Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 31.07.2024
Просмотров: 184
Скачиваний: 2
- 92 -
в
Р и с.37 • Фоторезистор:
a i схематическое устроГіство; б ч кон струкция фотосопротивлеиия ФСКчІ; в -.ус ловное изобракение на схемах} г - схема включения ; I - полупроводник светоч чувствительныйf 2 ч изолирушая подч ловка; 3 ч металлические электроды (вы
воды)
- 93 -
|
Интегральная чувствительность есть отношение фототока |
^ , , |
||||||||
который течет |
через фоторезистор при рабочей |
напряжении, к |
Подав |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ав» |
чему |
на |
светочувствительный слой световому потоку 4>» |
К « |
. • |
||||||
|
Спектральная |
чувствительность фоторезисторв. е с т ь |
зависимость! |
|||||||
величины |
фототока, |
возникавшего |
при падении |
единичного светового |
||||||
потока, or длины волны (рис.38,а). |
|
|
|
|
||||||
|
Если фотореэистор |
затемнен |
(рис.30,6), |
то |
чероэ |
него |
течет |
|||
темповой |
ток |
Зг\ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rr |
+Z. |
|
|
|
|
где |
Е - |
э . д . с . источника питания) |
|
|
|
|
||||
R |
- |
величина электрического |
сопротивления |
ірохосопротивленяя |
||||||
|
|
Е темноте, |
называемая тенновыи сопротивлением! |
|
||||||
RH |
- |
сопротивление |
нагрузки, |
|
|
|
|
|
||
|
При освещении через фоторезистор течет |
световой т о к ^ : - — — * |
||||||||
Этот |
ток |
больше темпового, так |
как его сопротивление |
Rc |
, на |
|||||
зываемое световым сопротивлением, становится меньше іемнового. |
||||||||||
|
Разность |
jfc |
* Уг ' 3<р |
называется первичный фототекой |
||||||
проводимости. |
|
|
|
|
|
|
|
|
При малом световом потоке первичный фототок проводимости практически беэинерционен и изменяется прямо пропорционально величине светового потока. С увеличением светового поюка уве личивается число электронов проводимости, растет число столкнове ний электронов с атомами, ионизируя их и создавая дополнительный поток электрических зарядов, получивший Название вторичного фототока проводимости. Увеличение числа ионизированных атомов
Р и с.38. Спектральные (а), вольт-іамперные (ö) и световые (в) характеристики фоторезис-t
торов
- 95 -
тормозит движение электронов проводимости. В результате этаго изменения фототок запаздывает во времени относительно изменений светового потока. Следовательно, фоторѳзисгор является ииѳрционHUH прибором. Инерционность фоторезисторов характеризуется постоян ной времени,представляющая собой время,в течение которого фототок уменьшается в "е" раз. Наименьшей инерционностью обладает фотосопротивления типа ФСА (.va Pé5"). Наличие инерционности ограничивает частотную область применения фоторезисторов ( единицами килогерц для ФСА и десятками герц для ФСІС).
Световая характеристика (рис.38,в) фоторѳзисторов представ ляет собой зависимость фототока от освещенности его светочувст вительной поверхности, т . е . от отношения величины светового поюка к площади светочувствительного слоя. Наибольшая чувстви
тельность получается при малых освѳщѳнностях. Это позволяет исполі зовать фотореэисторы для измерения очень малых интенсивностэй из лучения (например, для индикации температуры и положения тел, нагретых до температур порядка 200 + 400°С),
ВольтАамперная характеристика (рис .38,6) представляет оо- бой зависимость фототока и темнового тока от напряжения, при ложенного к фоторезистору при постоянной освещенности его поверхности. Критерием выбора напряжения питания цепи о фоторезистором является стремление получить достаточно высокую К, а также ограничить выделяющуюся мощнооіь в фоторезисторе.'превьн: шение которой приводит к необратимым процессам.
Таким образом, в фоторѳзисторах фототок зависит не только от лучистого поюка, но и от величины приложенного внешнего •
напряжения LL . Поэтому основным параметром фоторезисторов
|
|
|
- |
96 - |
|
|
хакхе |
является |
удельная |
чувствительность |
- |
величина., определяе |
|
мая оіноиением интегральной чувствительности к приложенному |
||||||
внешнему напряжение,' |
|
|
|
|
||
|
|
_ _ |
К |
_ |
M * А |
|
|
К У д |
' |
U |
Cp-U |
ЛМ-6 ' |
|
Как |
и во всех |
полупроводниковых приборах, |
ъ'.'оторелнетирах суще-і |
ственное значение имеет зависимость их параметров от температуры.
Изменение |
температуры в основном изменяет темновую проводимость |
|
и смещает |
красную границу фотоэффекта, В практике |
надо учитываіь |
изменение |
температур рабочей среды и сравнивать со |
справочными |
данными диапазона рабочих температуры (в градусах Цельсия) фоторе зистора.
В некоторых случаях удобно пользоваться кратностью изменения сопротивления, т . е . отношением сопротивления к темноте к сопро тивление при освещении.
Срок службы фотосопротивлений порядка ІСООО ч.
