Файл: Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников [Текст] 1974. - 190 с.pdf

108.

B e n s o n

Q.

C., F r e e m a n

P.

I., D e m p s e y

D.

E. — «Adv.

in Chem.», 1961, v. 33, p. 26.

S. — «Surface. Sei.»,

1967,

v. 5,

109. M a r k

l u n d

I.,

A n d e r s o n

110.

ip.

197.

J. J., M o r t i s o n

J .— «Surface Sei.», 1966, v. 4, p.

241.

L a n d e r

111.

L a n d e r

J. J. — «Surface Sei.», 1964, v. 1, p. 125.

1093.

112.

H a n e m a n

D. — «Phys. Rev.»,

1961, v. 121, p.

Г13.

H e n z l e r M . — «J. Appl. Phys.», 4969, v. 40, p. 3768.

114.

К и с е л е в

В.

Ф. Поверхностные явления в полупроводниках

II диэлектриках.

М ., «Наука», 1970. 399 с. с ил. (Сер. «Физика

115.

полупроводников и полупроводниковых приборов»).

15, с. 435.

Д о р ф ' м а н

В.

Ф. — «Кристаллография», 1970,

т.

116.

Д о р ф м а н

В.

Ф., Т р у с о в

Л.

И. — «Кристаллография»,

1968,

117.

т.

13, с. 502.

Исследования структуры молекул,

Б о р о в и н о к и й Л. А. В кн.:

■ кристаллов и кристаллических зародышей. Л., Изд.

ЛЛИ ,

1971,

118.

с.

44.

А.

А., Т р у с о в

Л.

И. — «Кристаллография»,

1969,

Ч е р н о в

119.

т. 14, с. 218.

В.

Ф., Т р у с о в

Л.

И. — «Кристаллография»,

1970,

Д о р ф м а н

т.

15,

с.

788.

120. Т р у е о в Л. И. — ФММ, 1969, т. 28, с. 282.

1962, v. 224,

121.

C h o i

J. Y.,

S h e w m a n

Р. G. — «Trans. А1МЕ»,

122.

p.

589.

R.,

R o l i n s

D. A. — «Metallurgie»,

Oct.

1966,

D u c k e l t

123.

p.

163.

I.,

R h e a d

G.

E. — «Surface Sei.»,

1967,

v. 7,

P e r d e r a u

126.

S а t о H., S h i n о z а k i S., С i с о 11 e L. — «J. Vacuum

Sei. and

127.

Technoh», 1969, v. 6, p. 62.

M . G. — «Thin Films», 1969,

C h a d d e r t o n

L. T.,

A n d e r s o n

V. 1, p . 229.

J.

128.

H e n n i n g

C.

A. O.,

L o m b o a r d

J. С., В о t h e

С. — «J.

129.

Appl. Phys. Letters»,

1969, v. 14, p. 109.

симпо­

Д о р ф і м а н

В.

Ф. — В кн.:

Рост

кристаллов. Труды

зиума по росту

кристаллов

7-го Международного

конгресса

130.

кристаллографов. Т. 9. М., «Наука», 1972, с. 268.

Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводі-

131.

никах. М ., «Мир», 1969. 398 с. с ил.

М я с н и к о в

Н.

А„

Б о л ь ш у н Е. В. — «Кинетика и катализ»,

132.

1967, т. 8, с. 182.

G a t e s Н .

С . — «Surface Sei.»,

1969, v. 13,

S o c h a n s k i

J.,

133.

р. 393.

А.

Г.,

Ф е д о р у с А. Г. — «Письма

в ЖЭТФ»,

Н а у м о в е н

1969, т. 10,

с.

11.

135.

K i n a w i

А.

А., H u d s o n

J.

В. — «J. Vacuum

Sei.

and

Tech-

136.

nol.», 1967, V. 4, p. 230.

J.

S. — «Surface

Cci.»,

1969,

v. 15,

H u d s o n

J.

B., S a n d e j a s

137.

p. 27.

H„

M e r g e r P.

D.,

S h e r w o o d

R.

G. - ^ «Surface

J a e g e r

Sri.». I960. V.

13, p. 349,

138.

