in

silicon. — «Phys.

4 0 .

Rev.»,

1 9 5 8 ,

v.

I l l , №

 

6 ,

p.

1 5 1 5 — 1 5 1 8 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D a v i s

W.

D .

Lifetimes

and

capture cross sections in

gold

doped

si­

4 1 .

licon. — «Phys.

Rev.»,

1 9 5 9 ,

v.

1 1 4 ,

№

4 ,

p.

1 0 0 6 — 1 0 0 8 .

 

 

 

 

 

 

F a i r f i e l d

 

J. M . ,

 

G 0 k

h

a I e

В .

 

V.

 

Gold

as

recombination

cent­

4 2 .

re in silicon. — «Solid

State

 

Electronics»,

1 9 6 5 ,

v.

8 ,

p.

6 8 5 — 6 9 1 .

 

 

В a k a n о w s k

i

A. E.,

F o r s t e r

J.

H .

Electrical

properties

of

 

gold-doped

diffused silicon

computer

diodes. — «Bell

Syst. Tech. J» . ,

1 9 6 0 ,

4 3 .

v.

3 9 , № 1, p.

8 7 — 1 0 4 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К а р с л о у

 

Г.,

Е г е р

 

Д .

Теплопроводность

твердых

тел.

 

Пер .

4 4 .

с англ. Под ред. А.

А. Померанцева. М.,

 

«Наука»,

1 9 6 4 .

 

 

 

 

 

 

T h о m a s

R.

Е.,

 

В о о t

h г о у d

A.

 

R.

Determination of

a physi­

 

cal

 

model

for

double

 

diffused

transistors. — «Solid

State

Electronics»,

 

1 9 6 8 , v.

1 1 , № 3 , p.

3 6 5 — 3 7 5 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~:

3 2 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45.Дрейфовые полупроводниковые приборы. [Сборник статей]. Пер. с англ.

инем. Киев, Гостехиздат УССР, 1960, с. 5—49.

46. С п и р и д о и о в

Н.

С , В е р т о г р а д о в В. И. Дрейфовые

транзисторы. М.,

«Сов.

радио», 1964.

47.С а м о х в а л о в M . М. Германиевые сплавные диффузионные триоды,

М., Госэнергоиздат, 1962.

48.

Г о р б у н о в

Ю. И., М а л и н

Б .

 

В. Вычисление коэффициента ин-

 

жекции

дрейфового

транзистора

с

 

учетом

внутренних

 

статических

 

полей

в

эмиттере и

базе. — В

кн.

Микроэлектроника.

 

Под

ред.

 

Ф. В. Лукина . Вып. 2, М., «Сов. радио», 1968, с. 160—182.

 

 

 

49.

M о 1 1

J.

L . , R о s s

I . M . The

dependence of

transistor

 

parameters

 

on the distribution of base layer

resistivity. — «Proc.

IRE»,

 

1956, v. 44,

 

№ 1, p. 72—78.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50.

L u g a n о

Т.,

К о s h i g a

F.

The

calculation

of

cut-off

 

frequencies

 

of minority-carrier transport

factors

in

drift transistors when

 

the

 

mobi­

 

lities are not constant. — «Proc.

IRE»,

1961, v. 49, № 7, p.

1218.

 

51. С a u g h e y

D.

 

M . ,

T h o m a s

 

R.

 

E.

Carrier

mobilities

in

silicon

 

empiricaly

related

to

doping

and

field. — «Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55,

 

№ 12, p. 2192—2193.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

К о л о с о в

А.

А.,

Г о р б у н о в

Ю.

И.,

Н а у м о в

Ю. Е.

По­

 

лупроводниковые

твердые схемы. М., «Сов. радио»,

1965.

 

 

 

 

53.П и к у с Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М., «Наука», 1965.

54. I w e r s е n

J. Е.,

B r a y A. R., К l e i m a c k J.

J., Low-cur­

rent alpha

in silicon

transistors. — «IRE Trans.», 1962,

v. ED-9, № 6,

p. 474—478.

 

 

55.R e d d i V . G. K- Influence of surface conditions on silicon planar transistor current gain. — «Solid State Electronics», 1967, v. 10, № 4, p. 305—334.

56.

