Файл: Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников [Текст] 1974. - 190 с.pdf

3.

Р о л с т е и и

Р. Ф. Иодидные

металлы и иодиды

металлов.

4.

Пер. с англ. М., «Металлургия»,

1968. 524 с. с ил.

v.

37,

p. 1139.

L a n g m u i r

I . — «J.

Amer. Chem.

Soc.», 1915,

5.

V a n

В Aer k e l

A. E.

de В о e r

J.

H. — «Z. anorg

und

allgem.

6.

Chem.», 1925, Bd 148, S. 345.

allgem. Chem.»,

D e

о

r J.

H., F a s t

J. D. — «Z. anorg. und

1926,

Bd

153,

S. 1.

9.

Р f а n n W. G. —е«Trans. АІМ Е», 1952, ѵ. 194, р. 747.

10.

F г о s h С. I., D г г і с k L. — «J. Electrochem. Soc.»,1957, v. 104,

,p. 547.

13.

1960 (Proc. of Metallurg. Soc. Conf. V. 12).

1960,

v. 4,

p.

280.

M a r i n a c e

J. C. — «JBM

J.

Res. and

Dev.»,

14.

A n d e r s о n

R. L. — «JBM

J.

Res. and

Dev.»,

1960,

v. 4,

p. 283.

15.

R a s m a n i c s

E. — «Semicond, products.», 1963, v. 6, p.

30.

16. R o b i n s o n

P. H. — «RCA

Rev.»,

1963, v. 24, p. 574.

1165.

17.

N i c o l l

F.

H. — «J.

Electrocrem.

Soc.»,

1963,

v. 110, p.

18. S i r t ie

E. — «Z. Naturforsch.», 1963, Bd

18a, S.

884.

1964,

19.

V a g n e r

R.

S.,

E l l i s W. C. — «Bell

Telephon Record»,

20.

V. 42, p. 142.

W.,

B l o e m

J. — «J. Electrochem.

Soc.»,

1964,

S t e i n m a i e r

21.

V.

Ill, p.

206.

A. M.,

S i m p s o n

W. I. — «J. Appl. Phys.»,

1964,

M a n a s e v i t

22.

V.

35, p.

1349.

R e y n o l d s

R. A., J e f f c o a t M .

W. — «So­

С о n a r d R. W.,

lid State Electronics»,

1967, v.

10, p. 507.

24. R i d e o u t

V. L.,

В 1a k e s 1e e A. E., E s a k i L. — «Solid State

Technol.»,

1974, v.

14, p. 14.

31.

C h i s l j a k o v

Y. D. '(Чистяков 10.

Д.) Epitaxie — Endotaxic.

32.

Leipzig, VEB Verlag Grundstoff, 1969.

К. А. — «Неорганические

Д о р ф м а и

В.

Ф.,

Б о л ь ш а к о в

33.

■ материалы»,

1968, № 4, с. 8.

основы химической техно­

Д о р ф м а и

В. Ф. — «Теоретические

логии», 1967, т. 3, с.

353.

36.

П.ч а с М . Биологический код.

Пер. е англ. М.,

«Мир»,

1971.

37

351 с. с ил.

U. Bierman N.

Y.,

Hayden

Microelectronic Design. Ed. by

38.

Book Company, INC., 1966.

их

при­

А л ф е р о в

H. И. — «Полупроводниковые приборы и

39.

менение». Вып. 25. М., «Советское радио», 1971. с. 204.

1967,

А л ф е р о в

Н. II. — «Физика и техника полупроводников»,

т. I, с. 436.

41.

М и г а ль В. П.,

Ми га ль Н. Н. В кп.: Электронные

процес­

сы на поверхности и в імоноюристаллнческих слоях полупро­

42.

водников. Новосибирск, «Наука»,

1967. с. 215 с ил.

И. П .—

Д о р ф м а и

В. Ф.р Б о л ь ш а к о в

К. А., К и с л я к о в

43.

«Неорганические материалы», 1965, т. I,

с. 37.

Д е р нн г X., М о л ь е р 1\. — В км.: Методы получения чистых

металлов. Сб. переводов под ред. В. С: Емельянова и А. И. Ев-

44.

стюхина. М., ИЛ,

1957. с. 95 с ил.

J.

Solid State Physics

in

Ele­

N e w m a n

R. S.,

W a k e f i e l d

ctronics and Telecomm. V. I. part 1, L.—N. Y., «Academic Press».

45.

1960.

В.

Ф., Б е л о к о н ь

Al.

С., П ы п к и н

Б.

Н.,

Дорф. маі н

Х а н И. Д. — В

кн.: Рост кристаллов.

Труды симпозиума

по

росту кристаллов 7-го Международного

конгресса

кристалло­

графов. Т. 9. М., «Наука». 1972, с.