J o y s e

В. II.,

N e a v e

J.

H., W a t t s

В.

E. — «Surface

Sei.»,

139.

1969, V. 15, p. 177.

D. K., — «Surface Sei.», 1969,

v.

15,

C h a r i

g

J.

M.,

S k i n n e r

140.

p. 127.

А.

А. Мультпплетпая теория

катализа.

Ч.

I

М.,

Б а л а н д и н

141.

М ГУ. 1963. 103 с. с ил., ч. II. М., МГУ, 1964,

243 с. с ил.

T a y l o r

Н. S. — «Proc. Roy. Soc.», 1926,

v.

108А, р. 105.

142.

А ш м о р

П.

Катализ и

ингибирование

химических

іреакцнн.

Пер. с англ. М .,

«Мир»,

1966. 497 с. с ил.1

144.

Д о р ф м а н

В.

Ф.,

С и б и р ц е в

Л.

С .— ДАН

СССР,

1968,

145.

т. 181, с. 874.

В.

Ф.,

Х а н И, Д. — «Неорганические материалы»,

Д о р ф м а н

146.

1968, т. 5. с. 1670.

Л у к ь я н о в

В.

М. — ФТТ, 1968,

т. 10,

Т р о ф и м о в В. II.,

147.

-с. 1889.

т.

11,

с. 2139.

Н а б и т о в и ч И. Д. —■ ФТТ, 1969,

СССР,

1967,

148.

Д и с т л е р

Г.

И.,

К о б з а р е в а

С. А. — ДАН

149.

т. 172, с. 1069.

М.,

П а л а т и н к Л.

С.,

С о к о л

А.

А.,

А р х н-

К о сев и ч В.

150.

по® П. П, — ДАН СССР, 1968, т. 180, с. 586.

R о t Е. А., — «RCA

Rev.», 1963, ѵ. 23, р. 449.

37.

151.

M i n d e n

Н. Т. — «J. Crystal

Growth»,

1971, v. 8, р.

1

И в а н о в

Г.

А.,

С а в и ц к а я

Я. С.,

В е л и к ж а и и и а Л.

А. —

52.

153.

«Неорганические материалы»,

1969, т. 5,

с. 1915.

Д о р ф м а н

В.

Ф.,

П ы л к и и

Б.

Н. — «Кристаллография»,

154.

1972, т. 17, с. 00

1965, т.

10,

с.

586.

С в е т л о в

С.

П. — «Кристаллография»,

155.

A d a m s к у R.

F. — «J. Appl. Phys.»,

1969, v. 40, p. 4301.

Пер.

156.

К р и к op и an

E. — В кн.: Монокристаллические .пленки.

157.

с англ. Под ред. 3. Г. Пинскера. М., «Мир», 1966, с. 146.

ред.

Т ун Р.

Э. — В кн.:

Физика

тонких пленок.

Т. I. Под

159.

Х н р с Д.,

П а у н д Г. Испарение

и конденсация. Пер.

с

англ.

М., «Металлургия», 1966, 196 с. с ил. Сер. «Успехи физики ме­

160.

таллов». Т. II).

Л. — В

кн.:

Физика

тонких

пленок.

X иір с Д.,

М о а з е д К .

Т. IV. Под ред.

Г Хасса

и Р.

Туна.

Пер. с англ.

М.,

«Мир»,

161.

4970, с. 123.

G. — «Kristall

und

Technik»,

1970,

'Bd 5,

Z i n s m e i s t e r

162.

S. 207.

D.

R.,

V e n a b l e s

I. A. — «Adv. in

Physics»,

\

F r a n k l

1970,

163.

V. 19, p. 409.

R h о d i n T. N.,

R o l l i n s

R. — «J. Chem. Phys.»,

W a 11 о n D.,

164.

1963, V. 38, p. 2698.

1967, т. 53,

с.

2090.

Ч е р н о в А. А. — ЖЭТФ,

СССР»,

1968,

165.

Д о р ф м а н

В.

Ф., Г а л и н а

М.

Б .— «ДАН

166.

т. 182, с. 372.

В.

Ф., Г а л и н а

М.

