Файл: Кремниевые планарные транзисторы..pdf

207.

К a u- a m u г а

T.,

S h і п о d a

D . , M u t a

H .

Oriented growth

1967,

v.

11, №

3,

p.

101 — 103.

208.

К а м о с и д а

М о т о а к и ,

О к а д а

Т а к а с и .

Контакты

из си­

лицида

платины

для

кремниевых

полупроводниковых

приборов. —

«Дэнси цусин

гаккай

ромбунси».

(«Trans.

Inst.

Electron, and Commun.

Eng. of Japan»), 1969,

C52,

№ 8,

p. 490—497

(японск.).

209.

«Microwaves»,

1968, v. 7, № 9, p. 104—106.

210.

T h o r n t o n

C.

G.,

S i m m o n s

C.

D .

A

new

high

current

mode

of transistor

operation. — «IRE

Trans.»,

1958, v. ED-5, №

4,

p.

6—10.

211.

S c a r l e t t

R. M . , S h o c k l e y

W.

Secondary

breakdown

and

hot

spots

in

power

transistors. — « I E E E

Internat. Conv. R e e » ,

1963.

Pt. 3,

v. 11, p. 3—13.

212.

B e r g m a n n

F.,

G e r s t n e r

D .

Thermish

bedingte

Stromeinsch­

nürung bei Hochfrequenz—Leistungstransistoren. — «Arch.

Elekt. Über­

tragung», 1963, Bd . 17, Oktober, S. 467—475.

213.

W e i t z s c h

F. A discussion

of some known physical models for

second

breakdown. — « I E E E

Trans.»,

1966,

v. ED-13,

№ 1 1 ,

p. 731—734.

214.

S t e f f e

W.

C ,

Secondary

breakdown

in power transistors

and

cir­

cuits.

I E E E

International

Convention

Record.

Pt.

6. — «Solid

State

Circuit and Devices», 1967, v. 15, p. 20—24.

215.

G a u d e 1

H .

Etude

du

«Second

claquage»

des

transistors. — «Cables

and Transmiss.»,

1969, 23e

A, №

4,

p. 366—385.

216.

F o r d

G.

M .

Collector

to

emitter

breakdown

related

to

thermal

runaway

in

homogeneons

base

germanium

power

transistors. — «Solid

State

Design»,

1963, v. 4, p. 29—36.

217.

J o s e p h s

H .

C.

Analysis of second

breakdown

in transistors

using

a simple model. — « I E E E

Trans.»,

1966, v . ED-13, №

11,

p. 778—787.

218.

G r u t c h f i e l d

H .

B.

M o u t o u x

T.

J.

Current

mode [second

breakdown

in

epitaxial

planar

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1966,

v. ED-13,

№ 11, p. 743—748.

219.

H о w e r

P.

L . ,

R e d d i

V .

G.

K-

Avalanche

injection

and

second

breakdown

in

t r a n s i s t o r s . — « I E E E

Trans.», 1970, v. ED-17,

№

4, p. 320.

220.

И с а о И н о у э ,

К о д з у о К у с у н о к и и

др . Высокочастотные

мощные

кремниевые

транзисторы. — «Мицубиси

Дэнки

Гихо»,

1969,

т. 43, № 6, с. 786—791 (японск.).

221. S с h a f f t.

H .

A .

Second breakdown — a comprehensive

review. —

«Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55, № 8, p. 1272—1288.

222.

N a v о n

D . ,

L e e

R. E. Effect

of

non-uniform

emitter

current

distribution

on

power transistor

stability.

— «Solid

State

Electronics»,

1970, v. 13, №

7, p. 981—991.

223.

N i e n h u i s

R.

I . Second

breakdown

in

the

forward

and

reverse

base current region . — «IEEE

Trans.»,

1966, v. ED-13, № 8/9, p.

655—662.

224.

N a v о n

D . ,

M i l l e r

E.

A.

Thermal

instability

in power

transistor

structures.

— «Solid State

Electronics»,

1969,

v. 12,

№

2,

p. 69—78.

225.

O d a

H .

The area

of

safe operation of transistors

for switching

opera­

tion. — « I E E E

Trans.», 1966, v. ED-13, №

11, p. 776—777.

226.

B e r g m a n n

F.,

G e r s t n e r

D .