По сравнение с вакуумными фотоэлементами фоторезисгоры об ладают рядом достоинств: более высокая интегральная чувствитель ность, простота изготовления, невысокая стоимость, малые габари ты, высокая надежность, почти неограниченный срок службы (ІОООО ч ) . При работе фотосопротивления в схемах измерения и
контроля особо важное значение имеет стабильность его параметров (оообенно постоянство чувствительности) во времени. После трени ровки (создается рабочий реж».м фоторезистораи з течение не скольких сотен часов) фотореэисторы характеризуются большой ста бильностью - фотоюк стабилизируется, Фотореэисторы обладают большой мощностью рассеяния, благодаря чему можно управлять электрической цепью мощностью в несколько ватт.
Недостатком фоторезисторов является инерционность. Постоян ная времени, определяющая фронт нарастания импульса тока при
- |
97 - |
|
прямоугольном световой |
импульсе, достигает сотых долей секунды |
|
у большинства типов фоторезисторов, и только |
сериисто-ісвкнцо-. |
|
вые могут работать при нескольких килогорцах. |
||
Другим недостатком резисторов является |
резко выраженная |
зависимость их сопротивлений от температуры окружающей среды, ог раничивающая применение в широких интервалах іемператур. На каж дые І0°С изменения температуры удельное сопротивление их при на
личии облучения |
изменяется |
примерно на |
і + |
э % от исходного зиаче-. |
||
ПИЯ . |
|
|
|
|
|
|
Как и все полупроводниковые лриборы, фоторезисторы имеют |
||||||
значительный разброс параметров у одного и того же типа. |
||||||
Основные |
показатели |
фоторезисторов приведены в |
Прилонениях |
|||
5 и 6. |
|
|
|
|
|
|
Применение |
Указанные |
достоинства |
обуславливают |
фоторезисторам |
||
широкое применение в самых |
различных |
автоматичео» |
||||
|
ких устройствах и приборах, где используются фотоэлементы. Фоточ резисторы удобно сочетаются с мостовой и усилительной схемами, позволяют создавать высокочувствительные измерители интенсивности светового потока.
Обладая большой мощностью рассеяния и высокой величиной рабочего напряжения, фотореэисторы позволили осуществить простей шую конструкцию фотореле без предварительного усиления фототока. На рис.39 изображены схемы реле для постоянного (рис.39,а) и пере менного (рис.39,6) токов. Принцип работы таких реле очень проот.
Темновое сопротивление, |
например, |
ФСК-І порядка 10 |
Ом, поэтому |
||
при отсутствии света ток |
в |
цепи, |
состоящий из |
фотосопротивления |
|
и обмотки электромагнитного |
реле, |
недостаточен |
для |
срабатывания |
|
реле. При освещении сопротивления |
§СК-І уменьшается |
в ІчО раз и |
\ £ |
I |
|
X — * * £ « |
s |
... |
|
6 |
Р |
и с.39. Примеры применения |
фоторезнсторов: |
|
|
а 1 фотореле на |
постоянном токе; d -і фо-і |
|
|
торѳле на переменном токе; в -і мостовая |
||
|
схема включения; |
г і |
с усилительной |
схемой
ток возрастает. Необходимое значение тока для срабатывания реле
достигается соответствующим подбором рабочего напряжения, типа реле и интенсивности светового тока. Фотореле, собранное по мосто вой схеме (рис.39,в), обладает более высокой чувствительностью.
В тех случаям, когда требуется от автоцата управление значи тельный» мощностями, через контакты первичного реле вводится вто ричное реле.
Фотореле на оонове фоторезисторов применяются для защиты участков территории öi проникновения посторонних лиц, для конт
роля размеров, цвета и качества поверхности различных изделий, для счета деталей и т . д .
- 9? ~ Для получения большей чувствительности применяются фоторези
сторы с электронными усилителями постоянного или переменного тока (рис.39,г). С изменением освещенности изменяется фототок, равпый здесь току базы, ток коллектора будет изменяться больше
фототока в коэффициент |
усиления раз. Нагрузкой мозеі быть стре |
|||
лочный |
прибор или |
реле |
(релейный режим схемы). |
|
|
|
|
Фотодиоды |
|
|
Фотодиодом |
называется полупроводниковый |
фотоэлектрический |
|
прибор |
с внутренним фотоэффектом, имеющий один |
переход р-г>, , |
при освещении которого появляется э . д . с . (режим фотогенѳратора) или изменяется величина обратного тока (режим фотодиода).
Принципиальное устройство фотодиода, его условное обозна чение и режимы включения показаны на рис.40.
Рек им работы |
фстодиога без |
внешнего источника питания назы-і |
вается ?е;.:і'Уом |
фотогснеттора |
(рис.чС.в). |
Если к фотодиоду последовательно нагрузке подключить |
||
Сеет |
^ч 4 |
Р и с.40. Фотодиод: |
|
a -i схематическое устройство; б |
услов-» |
ное обозначение на схемах';' в ч схема |
|
включения в режиме генератора; г |
- схема |
включения в диодном ренине |
|