Файл: Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников [Текст] 1974. - 190 с.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 07.07.2024
Просмотров: 140
Скачиваний: 0
259. |
M i zu по О., |
K i k u |
chi |
S., S e hi Y. — «Japan J. Appl. Phys» |
|
260. |
1971, V. 10, p. 208. |
B e l l |
R. O., M e n n a A. A. — «J. Electrochem. |
||
W e i n s t e i n |
M„ |
||||
|
Soc.», 1962, V. |
III, |
p. |
674. |
|
261. |
R i b e n A. R., F o u c h t |
D. |
L., O l d h a m |
W. |
G. — «J. |
Eleclro- |
|||||||
262. |
chem. Soc.», 1966, v. 113, p. 245 |
|
|
L. — «IBM |
Jp.. Res. |
||||||||
R i d e о u t V. L., |
В 1а к e s 1e e А. E., E s a k i |
||||||||||||
263. |
and Dev.», 1970, v. 14, p. 61. |
|
Rev.», |
1963, |
v. |
12, |
|
523. |
|||||
C a v e E. F„ |
C r o r n y |
B. R. — «RCA |
|
||||||||||
264. |
T a k a b a y a s h i |
M., |
N a k a g a w a |
J., |
K a l s u m u r e |
FI.— |
|||||||
265. |
«Toshiba Rev.», 1964, v. 12, p. 1279. |
|
|
1965, |
v. |
112, p. |
746. |
||||||
M i c h e l it s c h |
M. ■— «J. Electrochem. Soc.», |
||||||||||||
266. |
S h a w D. W. — «J. Electrochem. Soc.», |
1966, |
v. |
113, |
p. 904. |
|
|||||||
267. |
Д о р ф м а и |
В. |
Ф., То |
п о р о в с « нм |
С. |
А., |
X о л м я н с к и іі |
||||||
268. |
В. И. — «Кристаллография», |
1972, т. 17, с. 390. |
|
Soc.», |
1968, |
||||||||
D r u m С. М., |
C l a r k |
С. |
А. — «J. Electrochem. |
V. 115, р. 664.
269.D u m і n D. J. — «J. Crystal Growth», 1971, v. 8, p. 33.
270. |
«Electronics», |
1969, |
v. 42, |
№ |
6, p. |
67. |
[«Электроника, |
1969, |
|||||||||
271. |
T. 42, № 6, c. 67]. |
|
G. E. — «The Bell |
System |
Teehnol. J.», |
||||||||||||
B o y l e |
W. |
S., |
S m i t h |
||||||||||||||
272. |
1970, V. 49, p. 587. |
|
|
io |
G. F., |
S m i t h |
G. |
E. — «J. Appl. |
|||||||||
T o m p s e t t |
|
M. |
F., A m e i |
||||||||||||||
273. |
Phys. Letters», 1970, v. 17, p. 111. |
|
|
|
12, p. |
1 |
|
||||||||||
H a l s o r |
J. |
L. — «Solid |
State |
Teehnol.», 1969, v. |
|
||||||||||||
274. |
I p r i A. |
C. — «Solid |
State Teehnol.», |
1970, v. |
13, p. 37. |
|
1966, |
||||||||||
275. |
R a n d |
J. |
M., |
A s h w o r t h |
J. |
L. — «J. Electrochem. Soc.», |
|||||||||||
276. |
V. 113, |
p. |
48. |
|
S., |
W a d а |
K-, |
T a n i g u c h i |
1. — «Japan |
J. |
Appl. |
||||||
J а m az а k i |
|
||||||||||||||||
277. |
Phys.», 1970, V. 12, p. 1467. |
|
R. R., |
C a |
m a c h e |
R. |
R. — «J. |
||||||||||
IC а s e у |
J. |
J., |
V e r d e r b e r |
||||||||||||||
278. |
Electrochem. Soc.», 1967, v. 114, p. 201. |
Appl. |
Phys.», |
1968, |
|||||||||||||
H a s e g a w a |
F., |
S a i t o |
T. — «Japan J. |
||||||||||||||
279. |
V. 7, p. |
1342. |
К i k u c h i S., |
M a r u y a m a |
M. — «Japan |
J. Appl. |
|||||||||||
M i z u n о О., |
|||||||||||||||||
280. |
Phys.» ,1970, V. 9, p. 1544. |
|
|
Electrochem. |
Soc.», |
1969, |
|||||||||||
R i c h m a n |
D., |
A r l et t |
K- A. — «J. |
||||||||||||||
281. |
V. 116, |
p. |
872. |
. |
S h i e b e r |
M. — «J. |
Electrochem. |
|
Soc.», |
1970, |
|||||||
A v i g a l |
Y., |
|
V.117, p. 1585.