Some

new

aspects of

ther­

mal instability

of

current

distribution

in

power

transistors. —

« I E E E

Trans.», 1966, v. ED-13, № 8/9, p. 630—634.

227.

K i s a k i

H i t o s h i .

The

relation

between

the

current

construction

and the

area

of

transistor.—«Proc.

I E E E » ,

1969, v. 57, № 2,

p. 218—219.

229.

S p i t z e r

S. Thermal

instabilities

l i m i t i n g power

dissipation

in

transistors . — «Solid State Electronics»,

1969, v . 12, № 5, p. 433—437.

230.

T a t u m J.

G.

Circuit

improvements

utilizing the

new resistor

sta­

bilized vhf power

transistor.—«Proc. Nat.

Electr. Conf.»,

1965, v. 31, p. 73.

резисторами. •— «Электронная

техника.

Сер. 2.

Полупроводниковые

приборы»,

1972, вып. 5 (69), с. 19—30. Авт.: В . И. Диковский

и др.

236.

S t e f f e

W .

C ,

L e

C a l l

J.

Thermal

switchback

in

high ft

epi­

taxial

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1966, v.

ED-13, №

8/9,

p. 635—638.

237.

F o d o r

G.,

C a u s s e

J.

Realisation

et

propriétés

de

transistors

de

puissance

avec

resistances

incorporées. — «L'Onde Electrique»,

1971,

v.

51, fasc. I , p. 57—66.

238.

H a k i m

E.

B.

A n advancement

in

transistor

second

breakdown

performance

using

molybdenum

metalization. — « I E E E

Trans.»,

1968,

v. R-17, № 1, p. 45—50.

239.

R e i c h

В . , H a k i m

E.

В .

M a 1 i n о w s k i

G.

RF

power

tran­

sistors

for

reliable

communications

systems. — « I E E E

Trans.»,

1970,

v.

ED-17, №

9, p. 816—818.

(Correspondence).

240.

Мощные высокочастотные кремниевые транзисторы с выходной мощ­

ностью 20 и 40

Вт на частоте 175 МГц, работающие на рассогласованную

нагрузку . «Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы»,

1972, вып. 5(69), с. 42—47. Авт.: В. С. Горохов, Ю. В.

Хорошков,

С. С. Булгаков и др.

241. H о й с,

Б о н ,

Ч и а.

Приборы

с барьером

Шоттки

в интегральных

схемах. •— «Электроника»

(пер. с англ.),

1969,

т. 42,

№ 15,

с. 3-—10.

242.

R h о d e r i с k

E.

H .

The

physics

of

Schottky

barriers. —

«Journal

of

Physics», D (Appl. Phys.), 1970, v.

3, p. 1153—1163.

243.

В e r g h

A . A . ,

В a r t о 1 о m e w

C.

Y .

The

effects of

heat

treat­

ment

on transistor

low current

gain

w i t h

various

ambients

and

conta­

mination. — «J. Electrochem. Soc.»,

1968,

v. 115, № 12, p.

1282—1286.

244.

H u g h e s

K-

L .

Stabilization of

p-n-p

transistors. — «The

Radio

and Electronic Engineering»,

1970, v. 39, № 6, p. 341—344.

ронная техника. Сер.

2.

Полупроводниковые

приборы»,

1969,

вып.

6 (49), с. 15—21. Авт.: М. А. Берников, Л . Ф. Иоффе и др.

248.

Тонкие пленки

кремния. Получение,

свойства

и

применение

в прибо­

р а х . — «ТИИЭР» (Пер. с

англ.),

1969,

т. 57,

№

9,

с. 28—37,

Авт.:

Эллинсон,

Дамин,

Хейман

и др.

249.

Бескорпусный

высокочастотный

транзистор

с

жесткими

выводами

для

гибридных

интегральных

схем. — «Электронная

техника.

Сер. 6,

Микроэлектроника»,

1970,

вып.

1,с. 108—112. Авт.: Г. Ф.

Васильев,

В. Н. Костин, И. К. Назаров и др.

п*-р-п-п+

250. Бескорпусный быстродействующий кремниевый планарный

транзистор,

герметизированный

стеклом. — «Электронная

техника .

Сер.

2. Полупроводниковые

приборы»,

1968,

вып. 4(42),

с.

11—31.

Авт.: В. Н. Гладкий, А. А. Игнатьев,

Ю. Д . Лебедев и др.