Б.,

Т р у с о в

Л. II. — «Кри­

Д о р ф м а н

сталлография»,

1969, т. 14, с. 71.

169. J o y c e

В.

A.,

B r a d l e y R. R., B o o k e r Q. R. — «Phil. Mag.»,

1967, V.

15,

p.

1167.

171. L e w i s

В., C a m p b e l l D. S. — «J. Vacuum Sei. and Techno!.»,

1967, V.

4, p. 209.

173.

гии. ии-та Т. 19. Вып. 2).

П.

Е. — ФММ,

1969, т. 28, с.

426.

Г о л о с о в

Н.

С., П о п о в

174.

R o m a n o w s k i W. — «Surface

Sei.»,

1969,

v.

18, с. '373.

18,

175.

P a u n o v

M.,

K a i s h e w

R. — «Surface Sei.»,

1969,,

v.

176.

p. 268.

L.,

H i r t h

P. — «Surface

Sei.»,

1969, v. 15,

p.

403.

K e n t у J.

J.

178.

K u n t z e R.,

C h a m b e r A.,

P r u t t e n M. — «Thin Solid

179.

Films»,

1969, V. 4, p. 47.

13, S.

213.

G r a d

m a n

U. — «Ann. Physik»iv1964, Bd

180.

G г а d m а n N. — «Ann. Physik»,

1966, Bd

17, S.

91.

183.

E n g e l

O. — «J.

Res.

and Dev. British

cast-iron res. assoc.»,

184.

1953, V. 5, p. 249.

С.,

П а п и р о в И. И.

Ориентированная

П а л а т н и к

Л.

185.

•кристаллизация. М., «Металлургия», 1964.

409 с. с ил.

C u r t i s

В. J.,

B r u n n e r Н. — «J. Crystal Growth», 1970, v. 6,

р. 269.

188.

2-nd Colloq. on Thin Films, Budapest, 1967).

1964,

V a g n e r

R.

S.,

E l l i s

W. C. — «J. Appl.

Phys. Letters»,

189.

V. 1, p. 89.

E l l i s

W. C. — «J.

Appl.

Phys.»,

1965,

v. 36,

B a r n s R. L.,

190.

р. 2296.

M.

С., Д о р ф м а н

В. Ф.,

С е в а с т ь я н о в

Б е л о к о н ь

В . В.— В

кн.:

Вычислительная

техника.

Труды

конференции

191.

ИНЭУМ . Вып. 1. М „ изд. ИНЭУМ, 1967, с. 140.

П. и

А л е к с а н д р о в

Л.

И., В а у л и н

Ю. Д.,

М и г а л ь В.

др. — В юн.: Материалы

Всесоюзного

совещания

по дефектам

структуры

в

полупроводниках.

Ч.

2.

Новосибирск,

«Наука»,

192.

1970 с, 58.

С .

Е.

Е. — «J. Crystal

Growth» ,1970, v. 7, р. 259.

S t e w a r t

193.

M a t t h e n s J .

W. — «Phil. Mag.», 1961, v. 6, p. 1347.

Г.

Ф,.

194.

Д о р ф м а н

В. Ф.,

Б е л о к о н ь

М. С.,

К р а с н о в а

Т о л к а ч е в а

Г.

П. — Неорганические материалы»,

1965, т.

I,

195.

с. 1016.

X. Г. Дефекты в кристаллах. Пер. с англ. М.,

В а н Б ю р е н

196.

И Л , 1962. 584 с. с ил.

Phys.»,

1962,

v.

33,

B o o k e r

G.

R.,

S t i c k l e r R. — «J. Appl.

p. 3281.

197.

N o t i s

M.

R., C o n r a d

ü .

P . — «j. Appl.

Phys.»,

1964,

v. 54,

198.

p.

3619.

D .

P. — «J. Appl. Phys.», 1963,

v. 34,

p. 2813.

M i l l e r

v.

38,

199.

B o b b

L.

C.,

H o l l o w a y

H. — «J. Appl.

Psys.»,

1967,

200.

p. 2711.

H .

H. — «Кристаллография»,

1971, т. 16, с. 394,

Ш е ф т а л ь

201.

М а г о м е д о в

X.

А.,

Ш е фRт. а л ь

Н.