193.

46. Г и в а р г и з о в

Е. И. — ФТТ,

1964, т. 6, с. 1804.

кинетика и

47. П а н ч е н к о ®

Г. М.,

Л е б е д е в

В. П. Химическая

катализ. М ., Госхимиздат, 1961.552 с. с

ил.

Thermoche­

48. K u b a s c h e w s k i

О., E v a n s

Е . L. Metalurgical

mistry. L., «Pergamon Press, LTD», 1956.

Б о л ь ш а к о в

К. А.—

49. Д о р ф м а и

В. Ф., К и с л я к о в

И. Л. ,

Ж ФХ, 1965, т. 39, с. 996.

М. Б., X а и И. Д. — «Теорети­

50. Д о р ф м а и

В. Ф.,

Г а л и н а

ческие основы

химической технологии»,

1969, т. 3,

с.

49.

51.

W e h m

ei er

F.

H. •— «J.

Crystal Growth»,

1970, v. 6, p. 343.

52.

Б о л ь ш а к о в

1\. А.,

Г а л ч е н к о

И.,

Д о р ф май

В.

Ф.,

К и с л я к о в

I I.

П. — «Неорганические

материалы», 1971,

т. 7,

53.

с.

83.

J., A l i a s а ki

J. — «Japan

J.

Appl. Pliys.»,

1963,

A r i z u m i

54.

V. 2, p.

602.

А k а s а k i

J. — «Japan

J. Appl. Pliys.», 1964.

v. 3,

А r i z u m i J.,

55.

р.

87.

V.

L.,

L a t i m e r

W. M. — «J. Amer. Chem. Soc.»,

1952,

J o l l y

56.

V. 74, p. 5752.

«J. Eleclrochem. Soc.»,

1963, v. 110, p. 775.

L e v e r

R. F. —

57.

A I с о c k C.

B.,

J e f f e s

J.

LI. E. — «Trans. Insl. Mining

Mel.»,

58.

1967, V. 76, p. 246.

необратимых процессов. Лер.

с нем.

X

а а 3 e P.

Термодинамика

60. Б о л ь ш а к о в

К. А., Д о р ф м а и В.

Ф.,

К и с л я к о в И.

П.,

Н и р ш а

К..

М. — «Неорганические

материалы», 1966, т.

2,

61.

с. 1921.

Е. Строение и свойства двойных металлических систем.

В о л А.

Т. I. М.,

Физ'матгиз, 1959. 755 с. с ил.;

т. II.

М., Физматгпз, 1962.

62.

982 с. с ил.

соединения Ліп

В

V

.

Б и в е р

М. — В кн.: Полупроводниковые

65.

Изд-во АН СССР,

1961. 396 с. с ил.

1150.

Г и в а р г и зо в

Е. И. — ФТТ, 1963, т. 5, с.

1963,

т.

36.

66.

С у б а ш и е і в

В.

К., Д ы м ш и ц

ІО.

И. — Ж ПХ,

67.

с. 2761.

В.

Ф., Б о л ь ш а к о в

К.

А.,

К и с л я к о в

И. П.—

Д о р ф м ан

68.

«Неорганические материалы», 1965, т. I,

с.

471.

Ф р а и к - К а м ей е ц« и й Д. А.

Диффузия

и теплопередача в

69.

химической кинетике. Изд. 2-е. М .,

«Наука», 1967, 491 с. е ил.

Ш е ф т а л ь

Н.

LL,

Г и в а р г и з о в

Е.

И. — «Кристаллогра­

70.

фия», 1964, т. 9, с. 686.

Solids»,

1962, v. 23, p. 587.

M a n d e l

G. —

«J.

Phys. Chem.

71.

L e v e r

R.

P. — «J. Chem. Phys.»,

1962, v. 37, p. 1174.

72. M a n d e 1

G. — «J. Chem. Phys.»,

1962, v. 37, p. 1177.

73.

Дор' ф' Ман

В.

Ф. — «Кристаллография»,

1968, т. 13, с. 140.

74.

Процессы роста и структуры монокрнсталлических слоев полу­

75.

проводников. Ч. 1. Новосибирск,

«Наука»,

1968, 593 о. с

ил.

К u z п е t s о V

F.

A.,

B e l y i

V.

I.

(Кузнецов Ф. А.,

Бе­

лый В. И.). — «J. Electrochem. Soc.»,

1970, v. 117, р.

785.

76. S h a w

D. W. — «J. Crystal Growth»,

1971, v. 8, p. 116.

J.,

77.

E V e г I e у n

F.

C.,

S e v e r i n

P.

J.

W.,

Br e k e l C. H.

78.

P e c k

H. 1. — «J.

Electrochem. Soc.»,

1970, v.

117, p. 925.

