Файл: Соммер А. Фото-эмиссионные материалы.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 18.06.2024

Просмотров: 100

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

териалов с широкой запрещенной зоной необходимы проводящие полупрозрачные подложки, так же как в случае Cs2Te. Удельное сопротивление этих материалов настолько высоко, что приходится ограничивать толщину

фотокатодов, даже нанесенных на

массивный

металл

(т. е. для фотокатодов, освещаемых

со стороны

ваку­

ума), для того, чтобы обеспечить приток электронов из металлической подложки. Толщина катодов порядка не­ скольких сотен ангстрем обычно уже достаточно велика для обеспечения эффективного поглощения света, но еще достаточно мала для того, чтобы избежать нежелатель­ ных эффектов, связанных с высоким поперечным сопро­ тивлением слоя.

Поскольку эти материалы прозрачны в видимом све­ те, толщина фотокатода не может контролироваться обычным методом, используемым при испарении метал­ лов и состоящим в наблюдении за изменением прозрач­ ности в процессе испарения. Вместо этого при изготов­ лении фотокатодов, освещаемых как с фронта, так и с тыла, используют один из двух следующих методов. Первый метод состоит в полном испарении предваритель­ но взвешенного кусочка материала фотокатода с зара­ нее подобранного расстояния от подложки. Во втором методе величина фотоэмиссии контролируется во время нанесения слоя, и испарение прекращается в тот момент, когда чувствительность перестает расти при увеличении толщины слоя. Даже при освещении катода со стороны вакуума продолжение испарения может привести к ухуд­ шению параметров фотокатода, связанному с чрезмер­ ным увеличением поперечного сопротивления слоя.

 

Фотоэмиссионные материалы

Щелочно-галоидные

соединения.

Квантовый выход

всех

щелочно-галоидных

соединений, за исключением

LiF

и, возможно, других

фторидов,

достигает величины

о

порядка 0,1 в области спектра от 1 050 до 2 000 А. Опуб­ ликовано большое число работ, посвященных исследова­ нию оптических и фотоэмиссионных свойств щелочно-га­ лоидных соединений, однако целью большинства этих работ было исследование свойств материалов с точки зрения физики твердого тела (зонная структура, экситоны и т. д.), а не изучение их как фотоэмиттеров. Только совсем недавно интерес к спектроскопии в области пя-

142


куумного

УФ и, в 'частности, интерес к експериментам

в области

вакуумного УФ в космическом пространстве

стимулировал изучение и использование щелочно-галоид- ных материалов в качестве фотокатодов.

Филипп и Тафт .[Л. 215] пер­ выми сообщили, что квантовый выход фотоэмиссии из CsJ пре­ вышает 0,1 при энергии фото­ нов выше 6 эв. Позднее они [Л. 216] измерили фотоэмиссию из других щелочно-галоидных соединений. Результаты их из­ мерений приведены на рис. 57 и 58. Как видно, из всех ще­ лочно-галоидных материалов CsJ имеет порог в наиболее длинноволновой области спек­ тра и вместе с CsBr обладает наибольшим квантовым выхо­ дом. Поэтому, за исключением специальных применений, где желателен более коротковол­ новый порог, CsJ является луч­ шим солнечно-слепым фотока­ тодом для области длин волн

Рис. 57. Спектральные ха­ рактеристики квантового выхода фотоэмиссии из иодидов щелочных метал­ лов [Л. 216].

%0

короче 2 ООО А. Имеются также

 

 

 

 

указания

(Л. 206], что CsJ

бо­

 

 

 

 

лее стабилен

на

воздухе

по

I

 

 

 

сравнению с другими аналогич­

 

 

 

ными

соединениями

(CsBr,

 

 

 

RbJ

и

КВг),

обладающими

 

 

 

 

близкими

фотоэмиссионными

 

 

 

 

характеристиками.

 

 

 

Сі

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Абсолютная

величина кван­

 

 

 

 

тового выхода щелочно-галоид-

10-*\

 

 

 

ных материалов в области фо­

 

 

 

 

тонов

с

большими

энергиями,

 

 

 

 

где квантовый выход почти не

 

 

 

 

зависит от длины волны, уста­

 

 

 

 

новлена

неточно.