T a n n e n b a u m

 

M . , T h o m a s

R. E. Diffused

emitter and

base

 

Silicon transistor. — «Bell Syst. Tech. J.», 1956, v. 35,

№

1, p.

1—22.

57.

К e n n e d y

D.

P.,

M u r 1 e у

P.

C.

Minority carrier

injection

cha­

 

racteristics

of

the

diffused

emitter

junction. — «IRE

Trans.»,

1962,

 

v. ED-9, № 2, p. 136—142.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

58.

К 1 e i n

M .

Injection

 

efficiency

in

doublediffused transistors. — «Proc.

 

IRE», 1961, v. 49,

№

11, p.

1708.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

59.

F 1 e t с h e r

N .

H . Some aspects of the design of power

transistors. —

 

«Proc. IRE», 1955, v. 43, № 5, p. 551—559.

 

 

 

 

 

 

 

60.

H a u s e r

J.

 

R.

 

The

effects

of

distributed

base potential

on

emitter-

 

current injection density and effective

base resistance for stripe

transistor

 

geometries. — « I E E E

Trans.»,

1964,

v. ED-11,

№ 5 ,

p. 237—242.

61. П е т р о в

 

Б .

K-, С ы н о p о в

В .

Ф.

Влияние

распределенного

 

сопротивления базы на плотность эмиттерного тока в дрейфовых трио­

 

дах

с круговым

эмиттером. — «Известия вузов

СССР.

Физика»,

1969,

 

 

1, с. 7—11.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

62.

E m e i s

R.,

H e r l e t

A.,

S p e n k e

R.

The

effective emitter

area

 

of

power

transistors. — «Proc.

IRE»,

1958, v. 4, №

6,

p. 1220—1229.

63.

G о g u e

J.

 

M . Les transistors haute frequence

de puissance:

problems

 

fondamentaux. — «L 'Onde Electrique»,

1965, t. 45, №

456, p. 341—347.

64.

H о с h m a n

 

H .

 

T.,

 

H j e 1 1 e

D.

Optimizing transistor

parameters

 

in integrated

circuits. — «Semiconductor

Products

and

Solid

State

Tech­

 

nology», 1966,

v. 9, №

 

9, p. 42—47.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

65.Расчет и проектирование полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Под ред. Г. Д . Глебова. М., Оборонгиз, 1963.

66.

К i r к

С.

Т.

A theory of

transistor

cutoff frequency (it) falloff at high

 

current

densities. — «IRE

Trans.»,

1962, v. ED-9,

№ 2 , p. 164—174.

67.

N а к a h a r a

O.,

G a t о

K-,

M i t a n i

F.,

S u n a g u с h i

F.

 

The effect

of

width

collector

depletion layer

on drift

transistor characte­

 

r i s e s . — «Japanese

J. Appl .

Phys».

1963, v. 2, № 4, p. 233—238.

 

68.

W a i t

J.

T., H a u s e r

 

J.

R.

Beta

falloff

in

transistors at

high

 

collector currents. — «Proc.

 

IEEE»,

1968,

v. 56,

№

11, p. 2087—2088.

325

69.

С а 1 z о I a r i

P. V . ,

G r a f f i S. Influence of the

emitter crowding

 

effect

on the

current falloff in junction

transistors. — «Acta Frequenza»,

 

1969,

v. 38,

№ 8, p. 595—598.

 

 

 

 

 

 

70.

С a 1 z о 1 a r

i

P.

V . ,

G r a f f i

S.

On beta falloff

in transistors. —

 

«Proc.

I E E E » ,

1969,

v. 57, № 7,

p.

1293—1297.

 

 

71.

П е т р о в

Б .

K-,

С ы н о р о в

В.

Ф.

Некоторые

свойства

дрейфо­

 

вых триодов при больших токах коллектора. Депонированная в Н И И Э И Р

 

рукопись, Д - 741, 1968.

 

 

 

 

 

 

72.

Д а н и л и н

В. Н.,

Ф и л а т о в

А.

А.

Ч е р н я в с к и й

А. А.

 

Исследование механизма спада усиления транзистора при увеличении

 

тока эмиттера. — В кн.: Полупроводниковые

приборы и ихприменение .

 

Под ред. Я- А. Федотова. Вып. 21. М., «Сов.

