Файл: Кремниевые планарные транзисторы..pdf

Вильнюс, 1969,

с. 99—112.

(Лит. респ.

правление

НТО

приборпром,

ин-т физики полупроводников АН Лит. ССР).

92.

Температурная

зависимость

коэффициента

усиления

в

кремниевых

планарных транзисторах. — «Радиотехника

и электроника»,

1971,

т. 16,

№ 7, с. 1299—1301, Авт.: Э. П. Сосина,

Б . К- Петров,

С. А. Толстых,

В. Ф. Сыноров.

93.

S a h

S.

T.,

N о у s e R.

N . ,

S h о с k 1 e y

W.

Carrier

generation

and recombination in p-n junctions and p-n junctions characteristics, —

«Proc.

IRE»,

1957,

v. 45,

№ 9,

p.

1228—1243.

94.

Q r о V e

A.

S.,

F i t z g e r a l d

D.

J.

Surface effects on p-n charac­

teristics of surface

space-charge regions under

non-equlibrium conditions. —

«Solid

State

Electronics»,

1966,

v. 9, p.

783—806.

95.

F i t z g e r a 1 d

D. J.,

G r o v e

A.

S.

Surface

recombination in

semiconductors. — « I E E E

Trans.»,

1968,

v. ED-15, № 6, p. 426—427.

96.

S h о с k 1 e y

W.

Problems

related

to p-n junctions

in silicon. — «Solid

State Electronics»,

1961, v. 2, №

1, p. 35—67.

97.

H a h n

L . A. The saturation characteristics

of high-voltage transistors. —

«Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55, № 8,

p.

1384—1388.

98.

E b e r s

J.

J.,

M o l l

J.

L .

Large signal behavior of junction

tran­

sistors. — «Proc.

IRE», 1954, v. 42,

№

12, p.

1761 — 1772.

99.

X у д о б я к. Относительно

статического

напряжения

насыщения

пере­

хода коллектор—эмиттер транзистора со слаболегированным

коллектором.

— «ТИИЭР» (Пер. с англ.),

1969, т. 57,

№

3,

с. 164—165.

100. А г а х а н я н

Т.

М.

Переходная

и

частотно-фазовая характерис­

тики коэффициента передачи тока дрейфового триода. — «Радиотехника»,

1959,

т. 14,

№

12,

с. 38—43.

113.

K a n e

E.

Theory

of

tunneling. — «J.

Appl . Phys.»,

1961,

v. 32,

№ 1, p.

83—91.

114.

L e e

C.

A . ,

L o g a n

R.

A . ,

B a t d o r f

R.

L .

Ionization rates

of holes

and electrons

in silicon. — «Phys.

Rev.»,

1964, v.

134,

№

ЗА,

p. A761.

115.

T а г e p

А.

С , В а л ь д - П e р л о в

В. М. Лавинно-пролетные

диоды и их применение в технике СВЧ . М., «Сов. радио»,

1968.

116.

С h у n о w e t h

A .

G.

Ionization rates

for

electrons

and

holes

in si­

licon. — «Phys.

Rev.»,

1958, v. 109, № 5,

p.

1537—1540.

117.

К в я т к е в и ч

И.

И., Т р у т к о

А.

Ф., Д о р о ф е е в

А.

А.

Лавинный пробой и барьерная емкость р-п

перехода. — «Электронная

техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы»,

1968, вып. 1, с. 59—111.

118.

V a n O v e r s t r a e t e n

R.

and

D e

M a n

H .

Measurement

of the ionization rates in diffused silicon

p-n junctions. — «Solid State

Electronics»,

1970, v. 13, № 5, p. 583—608.

119.

L e i s t i k о

О., G r o v e

A .

S.

Breakdown voltage of planar

silicon

junctions. — «Solid State

Electronics»,

1966,

v. 9, p. 847—852.

120.

M a s e r

j i a n

I . Determination

of

avalanche

breakdown

in p-n

junc­

tions. — «J. Appl . Phys.»,

1959, v.

30.

№

10, p.