Sta­

А n d r e w s

R. W.,

P у n n e D. M., W r i g h t

E. G. — «Solid

79.

te TechnoL». 1969, v. 12, p. 61.

И.

И.

Эпитаксиальные пленки.

П а л а т н и к

Л.

С., П а п и р о в

М ., «Наука»,

1971. 480 с . с ил.

80.

J o y c e

p.

В.

A.,

B r a d l e y

R. R . — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1968,

81.

V. 110,

1235.

1962, v.

109,

p.

1171.

B y l a n d e r

F. G. — «J. Electrochem. Soc.»,

82.

I i d a S. — «Japan J. Appl. Phys.»,

1966, v. 5,

p. 138.

т. 5,

83.

С т е п а и о в а

А.

И., Г п в а ,р г н з о в

Е. И. —

ФТТ, 1963,

84.

3034.

1964,

v.

Ill,

p.

1381.

S е d \ѵ і с к Т. О. — «J. Electrochem. Soc.»,

85.

Р о д и г и н

H.

M.,

Р о д и т н а

Э. Н.

Последовательные

хи­

мические реакции. Математический анализ и расчет .М., Изд-во

86.

АН СССР , 1960. 138 с. с ил.

1962, v.

I,

p.

22.

T a k a

b a y as hi

М. — «Japan J. Appl. Phys.»,

87.

Арсенид

галлия.

Вып. 2. Томск, Изд.

ТГУ, 1969.

230

с.

с

ил.

(Сибирский

фнзико-техннч.

паучно-иослед.

ин-т им.

В. Д.

Кузне­

цова при ТГУ). Приложение к журналу «Изв. вузов СССР,

88.

Физика»,

1969, № 5.

R. — «J. Electrochem. Soc.»,

1962,

M o e s t

R. R.,

S h и р р В.

89.

V. 109, р. 1061.

L., G a l d s m i t h

N. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

N e w m a n

R.

90.

1961, V.

108,

p.

1127.

H.,

M а x w e 11 K.

H.,

Z i m m e r-

В о b b

L. S.,

H o l l o w a y

91.

m a n

E. —

«J. Phys. Chem.

Solids», 1966,

v. 27,

p.

1679.

1966,

R u b e n s

t e i n

M., M y e r s

E. — «J. Electrochem. Soc.»,

92.

V. 113, p. 365.

Soc.».

1967,

v.

114,

p.

410.

T a y l o r

R.

C. — «J. Electrochem.

93.

£ f f e r D. — «J. Electrochem. Soc.»,

1965, v. 112,

p.

1020.

1964,

94.

E v i n g

R.

E.,

G r e e n e

P.

E. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

95.

V. 1M, p . Г266.

Soc.»,

1968, v.

115, p.

405.

S h a w

D. W .— «J. Electrochem.

96.

Д о і р ф м а н

В.

Ф..

Пыі пкин

Б.

Н. — «Неорганические мате­

97.

риалы», 1972, т.

8,

с.

1539.

from

the

Vapour

Phase.

Resume

Crystal

Growth

and

Epitaxy

98.

Abstracts. Zürich,

ICCG, 1970. (Proc. nof

tht

ICCG,

Zürich,

1970).

R i c h a r d s o n

M. — «Acta Chem. Scand.»,

1967,

v. 21,

p.

2305.

99.

К r ä m e г V.,

N i t s h e К., О 11 e m a

T. — «J. Crystal Growth»,

1970, V. 7, p. 285.

Growth», 1971, v. 8, p. 60.

100. K r i s h n e P. — «J. Crystal

102. B o r s h c h e v s ki A. S.,

G o r y u n o v a

N.

A.,

K e s a m a n -

1у

F.

P., N a s 1e d о V D. N.. (Борщевский

А.

'С., Горюно­

ва

H.

А. Кесаманли Ф.

П., Наследов Д.

H.) — «Phys. Status

Solidi»,

1967, V. 21, p. 9.

104.

ков, 1967.

L.

V., C a r p e n t e r

D.

R. — «Electrochem.

Soc.».

M e C a r t y

105.

1960, V.

107, p. 38.

IT.

Структура

и

свойства

переходных

А л e КС а іи д p о в Л .

слоев, образующихся

в

процессе

эпитаксии.

М.,

Изд.

ЦНИИ

106.

«Электроника»,

1972.

К-

В.,

К и с л я к о в И. П .—

Д о р ф м а н

В.

Ф., Б о л ь ш а к о в

В кн.: Материалы совещания по методам получения особо чис­

107.

тых веществ. М ., Изд-во НИИТЭХИМ ,

1967,

с.

12.

Dev.»,

B a k e r

W.

Е.,

C o m p t o n D. М. — «IBM

J.

Res. and

1960, V.

4, p.

269.