Файл: Пустынский И.Н. Транзисторные видеоусилители.pdf

б

^б'б

s'

- о

1 — І Н

сб'к

•&SU,

Л

і "б з

Э

з

~І7

о -

6j

Рис. 1.2.

П-образная эквивалентная схема

транзистора (а) и ее ус­

ловное обозначение

(б)

рез

базу.

В

то время

как

д л я диффузионных транзисторов

обычно СЭ п<ССэД )

д л я

дрейфовых

транзисторов

величина

собственной емкости

эмиттерного

перехода

С э п

является

соизмеримой с диффузионной емкостью СЭд, а

при

ма­

лых

значениях

тока

(Ia^l

ма)

заметно

превосходит

ее [17].

Емкость коллектора иногда [11] в эквивалентной

схе­

эквивалентная

схема

рис.

1.2 преобразуется в

схему,

изображенную

на

рис.

1.3.

Здесь сопротивление тк не

учитывается

(поскольку

имеется в виду, что сопротивле­

ние нагрузки Я и - С к ) ,

а

емкость Сб-Эк

р а в н а

C e . * = C 6

. s +

C 6 , K ( l

+SRn).

6

пб'б

б'

к

«Упрощенной»

эквива­

- о

лентной схемой рис. 1.3

•можно пользоваться лишь

Сб'эь

при ориентировочных

рас­

четах.

Д л я

анализа

мы

Рис. 1.3. «Упрощенная» гибрид-

будем

использовать

наи­

более

распространенную

пая

эквивалентная

схема

тран­

Т-образную

эквивалент-

зистора

'ную схему

[4, 6].

"б'э

S

= а0 /гэ .

Комплексное сопротивление эмиттера

равно

г э = — ^ — ~ — т л — .

1 -|- / со C9rs

1 + / Ш 1 ; т

Д л я

дрейфовых транзисторов, которые

чаще

всего

ис­

пользуются в схемах видеоусилителей,

обычно

выпол­

няется

условие /вк<С/т, где

/ т = 1 / 2 я т т — п р е д е л ь н а я

ча­

эмиттером

(при этой частоте

| { j | =

l ) . Поэтому с

доста­

точной

д л я

практики точностью

вплоть до

частот

f sSl'(0,2-M),3)/T в к а с к а д е с ОЭ

можно принять, что С э — О,

Т. Є. Z0

~ Га, И 1 + р G i ( l + P o ) / ( l + / ( O T p ) .

jy

Принципиальная

схема

иекорректврованного

каскада

с ОЭ приведена

на

рис. 1.4,

а его эквивалентная

схема

д л я высших

частот — « а ірис.

1.5.

Здесь

І/г

— н а п р я ж е н и е

источника

сигнала;

Z r

— е г о

внутреннее

сопротивление;

C p i,

С р 2

—

разделительные

конденсаторы; Ri,

Rz

— делитель,

обеспечивающий

необ­

ходимое смещение на базе транзистора;

Ro—

резистор

для обеспечения

термостабилизации к а с к а д а ; - С ' э —

кон­

денсатор,

необходимый д л я

шунтирования резистора Ra

в диапазоне частот усилителя; (]'V—IJVZ^IZV—

н а п р я ­

жение

эквивалентного

источника

сигнала

2 б =

=ZTfRifil'(Zr+Ruz)—его

внутреннее

сопротивление;

Ri,2=RiR2l{Ri

+ Rz);

R,', — сопротивление

нагрузки;

С и —

торые для схемы рис. 1.4

имеют в и д

4 ( 2 6

+ /-6 + Z 3 ) + / K Z 3 = ^ -

(1.2)

/ 6 ( Z , - a Z K ) + / B ( z 9

, + Z H + l +' p

= о.

Z

где

Z H

=

/ со С„У?„

комплексное

сопротивление «а -

грузки.

1 +

Определитель

системы

уравнений

(1.2)

равен

Z G

• |

Z 3

7J3

А

Z 3

— aZ,(

Z 3

+

Z „ + - Z

,

i

.

-l-P

A

x

z :

2,:

где

Z'Q

= Z 6

+ / ' 6 .

При

отсутствии

элемента

обратной

связи

Z3 ,

т. е. при

Z;., = 0, определитель

имеет

вид

А» = — к -

z :

1 +

f -

(1

-нр)

h p

»

и возвратная

разность

равна

,

^

= 1 + { z 3 ( i + p ) ( 1

+

i

^

X і +

І Ч і + р )

( і . з )

Коэффициент

усиления

по

напряжению

д л я схемы

рис.

1.5

без элемента обратной

связи

равен

0'г

до

(1.4)