1613—1614.

121.

M с

K a y

К.

G.

Avalanche

breakdown

in silicon. — « P h y s .

Rev.»,

1954, v. 94, № 4, p. 877—884.

122.

M i l l e r

S.

L .

Ionization rates

for

holes

and

electrons

in

Silicon. —

«Phys. Rev.»,

1957,

v. 105,

№ 4, p.

1246—1249.

123.

K e n n e d y

D.

P.,

O ' B r i e n

R.

R.

Analysis

of the

impurity

atom

distribution near

the diffusion

mask

for

a planar p-n

junction. —

«IBM

Journal of Research and Development», 1965, v. 9,

№ 3,

p. 179—186.

124.

N a k a m u r a

K.

Avalanche

breakdown

voltages of selectively

dif­

fused

p-n

junction. — «Japanese

J.

Appl .

Phys.»,

1967,

v.

6,

№ 3,

p. 328—338.

125.

K e n n e d y

D .

P.,

O ' B r i e n

R. R.

Avalanche

breakdown

calcu­

lation for a planar p-n junction. — «IBM Journal of Research and

Deve­

lopment», 1966, v. 10, № 2, p. 213—219.

126.

S z e

S.

M . ,

G i b b o n s

G.

Effect

of

junction

curvature

on

break­

down

voltage

in semiconductors.

— «Solid

State

Electronics»,

1966,

v. 9,

136.

H a u s e r

J.

R.,

W o r t

m a n

J.

J.

Some

effects

of

mechanical

stress on the breakdown voltage of p-n

junctions. — «J. Appl .

Phys.»,

1966, v. 37, № 10, p. 3884—3892.

137.

G o e t z b e r g e r

A . ,

S h о с к 1 e y

W.

Metal

precipitations

in si­

licon p-n

junctions. — «-J. Appl. Phys.»,

1960, v. 31, № 10, p. 1821— 1824.

138.

О g a w a

T.

Influence

of

metal

impurities on

breakdown

characteris­

tics of

high

voltage

silicon n+ -p

junctions. — «Japan .

J.

Appl .

Phys.»,

1966, v. 5,

№

2,

p.

145—152.

139.

P я б и н к и н

Ю.

С.

Коэффициент

усиления

по току

микромощных

кремниевых планарных транзисторов. — «Радиотехника и электроника»,

1965, т. X , № 12, с. 2259—2261.

140.

Н и к о л а е в с к и й

И.

Ф., И г у м н о в

Д .

В .

Параметры

и пре­

дельные режимы работы транзисторов. М., «Сов. радио», 1971.

141.

S h о с k 1 e у

W.,

P r i m

R.

С.

Space-charge

limited

emission

in

semiconductors. — «Phys.

Rev.»,

1953,

v. 90,

№

5,

p. 753—758.

142.

D а с e y

G. С. Space-charge limited

hole

current

in

germanium. —

«Phys. Rev.», 1953,

v. 90, № 5, p. 759—763.

143.

K e n n e d y

D.

P.,

O ' B r i e n

R.

R.

Depletion

layer

properties

in

double

diffused

transistors. — «J.

Electronics

and

Control*,

1961,

v.

11, №

4, p. 303—315.

144.

К a n n a n

P.

J.

Depletion layer

calculations

of

simultaneously

diffused, double-diffused and triplediffused transistors. —

«International

Journal

of

Electronics»,

1966,

№

6,

p. 587—600.

145.

V e l o r i c

H .

C ,

F u s e l i e r

C ,

R a u s c h e r

D . Base-layer

design for high-frequency

transistors. — «RCA

Review»,

1962, v.

X X I I I ,

№

1, p. 112—125.

146.

П е т р о в

Б . K-,

С ы н о p о в

В.

Ф.

Зависимость

напряжения

прокола базы от профиля распределения примесей в кремниевых дрей­

фовых

триодах. — В кн.: Физика полупроводников

и

микроэлектрони­

ка. Труды ВГУ, т. 76, Воронеж

1969, с. 147—152.

147.