радио»,

1969, с. 118—140.

73.R у d e г Е. J. Mobility of holes and electrons on high electric fields. — «Phys. Rev.», 1953, v. 90, № 5, p. 766—769.

74.

P a l s

J. A . ,

de

G r a a f f

H . C.

On the behaviour

of the base collec­

 

tor junction of a transistors at high collector

current

densities. —

«Phi­

 

lips

Research

Reports», 1969, v. 24,

№

1, p.

53—69.

 

 

 

 

 

75.

V a n

 

d e r

Z i e l

A . , A g o u r i d i s

D.

The

cutoff

frequency

fal­

 

loff

in

V H F

transistors at

high currents. — «Proc.

I E E E » ,

1966,

v. 54,

 

№ 3,

p. 411—412.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

76.

W h i t t i e r

R.

J., T r e m e r e

D.

A .

Current

gain

and

cutoff

 

frequency falloff

at high

currents.

— « I E E E

Trans.»,

1969, v.

ED-16,

№ 1, p. 39—57.

77.С т е п а н е н к о И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М., «Энергия», 1967.

78.

D a s

M .

В . ,

 

В о о t h г о у d

A.

R.

On

the

frequency

dependence

 

of the magnitude of common-emitter current gain of graded base transis­

 

tors. — «Proc.

IRE»,

1960, № 2, p. 240—241.

 

 

 

 

 

 

 

 

79.

Ф е д о т о в

 

Я-

А.

Основы

физики

полупроводниковых

приборов.

 

М., «Сов. радио», 1969.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

80.

К p а с и л о в

А. В . , T p у т к о

А.

Ф. Методы

расчета транзисторов.

 

М., «Энергия», 1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

81.

G a y

M .

J.

 

Base resistance

in silicon

planar

transistors. — «Electro­

 

nics Letters»,

1965, v.

1, №

7, p. 212—213.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

82.

R e y

G.

Sur

 

l'identification

 

de

l'impédance

d'entrée

d'un

transistor

 

plan

a'geometrie

circulaire. — «C. R. Acad. Sei.»,

1967,

t. 265,

Serie

В,

 

№ 4, p. 222—225.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

83.

В e a 1 e

 

J.

R.

A . ,

S I a t

t e r

J. A. G. The

equivalent

circuit

of

 

a transistor

w i t h

a

lightly

doped

collector

operating

in

saturation. —

 

«Solid State Electronics», 1968, v. 11., p. 241—252.

 

 

 

 

 

 

84.

В u h a n a n

 

D.

Investigation

of

current-gain

 

dependence

in

silicon

 

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1969,

v. ED-16,

№ 1, p. 117—124.

 

 

85.

Б л e к м о р

 

Д ж .

Статистика

электронов

в

полупроводниках.

Пер.

 

с англ. М., «Мир», 1964.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

86.

P e а r s о n

G.

L . ,

В a r d e e n

J.

Electrical

properties

of

pure

sili­

 

con and

silicon

alloys, containing boron

and phosphorus. — «Phys. Rev.»,

 

1949, v.

75, №

5,

p. 865—883.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

87.Ф и с т у л ь В. И. Сильно легированные полупроводники. М., «Нау­ ка», 1967.

88.

К 1 e p p i n g e r

D.

D . , L i n d h о 1 m F. A.

Impurity

concentration

 

dependent

density

of

states

and

resulting Fermi

level for

silicon. •— «So­

 

lid State

Electronics», 1971, v.

14, № 5, p. 407—416.

 

 

 

89.

М о р и н ,

М а и т а

Д ж .

Электрические свойства кремния

с

примесью

 

мышьяка

и бора. Пер. с англ. — В кн . : Проблемы физики

полупровод­

 

ников. Под ред. В. Л . Бонч - Бруевича, М., Изд-во И Л , 1957, с. 96—106.

90.

К и p e е в

П. С.

Физика

полупроводников.

М., «Высшая

школа»,

 

1969.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

91. Г л и и ч у к

К- Д . Рекомбинация носителей тока на примесных

центрах

 

в германии

и кремнии. — В кн.: Актуальные вопросы физики

полупро­

 

водников

и полупроводниковых

приборов. Под ред. С. П.

Кальвенаса.

Смотрите также файлы