В

качестве

 

 

 

 

примера

можно привести CsJ,

Рис.

58.

Спектральные ха­

квантовый выход которого был

рактеристики

квантового

исследован, вероятно, наиболее

выхода фотоэмиссии из не­

которых

щелочно-галоид­

подробно. Тафт

и

Филипп

ных

соединений

{Л. 216].


[Л. 216] получили квантовый выход, слегка превышаю­

щий 0,1. Тейлор

и Хартман [Л.

217] при энергии фотонов

8

эв получили

примерно в

2

раза меньшую

величину.

С

другой стороны, Мецгер

[Л. 230] сообщил, что при

энергии фотонов

11 эв квантовый выход в 5

раз выше.

Из-за проблем, возникающих при абсолютных измере­ ниях падающей энергии (см. § 9-3), трудно решить, свя­ зано ли это различие с ошибками, допущенными при ка­ либровке аппаратуры, или исследованные материалы действительно отличались по своим свойствам.

Значительно лучше согласуются результаты разных авторов в отношении порога фотоэмиссии из щелочно-га-

лондных

соединений. Например, Тафт и Филипп [Л. 216],

а также

Тейлор и Хартман [Л. 217] получили

величины

(Eg-\-Ea)

для CsJ, близкие к 6,4 эв, а для KJ,

близкие

к 7,3 эв.

 

 

Поскольку обнаружить фотопроводимость в щелочногалоидных соединениях невозможно [Л. 217], оценка ши­ рины запрещенной зоны Eg должна быть основана на из­ мерениях оптического' поглощения. Кривые поглощения для этих соединений имеют значительно более сложный вид, чем аналогичные характеристики фотоэмиссионных материалов, рассмотренных в предыдущих главах, по­ скольку присутствие экситонных пиков затрудняет опре­ деление края оптического поглощения. Из измерений поглощения, выполненных Эби и др. [Л. 218], а также

 

Т а б л и ц а

5

Материал

Eg,so

Ea, эв

ш

5,9

1,4

NaJ

5,8

1,5

KJ

6,2

1,1

RbJ

6.1

1,2

CsJ .

6,3

0,1

Тафтом и Филиппом {Л. 216], и из измерений порога фо­ тоэмиссии (Тафт и Филипп) были получены следующие величины для ширины запрещенной зоны и электронного сродства иодидов щелочных металлов (табл. 5).

Следует отметить возможную корреляцию между чрезвычайно низким электронным сродством CsJ и очень высоким квантовым выходом этого материала. Однако 144


измерения квантового выхода и величины Еа недостаточ­ но точны для того, чтобы сделать определенные выводы.

Иодид меди. Меттлео [Л. 219, 220] первым сообщил, что испаренные пленки CuJ являются эффективными фо-

о

токатодами в области спектра ниже 2 ООО А. Тернер [Л. 221] получил этот материал прямой реакцией элемен­

тов и

наблюдал

высокую

чувствительность

в области

 

 

 

 

спектра

между

1 850 и

2150 А. Шуба и

Смирнова

[Л. 222], используя тот же метод приготовления, полу­

чили

фотокатод с постоянным квантовым выходом

по-

рядка

о

бо­

0,1 при длинах волн ниже 1 500 А. Однако в

лее поздней публикации Тютиков и Шуба [Л. 223] указы­ вают, что квантовый выход составляет только 0,01. От­ носительные измерения, выполненные Соммером {Л. 206] на испаренных пленках CuJ, показывают, что квантовый выход CuJ по крайней мере в 4 раза ниже, чем кванто­ вый выход CsJ.

о

Ilqpor фотоэмиссии CuJ лежит вблизи 2 000 А (6 эв). Ширина запрещенной зоны, определенная по результа­ там измерений оптического поглощения, составляет при­ мерно 3 эв. Следовательно, электронное сродство также близко к 3 эв. Относительно высокое отношение Еа К Eg может объяснить, почему квантовый выход CuJ ниже, чем в случае щелочно-галоидных соединений, которые имеют значительно меньшее отношение Еа К Eg.