К е л д ы ш

Л .

В.

О

поведении

неметаллических

кристаллов в силь­

ных электрических

полях . — «ЖЭТФ», т. 33, №

4, с.

994.

148.

K a n e

Е.

О.

Zener

tunneling

in

semiconductors. — «Physics

and

Chemistry

of

Solids»,

1960,

v.

12, p.

181 — 188.

149.

F r a n z

W.

Dielektrischier Durchlag, Berlin,

1956.

150.

Т и х о д е е в

Ю.

С , Т р у т к о

А. Ф. К вопросу

о механизме про­

боя р-п переходов

в полупроводниках. — «Электронная

техника. Сер.2.

Полупроводниковые

приборы», 1968,

вып.

1 (39), с. 112—138.

151.

T у a g i

M .

S.

Zener

and

avalanche

breakdown in

silicon

alloyed

p-n junctions. — «Solid State Electronics»,

1968,

v. 11, p. 99—117.

152.

Avalanche

effects

in Silicon p-n

junctions.

I I . Structurally perfect

junctions. — «J.

Appl.

Phys.»,

1963,

v. 34,

№

6,

p.

1591 — 1600.

Aut . :

A . Goetzberger,

B . Mc Donald,

R. H . Haitz, R. M . Scarlett.

153.

К а о

Y .

С ,

W о 11 e y

E.

D. High

voltage planar p-n

junctions. —

«Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55, № 8, p.

1409—1414.

154.

«Electronics»,

1969,

v. 42, № 18, p. 7E—9E.

155.

O b é r a i

A.

S.,

D h a k a

V .

A .

Ultra-high current switch

using

12,6 GHz

silicon

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1969,

v. ED-16,

№ 2,

p.

241

(Correspondence).

156.

G o e t z b e r g e r

A., Z e t t e r q u i s t

N .

E., S c a r l e t t

R.

A

new

high

frequency

power transistor. — « I E E E

Internat. Conv.

R e e » ,

1963, v. 11, pt. 3, p. 57—62.

157.

C a r l e y

D .

R.

High frequency high power transistor having

over­

lay electrode

(Radio Corp. of America), Pat. USA, cl . 317—235,

(HOI I ) ,

№

3434019,

Date

of

Applic. 24.10.63, publ.

18.03.69.

158.

C a r l e y

D .

R.,

McG e о u g h

P.

L . ,

O'

B r i e n

I .

F.

The

overlay transistor, pt. 1: New geometry

boosts

power. — «Electronics»,

1965, v. 38, № 17, p. 71—77.

159.

С a r 1 e y

D.

R.

A worthy challenger

for

r-f power

honors. — «Elect­

ronics»,

1968, v. 41, №

4,

p. 98—102.

160.

A new

look

at

microwave

silicon

technology. — «Microwave

Journal»,

1969, v.

12,

№

2, p. 80, 83, 84,

87, Aut . : E. I . Rice, R.

D.

Gromer,

К. M . Finn, В. I . Tilley, W. E. Schaub.

161.

F u с u t a

M . ,

К i s а к i

H . , M a c k a w a

S.

Mesh

emitter

tran­

sistor. — «Proc.

I E E E » ,

1968,

№

5, p. 742—749.

162.

Powerfull

«Mesh

emitter

transistor»

for

UHF . — «Technocrat»,

1968,

v. 1, № 7, p. 16.

163.

N o r m a n

J.

G.

Microwave transistor

— from

small

signal

to

high

power. — «Microwave Journal»,

1971, v. 14, № 2,

p. 45—48, 50, 62.

164.

J o h n s o n

E.

O.

Physical limitation on frequency and power

para­

meters of transistors.

— «RCA

Review»,

1965, v. 26, №

2,

p. 163—177.

165.

М а з е л ь

E.

3.

Мощные транзисторы. M . , «Энергия», 1969.

166.

G u n d 1 а с h

R.

Rx

for

r-f power

transistors. — «Electronics»,

1969,

v. 42, № 11, p. 84—90.

167.

L i n d m a y e r

I .