282.«Electronics», 1970, v. 43, № 12, p. 88.
283. |
B i c k n e l l R. |
W. — «Phil. |
Mag.», 1966, |
v. |
14, p. |
31. |
v. 236, |
||||||
284. |
B l a n k |
J. M., |
R u s s s e l |
V. A. — «Trans. AIME», |
1966, |
||||||||
285. |
p. 291. |
D. J. — «Solid |
State Electronics», |
1970, |
v. 13, |
p. |
415. |
||||||
D u m i n |
|||||||||||||
286. |
D u m i n |
D. J. — «J. Electrochem. Soc.», |
1971, v. 118, p. 95. |
|
|||||||||
287. |
G u t t i e r r e z |
A., |
P o m m e r i n g |
FI. |
D., |
J a s p e r |
M. A., |
||||||
|
M a n |
t z o u r a m i s |
A. |
P. — «Solid |
State |
Electronics», |
1970. |
||||||
|
V. 13, |
p. |
1200. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
288.«Electronics», 1971, v. 44, p. 432.
289.M u r p h y B. L. — «Proc. IEEE», 1969, v. 57, p. 1523.
290. |
M u r p h y |
B. L. — «IEEE J. Solid |
Slate Circuits», |
1970, |
|
291. |
V. SC— 5, |
p. |
1. |
1971, v. 44, JTs 15, |
p. 76. |
De F a l c o |
J. A. — «Electronics», |
||||
|
[«Электроника», 1971, т. 44, № 15]. |
|
|
188
292. |
П р е с с Ф. П. |
Фотолитография в производстве полупроводни |
||||||
293. |
ковых приборов. М., «Энергия», 1968. 199 с. с ил. |
|
|
|||||
Г э ф ф н |
Д. — В |
кп.: Тонкопленочная микроэлектроника. Пер. |
||||||
294. |
■с анг. М., |
«Мир», |
1968, с. |
330. |
полупроводников. |
Пер. |
с |
|
П а н к о в |
Дж. — В «н.: |
Травление |
||||||
295. |
англ. М., «Мир», 1965, с. 62. |
|
|
|
||||
«Electronics», |
1970, ѵ. 43, № 13, ,р. 86. |
1971, v. ED—48, |
№ |
1, |
||||
■ 296. |
C o b a i y a s h i |
J. — «IEEE Trans.», |
p. 45.
297.«Дэнси дзаіірё», 1968, № 11, с. 67.
298.«Electron. Packag. and Prod.», 1970, v. 10, № 5, p. 39.
299. Д а м м ер Г., |
Г р э н в и л л Дж. |
Миниатюризация и |
микро |
миниатюризация |
радиоэлектронной |
аппаратуры. Пер. |
с англ. |
М., «Мир», 1965, 389 с. с ил.