Н. — «Кристаллография»,

202.

1964, т. 9, с. 902.

E v a n s

J. — «Trans.

Met. Soc.

AIME»,

R e v e s z

A.

G.,

203.

1964, V. 230, p. 581.

L i

С. H. — «J. Electrochem. Soc.», 1962, v. 109, p. 952.

В. И.,

204.

Г и м м е л ь ф а р б

Ф. А.,

К и с т о в a

E.

M.,

М а с л о в

С а х а р о в

Б. А.,

Ф и с т у л ь

В.

И. — «Неорганические

мате­

205.

риалы», 1970, т. 6, с. 461.

1963, ѵ. ПО, p. 1065.

G r o s s m a n

J. J. — «J. Electrochem. Soc.»,

206.

N e w m a n

R.

C.,

W a k e f i e l d

J. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

207.

1963, V. 110, p. 1068.

полупроводников.

M .,

Ме­

Ш а ш к о в

Ю.

M.

Металлургия

208.

таллургиздат,

1960,

21і2 с. с ил.

State

Electronics»,

1963,

C o u r v o i s i e r

J.

С.

е.

а. — «Solid

209.

V. 6, р. 265.

В.

В. «Кристаллография»,

1964, т. 9. с. 300.

П о с т н и к о в

210.

R i c h a r d s

F.

L.

е.

а. — «J. Appl.

Phys.»,

1963, v. 34, р. 3418.

211.

В л а с о в

В.

А.,

С е м и л е т о в

С.

А. — «Кристаллография»,

212.

1967, т. 12,

с 871.

Т a k a g і М. — «J. Phys. Soc. Japan», 1954, v. 9, p. 359.

213.

В а с и л ь е в

В.

Д.,

Т и х о н о в а

А.

А. — «Кристаллография»,

214.

1966,

т.

11,

с.

668.

М.

С.

Кинетика и

катализ. Л.,

ЛГУ,

1968,

3 а X ар ье в ск и й

215.

314 с.

К-,

N i

dee

S.,

T a k e s h i

T.,

J u n i c h i

N .—

M a s a s h i

216.

«Japan J. Appl. Phys.»,

1968, v. 7, p.

1132.

Phys.»,

1971,

v.

42,

O r e n

R.,

G h a n d h i

S.

K- — «J. Appl.

217.

p. 7Ö2.

b J.,

de

N e u f v i l l e

J.,

M o s s

S.

C., O v s h i n s k y

F e i n

l ei

218.

S .

R., — «Appl. Phys. Letters»,

1971, v. 18, p. 254.

F a b e r

E.

C., T a u b e r

R.

N.,

B a r r e t

B. — «J. Appl. Phys.»,

219.

1969, V. 40, p. 2958.

H.,

O k u r a

K,

M i n a m i g a

A . —

T a r u i

V.,

T e s h i m a

220.

«J, Electrochem. Soc.», 1963, v. 110, p. 1167.

М и к

Дж .,

К р э г с

Дж . Электрический пробой в газах. Пер. с

221.

анг. М., ИЛ., 1960,

606 с. с ил.

Процессы

обмена мест.

Под

З а й т

В.

Диффузия

в металлах.

222.

ред. Б. Болтакса. Пер. с англ. М., ИЛ,

1958, 381 с. с ил.

р.

165.

R а І-С h о u d h и г у

Р.—«J. Crystal Growth»,

1971,

v. 8,

223.

З о т о в

Ю.

А., М а с л о ®

В. Н„ М и т и н

А.

П. — ДАН СССР ,

224.

1965, т. 161, с. 1126.

Е. — В

кн.: Современная вакуумная

В о л с к и й

С., Жд а - н ю к

техника. М ., ИЛ , 1963,

с.

324.

225.

Y

п g

S. W.,

С h i a n g

Y.

S. — «J. Electrochem.

Soc.»,

1966,

226.

V. 113, р. 192.

F.,

S w a n n

R. C.

G. — «Solid State

Electronic

S t e r l i n g

Н.

227.

Internat. J.»,

1965,

v. 9,

p.

653.

E.

M.

Статистическая

физика.

