Файл: Атамалян Э.Г. Методы и средства измерения электрических величин учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.06.2024
Просмотров: 155
Скачиваний: 7
Глава 9
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
§ 9-1. Общие сведения
Измерения параметров полупроводниковых приборов необходимы как при разработке, так и при исследовании электронных устройств, выполненных на полупроводниковых приборах.
Классификацию транзисторов (полупроводниковых триодов) типа р — п — р и п — р — п ведут в основном по:
а) исходному материалу полупроводника (германий Г, кремний К,
арсенид А); |
|
|
|
|
б) допустимой мощности рассеяния в коллекторном |
переходе |
|||
Лотах — малой |
(й£ 0,3 Вт), |
средней ( ^ 1,5 Вт), большой (> |
1,5 Вт); |
|
в) диапазону рабочих |
частот — низкой |
(==£; 3 Мгц), |
средней |
|
(==£ 30 МГц), |
высокой ( |
300 Мгц) и другим признакам. |
|
|
§ 9-2. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов |
|
|||
П а р а м е т р ы |
тр а н з и с т о р о в . В зависимости |
от области использова |
ния, условий эксплуатации, схемного включения и других свойств транзисторы характеризуются большим числом параметров. Правиль ный выбор необходимых параметров позволяет обеспечить оптималь ный режим работы транзистора.
Основные эксплуатационные параметры транзистора следующие. Параметры малого сигнала — параметры, измеряемые в линейных режимах. Параметрами малого сигнала являются дифференциальные параметры, характеризующие работу транзистора в усилительных цепях,— параметры эквивалентной схемы транзистора, четырехполюс
ника на низких и высоких частотах, граничные частоты, шумы. Параметры большого сигнала характеризуют работу транзистора
в нелинейных режимах, при которых токи и напряжения между электродами меняются в широких пределах. К нелинейным режимам относятся режимы отсечки, насыщения, активной и инверсной области, импульсные параметры, временные интервалы переключения. Пара метры, измеренные для этих режимов, и временные интервалы пере ключения необходимы для расчета ключевых схем, автогенераторов, усилителей и др.
Параметры предельных режимов работы — это максимально допу стимые мощности, токи, напряжения, минимально допустимые токи и напряжения.
Тепловые параметры — параметры, характеризующие возможность работы транзистора в различном диапазоне температур,— тепловые сопротивления, предельно допустимые температуры транзистора и т. д. При проектировании и расчете схем с транзисторами, а также при их изготовлении широко используют вольтамперные характеристики (входные и выходные), которые дают представление о качестве и свой ствах транзистора при различных значениях тока и напряжения и
166
позволяют определить его параметры. Вольтамперные характеристики можно измерить различными способами (например, на постоянном токе или с помощью характериографа, позволяющего визуально наблюдать семейство характеристик в широком диапазоне изменения тока и напряжения).
Эквивалентные схемы транзисторов. Для исследования работы транзистора используют его линейную схему замещения, которая может быть выполнена в виде: 1) эквивалентного четырехполюсника, имеющего входные и выходные зажимы; 2) физической эквивалентной схемы, представляющей транзистор как соединения активных и реак тивных элементов, моделирующих его работу. Знание параметров и той и другой схемы замещения необходимо на практике.
На рис. 9-1 приведена эквивалентная схема транзистора в виде линейного четырехполюсника при малом уровне сигнала. Связь между входными величинами напряжения Ult тока Д и выходными величи
нами напряжения Д2, тока Д устанавли |
|
|
л12 |
|
вают с помощью следующей системы урав |
al, |
|
||
нений: |
|
0------- |
А |
"0 |
Д£Д = ги ДД + г12ДД; |
1 |
ли, |
аиг |
|
Д£Д= z2i ДД -f-222Д/2. J |
0------- |
|
-------0 |
|
Д а н н у ю с и с те м у н а з ы в а ю т уравнениями |
Рис. 9-1. Эквивалентная схе- |
|||
z-параметров и л и параметров полных со- |
ма транзистора в |
виде ли- |
||
противлений (Д1Д, Д£Д, ДД, ДД - пе- |
нейн0Г0 |
четырехполюсника |
||
ременные приращения напряжения и тока, |
|
|
необхо |
|
соответствующие входу и выходу). Для определения ги , z.21 |
||||
димо осуществить режим холостого хода |
в выходной цепи, а для |
|||
определения z12 и z22 — режим |
холостого хода во входной цепи. По |
|||
этому г-параметры называют |
параметрами разомкнутой схемы или |
|||
параметрами холостого хода. |
|
|
|
|
Систему уравнений (9-1) рекомендуется применять для схем, на входе и выходе которых легко получить режимы холостого хода, но поскольку осуществить режим холостого хода на выходе транзистора сложно (сопротивление коллекторного перехода велико по сравнению с сопротивлением нагрузки), схемы z-параметров используют очень
редко.