300.S i d d а 11 G. — «Vacuum», 1959, v. 9, p. 274,
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие...................................................................... |
3 |
Введение ............................................................................................................................. |
5 |
Г л а в а I. Ф,изи'Ко-химнческие принципы газофазной |
микро- |
металлургии полупроводников ............................................ |
15 |
Процессы и методы Г М П ................................................... |
15 |
|
Физико-химические условия в процессах ГМП |
. . |
31 |
||||||||
|
Основные кинетические ф актор ы ...................................... |
|
|
|
фи |
53 |
|||||
|
Кристаллизация |
из газовой фазы как метод |
71 |
||||||||
Г л а в а |
зико-химического |
исследования....................................... |
и |
структура |
|||||||
II. Механизм |
роста из газовой |
фазы |
79 |
||||||||
|
эпитаксиальных с л о е в ............................................................... |
|
|
|
|
|
|
||||
|
Основные особенности кристаллизации в системах |
79 |
|||||||||
|
газ—т в е р д о е |
...................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Механизм элементарных процессов роста кристал |
83 |
|||||||||
|
лов из газовой |
ф а з ы ............................................................... |
|
|
|
|
|
|
|||
|
Образование центров кристаллизации и упорядо |
94 |
|||||||||
|
чение при |
росте |
из газовой |
ф а з ы ................................. |
|
|
|
|
|||
|
Лимитирующая стадия процессов газофазной мик |
103 |
|||||||||
|
рометаллургии |
|
................................................................................. |
|
явления |
при гете- |
|||||
|
Граничные |
физико-химические |
|
||||||||
|
роэпитаксиальном р о с т е ......................................... |
|
|
|
слоев |
109 |
|
||||
|
Специфические |
формы несовершенства |
и |
116 |
|||||||
Г л а в а |
кристаллов, получаемых из газовой фазы |
. . |
. |
||||||||
III. Пути интенсификации процессов газофазной мик |
128 |
||||||||||
|
рометаллургии |
............................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|||
|
О пределах скорости роста кристаллов в процес |
|
|||||||||
|
сах Г М П |
............................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
128 |
|
|
Аномальные режимы кристаллизации или газовой |
135 |
|||||||||
|
фазы ......................................................................................................... |
внешнего электрического |
поля и |
излу |
|||||||
|
Влияние |
140 |
|||||||||
|
чения ....................................................................................................... |
|
|
|
|
ф а з о й |
|
|
150 |
||
Г л а в а |
Локальная активация жидкой |
|
|
|
|||||||
IV. Газофазная микрометаллургия как |
метод |
техно |
|
||||||||
|
логии твердого |
т е л а ................................................ |
|
твердых |
|
|
153 |
153 |
|||
|
Легирование |
и выращивание |
растворов |
||||||||
|
Селективное эпитаксиальное |
наращивание |
. . |
. |
158 |
||||||
|
Эпитаксиальные |
структуры |
в |
технологии |
интег |
|
|||||
|
ральных с х е м .................................................................... |
|
|
|
|
|
|
165 |
|
Принцип селективности |
при формировании |
твер |
дотельных и пленочных |
структур ................................ |
170 |
Список литературы |
|
179 |