Л а н д а у

Л. Д.,

Л и в ш и ц

'Изд.

2-е М .,

«Наука»,

1964.

568 с. с

ил.

(Сер. «Теоретическая

228.

физика». Т. V).

E l l i s

W. S.,

J a c k s o n

K-

A.,

A r n o l d

W a g n e r

R.

S.,

229.

S. M. — «J. Appl. Phys.»,

1964, V.

35, p.

2999.

A.,

A r n o l d

W a g n e r

R.

S.,

E 11 i s W. S.,

J a c k s o n

K .

230.

S. M. — «J. Appl. Phys. Letters»,

1964, v. 4,

p. 89.

p. 2525.

M e n d e l s o n

S. — «J. Appl. Phys.»,

1965, v. 36,

231.

W a g n e r

R. S. — «J. Appl. Phys.»,

1967, v. 38, p. 4.

Growth»,

232.

G i v a r g i z o v

E.

I.

(Гиваргизов

E. И.)

«J.

Crystal

233.

1971, V. 9, p. 326.

1966, v. 37, p. 2399.

S 11 a r i k J. P. — «J. Appl. Phys.»,

234.

V a n T o m e

L. J. — «J. Appl. Phys.»,

1966, v. 37, p. 3894.

235.

Д е р я г и н

'Б.

В.,

Ф е д о с е е в

Д.

В.,

Л у к ь я н о в и ч В. М.

и др, — «ДАН СССР», 1968, т. Ш ,

с. 1094.

236.

C r a w f o r d

J. С.,

D г a g s d о

г

f

R.

D. — «J.

Appl.

Phys.»,

1965, V. 36,

p.

2766.

239.

Нитевидные

кристаллы

и

неферромагнитные

.пленки.

Труды

I научной

конференции

Воронежского

политехнического

ин-та.

240.

Ч. I. Воронеж, 1970,

286 с. с ил.

П.

С.,

Д р о н ю к

С а и д у л о в а А.

В., Б о г о я в л е н с к и й

241.

М. И. — ФТТ,

1963, т. 5, с. 2580.

Г л а з о в

В.

М., З е м с к о в

В. С. Физико-химические основы

242.

легирования полупроводников. М ., «Наука»,

1967. 371 с. с ил.

S t e w a r t

С.

Е. Е. — «J.

Crystal

Growth»,

1971,

v.

8,

р.

259.

243.

R а Т-С h о u d h и г у

P.,

S a l k o v i t z

E.

J. — «J.

Crystal

244.

Growth», 1970, V. 7,

pp. 353,

360.

строение

кристалла.

М „

Л е м м л е й н

Г.

Г.

Секториальное

245.

Изд-во АН СССР,

1948. 38 с.

1966, v. 112,

p.

748.

W i l l i a m s

F. V. — «J. Electrochem. Soc.»,

246.

M u 11 i n J.

B. Compound

Semiconductors. V.

I.

Preparation of

247.

■ III—V Compounds. N. Y., Reinhold,

1962.

State

Electronics»,

P e a k e r

A.

R. — S m i t h

B.

L. — «Solid

248.

1970, V. 13,

p.

1407.

Ф. А.,

Т.

Э. С.,

М а с л о в

Г н м м е л ь ф а р б

К а п е л и о в и ч

249.

В. H. и др. — «Кристаллография»,

1969,

14, с.

1104.

14,

p.

185.

K n a p p e t

J.

Е. — «Solid

State Electronics»

,1971,

v.

1250.

B l a c k J. F. — K u

S. M . — «J. Electrochem. Soc.»,

1966,

v.

113,

251.

p. 249.

1967, v. 113, p. 813.

K u

S. M. — «J. Electrochem. Soc.»,

1963,

v. 6,

252.

К u

S. M.,

В 1a c k J. F. — «Solid

State

Electronics»,

253.

p. 505.

F.

A. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1962,

v.

109,

P i z z a r e l l o

254.

p. 226.

J.

., A m

i c k

J.

A. — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1966,

T i e t j e n

255.

V. 113, p. 724.

B., T i e t j e n

J. J. — «Trans.

Metallurg.

Soc.»,

C l o u g h

R.

1966, V. 113, p. 724.