Power gain of transistors at

high

frequencies. —

«Solid

State

Electronics»,

1962,

v. 5,

p.

171 — 175.

168.

W o l f

H .

Recent

advances

in

high-frequency

power

transistors. —

«Solid

State

Electronics»,

1963,

v. 4, № 6, p. 21—28.

169..

T a t u m

J.

G. Microwave

transistor—parameter

trade-offs

in

cir­

cuit

design.

Pt.

I . — «Microwaves»,

1967,

v. 6,

№

9, p. 26—32.

170.

T a t u m

J.

G.

Microwave

transistor—parameter

trade-offs

in

cir­

cuit

design.

Pt.

2. — «Microwaves», 1967,

v. 6, № 10,

p. 46—50.

171.

T a t u m

J.

G.

Microwave transistor-parameter

trade-offs in

circuit

design. Pt.

3. — «Microwaves»,

1967, v. 6,

№

11, p. 44—53.

172.

L e e

H . C. Microwave power

transistors. — «Microwave

Journal»,

1969,

v'. 12, №

2, p. 51—65.

173.

P r i t c h a r d

R.

L . Frequency

response of grounded-base and grounded-

emitter

transistors.

A I E E

Winter Meeting. New York. January,

22,

1954.

174.

D r o u i l h e t

P.

R.

Predictions based

the

maximum

oscillator

fre­

quency

of a

transistor. — «IRE

Trans.»,

1955,

v.

ST-2, p. 178—183.

175.

S e n e r e t

I .

Utilization

des

transistors

de

puissance

en

vhf. —

«L'Onde

Electrique»,

1965,

v. 45, ,№ 456,

p. 311—317.

176.

E n c i n a s

I . ,

M i n n e

A.

É t u d e

et

réalisation

transistors

vhf

de puissance

2—3

et

6 w — 180 MHz au

silicium

epitaxie. — «L'Onde

Electrique»,

1965, v. 45, № 456, p. 271—277.

177.

А р о н о в

В. Л . ,

М а з е л ь

Е. 3. Современное состояние в области

разработки

мощных

ВЧ

и

СВЧ

транзисторов. — В

кн . : Полупровод­

никовые приборы и их применение. Под ред. Я- А. Федотова. Вып. 25,

М., «Сов. радио»,

1971, с. 7—29.

178.

C o l l i n s

Т.

W.

Collector

capacitance

versus

collector

current

for

a double-diffused

transistor.—«Proc. I E E E » ,

1969, v. 57, № 5 , p. 840— 841.

179.

Ш и б а н о в

А.

П.

Простой

метод

оценки

максимального коэффици­

ента усиления транзистора на высоких частотах. — В кн . : Полупроводни­

ковые приборы и их применение. Под ред. Я . А. Федотова. Вып. 25. М.,

«Сов.

радио»,

1971,

с. 434—440.

180.

С у д з у к и

К а д з и м о,

М у р а т а

Э й и т и .

Высокочастотные

транзисторы

с большой

выходной "мощностью

и их практическое

приме­

нение. — «Денси дзайре» (Electron. Parts

and

Mater.),

1969, v.

8,

№ 2,

p. 54—58 (японск).

181.

Н и к о л а е в с к и й

И.

Ф.

Эксплуатационные параметры

и

особен­

ности применения транзисторов. М., Связьиздат,

1963.

182.

R e i c h

В . ,

H a k i m

Е. В. Transistor

characterization

and

derating

for

second

breakdown. — «Solid

State

Design»,

1964,

v. 5, p.

24.

183.

W i n k l e r

R.

H .

Thermal

properties of high-power transistors. —

« I E E E

Trans.»,

1967, v. ED-14, № 5, p. 260—263.

184.

А р о н о в

В.

Л . ,

К о з л о в

В . А. Метод определения теплового

сопротивления транзисторов с использованием дифференциальных па­

раметров. — В

кн . : Полупроводниковые приборы и их применение.

Под ред. Я- А. Федотова. Вып.

14. М., «Сов. радио»,

1965.