Бениамин Фриделевич ДОРФМАН
ГАЗОФАЗНАЯ МИКРОМЕТАЛЛУРГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Редактор В. Е. Квин Художественный редактор Д . В. Орлов
Технический редактор Н. В. Сидорова Корректоры Н. И. Шефтсль, В. П. Крылова Обложка художника П. Г. Сухомлинова
Сдано |
в набор ІІ6/ѴІІІ і1973 г. Подписано в |
печать |
25/ІІ 1974 г. |
||||||
Г-05609 |
Формат бумаги 84ХЮ8'/з2. Бумага |
типографская |
№ |
2. |
|||||
Тираж |
Уел. |
печ. |
л. 10,08 Уч.-изд. і10,57 |
л. |
|
06 к. |
|||
2100 экз. |
Заказ |
496 |
Изд. № 2245 |
Цена 4 р. |
|||||
Издательство |
«Металлургия», <1:19034, |
Москва, |
Г-34, |
|
|
||||
|
|
2-й Обыденский пер., |14 |
|
|
|
|
|
||
|
Подольская типография Союзполиграфпрома |
|
|
||||||
при Государственном комитете Совета Министров СССР |
|
||||||||
по |
делам издательств, полиграфии н книжной |
торговли |
|
||||||
|
г. Подольск, |
ул. Кирова, |
25 |
|
|
|
|
В местных |
книжных |
||
|
магазинах |
|
|
можно приобрести книги |
|||
издательства |
М ет аллургия“ |
||
Г о р е л и к С. С., |
Д а ш е в е к и й |
М. Я. Материаловедение полу |
|
проводников и |
металловедение. |
Учебное пособие для студентов |
|
вузов. 1973. 495 с. >1 р. 39 к. |
|
Основые получения |
|
З ы р я н о в М. Н., Ы а д о л ь с к и й А. П. |
|||
рассеянных элементов. Учебное |
.пособие |
для студентов вузов. |
|
1968. 240 с. 57 к. |
|
|
|
Обработка цветных металлов и сплавов давлением. Изд. 3-е, лере-
раб. и доп. |
Учебник для учащихся техникумов. 1973. 471 |
с. |
1 р. |
||||||||||||||
19 к. |
Авт.: |
Б о г о я в л е н с к и й |
К. Н., |
Ж о л о б о в |
В. |
В., |
|||||||||||
Л а н д и X о в А. |
Д., |
П о с т н и к о в Н. |
ГІ. |
Справочник. |
|
1969. |
|||||||||||
Особо |
тугоплавкие |
|
элементы и |
соединения. |
|
||||||||||||
374 |
с. |
2 р. |
33 к. |
Авт.: |
К о т е л ь н и к о в |
Р. |
Б., Б а ш л ы |
||||||||||
к о в |
|
С. |
Н., Г а ли а к б а. ров |
3. |
Г., К а ш т а н о в |
А. |
И. |
||||||||||
Цветные металлы. |
Свойства. Сортамент. Применение. |
Справочник. |
|||||||||||||||
51 к. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
1973. 207 с. |
1 р. |
|
|
|
металлов |
в |
ультразвуковом |
||||||||||
А б р а м ов |
О. |
В. |
|
Кристаллизация |
|||||||||||||
поле. 1972. 260 с. |
1 р. 84 к. |
|
|
|
сплавов |
типа |
«Силу |
||||||||||
Б о о м |
Е. |
А. |
Природа |
модифицирования |
|||||||||||||
мин». |
1972. 70 с. |
35 к. |
|
|
|
|
|
1970. |
104 с. |
27 к. |
|
||||||
Б о г а тин Д . |
Е. |
Порошки цветных металлов. |
|
||||||||||||||
Г л а д ы ш е в с к н й |
Е. |
И. |
Кристаллохимия силицидов и германи- |
||||||||||||||
дов. |
1971. 296 с. |
2 р. 07 к. |
Ванадий, |
ниобий, |
тантал. |
Металлургия |
|||||||||||
К н ф ф е р |
Р., |
Б р а у н |
X. |
||||||||||||||
чистых металлов и их сплавов. |
Пер. с нем. |
1968. |
311 |
с. |
1 р. 64 к. |
Ку д р я в ц е в А. А. Химия и технология селена и теллура. Изд. 2-е,
перераб. и доп. 1968. 338 с. 1 р. 59 к.
Ма л ь ц е в М. В. Металлография тугоплавких, редких, и радиоак тивных металлов. 1971. 364 с. 3 р. 20 к.
Основы металлургии, т. IV. Редкие металлы. 1967. 651 с. 3 р. 54 к.
Ро д е с Р. Г. Несовершенства и активные центры в полупровод никах. ,1968. 371 с. 1 р. 52 к.
С а м с о н о в Г. В., П е р мин о в В. П . Магниетермия. 1971. 176 с. 1 р. 27 к.
Перечисленные книги можно приобрести в специализиро ванном магазине г. Ленинграда, по адресу:
Ленинград, Л-188, ул. В Алексеева, д. 13/22, магазин М 82 «Книги по металлургии»