Весьма полезным свойством пленок CuJ является их относительно высокая электропроводность. Она связана, по-видимому, с примесными уровнями, которые возни­ кают вследствие отклонения от стехиометрического со­ става. Проводимость пленок достаточно высока для того,

чтобы

обеспечить возможность работы

CuJ фотокатода

без проводящей подложки, которая, как

отмечалось, необ­

ходима

для большинства фотокатодов

из материалов с

широкой запрещенной зоной. Относительно химической стабильности CuJ фотокатода на воздухе известно нем­ ного, но имеются указания, что подобно щелочно-галоид- ным соединениям они подвержены влиянию паров воды.

Галоидные соединения серебра. Фотоэмиссия из гало­ идных соединений серебра исследована недостаточно подробно. Первые измерения на AgBr и AgCl были вы­ полнены Флейшманом [Л. 224], но они были ограничены областью спектра с энергией фотонов меньше чем 6,7 эе. 10-10 145


Тафт и др. [Л. 225] измерили фотоэмиссню из AgBr в об­ ласти прозрачности LiF окна. Они нашли (рис. 59), что длинноволновый порог фотоэмиссии близок к 6 эв, а мак­ симум квантового выхода в области энергии фотонов вы­ ше 8 эв достигает 0,05. Квантовый выход монокристал­ лов несколько выше, чем плавленых материалов. Испа­

рение галоидных соединений серебра невозможно вслед­ ствие их разложения.

 

 

 

 

 

 

 

Из

измерений

оптического

 

 

 

 

 

 

 

поглощения

(см. {Л. 226]) Тафт

 

 

 

 

 

 

 

и др. получили, что ширина за­

 

 

 

 

 

 

 

прещенной

зоны

AgBr

состав­

 

 

 

 

 

 

 

ляет

примерно

2,5 эв.

Исходя

 

 

 

 

 

 

 

из этой величины

и порога фо­

 

 

 

 

 

 

 

тоэмиссии

 

(6 эв),

они получи­

 

 

 

 

 

 

 

ли,

что электронное

 

сродство

 

 

 

 

 

 

 

Еа равно примерно 3,5 эв. Сле­

 

і

і

'

і

'

дует

 

отметить,

что AgBr,

ко­

 

5

7

8

9

10 11 зв

торый

подобно

 

CuJ

характе­

Рис.

59.

Спектральные

ха­

ризуется

отношением

Eg к

Еа,

близким

к единице,

имеет

рактеристики

 

квантового

 

квантовый

 

выход

в

максиму­

выхода фотоэмисстш

некото­

 

рых

галоидных

соединений

ме

между

0,01

и

0,1, т.

е.

 

 

серебра.

 

 

ниже,

чем

квантовый

выход

и дп. [Л. 225));

2 — плавленый

материалов

с

большим

от­

/ — монокристалл

 

AgBr

(Тафт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

АкВг

(Тафт п

 

др .

ГЛ.

2251):

ношением

Eg К

Еа

(CS3SD, ще-

3 AgCl

(Петерсон [Л.

2261).

лочно-галоидные

соединения),

 

 

 

 

 

 

 

но выше, чем квантовый выход материалов с малым отношением Eg к Еа (Cs3 Bi, Ge). Как уже отмечалось, вероятность выхода фотоэлектронов повышается при уве­ личении отношения Eg к f a -

Результаты, полученные Тафтом и др. с AgBr, были подтверждены Петерсоном [Л. 226], который также ис­ следовал AgCl. Спектральная характеристика фотоэмис­ сии из AgCl по данным Петерсона приведена на рис. 59. Порог фотоэмиссии близок к порогу AgBr, а квантовый выход порядка 0,01 также достигается вблизи 8 эв. Од­ нако в отличие от AgBr квантовый выход фотоэмиссии из AgCl продолжает увеличиваться в области спектра между 8 и 12 эв. На основе оптических измерений было получено, что ширина запрещенной зоны этого материа­ ла близка к 3 эв; следовательно, его электронное срод­ ство немного выше 3 эв.