Уравнения у-параметров, или параметров проводимостей, имеют
вид: |
. |
. |
. |
|
|
ДД = Уп Д^1 + 1/12 Д^Д; | |
(9 2) |
ДД ~ Ун Д^Д "ЬУн ДУ2- 1
Для определения «/-параметров необходимы режимы короткого замыкания на входе и выходе, поэтому «/-параметры рекомендуется применять для схем, в которых это легко выполнить. Систему «/-пара метров применяют на высоких частотах.
Уравнения h-параметров, или смешанных параметров, |
имеют вид: |
Дй 1 = Лц ДД + Д 2 Д'О2; 1 |
|
ДД = /221ДД'-|-/г22Д(Д. J |
{ ' ' |
167
Смешанные /г-параметры являются наиболее удобными, так как для их определения легко выполнить как на высоких, так и на низких частотах режим холостого хода в низкоомной цепи на входе и корот кого замыкания в высокоомной цепи на выходе. Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой и составленная со гласно уравнениям для /z-параметров, представлена на рис. 9-2.
Эквивалентные схемы могут быть составлены также с использова нием г- и (/-параметров для'различных способов включения транзисто ров. Упрощенная физическая эквивалентная Т-образная схема тран зистора, включенного по схеме с общей базой, для низких частот дана
на рис. 9-3, где 1и1Ь = |
Л /г/Д /(, — коэффициент |
передачи тока (а); |
h-nb&Ie — произведение, |
отражающее активные |
свойства транзи |
стора— долю эмиттерного тока, поступающего в коллектор; гь-ь— дифференциальное сопротивле-
Рнс. 9-2. Эквивалентная схема транзи- |
Рнс. 9-3. Упрощенная физическая экви |
стора с общей базой, составленная по |
валентная схема транзистора |
уравнениям для /i-параметров |
|
ференциальные сопротивления коллекторного и эмиттерного переходов; Сс — емкость коллекторного перехода.
Если рассматривать эту схему замещения транзистора как линей ный активный четырехполюсник и для данного режима по постояннсму току осуществить режимы короткого замыкания по переменному току на выходе и холостого хода на входе, то для /г-параметров (пренебрегая емкостью Сс) можно получить следующие соотношения:
входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общей базой
^11Ь — д г |
и |
с |
= о |
^2l b ) f b ' b i |
(9-4) |
1Л1е |
|
|
|
|
коэффициент передачи тока
(9-5)
коэффициент обратной связи по напряжению
(9-6)
выходная проводимость
(9-7)
168
Зная /г-параметры, можно легко рассчитать, например, пара метры гс, ге, гь’ь физической эквивалентной схемы:
Гс — jt |
; |
r e — h u b — ТГ~ ( \ — hub)', |
I'b'b = |
hub |
(9-8) |
'*22 |
О |
'*22Ь |
|
hub |
|
Соотношения между параметрами для других схем включения транзистора можно получить из сравнения соответствующих уравне ний для этих параметров.
Методика измерения /г-параметров стандартизована и заключается в том, что задают смещение по постоянному току и на это смеще ние накладывают малый переменный сигнал в одной из цепей (входной) и измеряют переменный сигнал в другой цепи — выходной. При этом необходимо выполнение определенных условий по переменному сиг налу: а) короткое замыкание на выходе; б) холостой ход на входе. Переменные составляющие токов во входных и выходных цепях опре деляют косвенным путем: измерением падения напряжения на эталон ных сопротивлениях малой величины, включенных в исследуемые цепи, осуществляемое высокоомным электронным милливольтметром.
Величины /г-параметров обычно измеряют на низкой частоте (50 н- -г- 1000 Гц) и используют при расчетах низкочастотных усилителей. На высокой частоте коэффициенты передачи тока /г21й, /г21е становятся комплексными величинами, что означает появление сдвига фаз между токами и напряжениями на входе и выходе, поэтому усилительные свойства на высокой частоте характеризуют величиной | h21b [, | lule I-
Измерение /г-парамётров маломощных транзисторов может быть выполнено прибором типа Л2-22, который имеет более расширенные пределы измерения и меньшую погрешность, чем ранее выпускаемый прибор Л2-2.
§ 9-3. Измерители параметров транзисторов
Отечественная промышленность выпускает приборы, обеспечиваю щие измерение разнообразных параметров транзисторов различной мощности и широкого частотного диапазона. Поскольку транзисторы имеют большой разброс параметров, то не всегда можно пользоваться номинальными данными последних, которые указаны в справочниках для того или иного типа транзисторов. Проверке подлежат следующие
основные параметры транзистора: |
передачи |
тока |
в |
схеме |
с |
общей |
|
h.21b = |
AIc/AIe — коэффициент |
||||||
базой; |
A IJA Ib — коэффициент |
передачи |
тока |
в |
схеме |
с |
общим |
h21e = |
|||||||
эмиттером; |
|
|
(перехода |
|
коллек |
||
Iсво — обратный ток коллекторного перехода |
|
тор—база), характеризует температурную и временную стабильность транзистора; необходимый параметр при создании импульсных и уси лительных схем;
hno — обратный ток эмиттерного перехода (переход эмиттербаза), имеет важное значение при создании импульсных схем;
7 Атамаляи |
169 |