Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 31.07.2024

Просмотров: 184

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

- 92 -

в

Р и с.37 • Фоторезистор:

a i схематическое устроГіство; б ч кон­ струкция фотосопротивлеиия ФСКчІ; в -.ус­ ловное изобракение на схемах} г - схема включения ; I - полупроводник светоч чувствительныйf 2 ч изолирушая подч ловка; 3 ч металлические электроды (вы­

воды)

- 93 -

 

Интегральная чувствительность есть отношение фототока

^ , ,

который течет

через фоторезистор при рабочей

напряжении, к

Подав­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ав»

чему

на

светочувствительный слой световому потоку 4>»

К «

. •

 

Спектральная

чувствительность фоторезисторв. е с т ь

зависимость!

величины

фототока,

возникавшего

при падении

единичного светового

потока, or длины волны (рис.38,а).

 

 

 

 

 

Если фотореэистор

затемнен

(рис.30,6),

то

чероэ

него

течет

темповой

ток

Зг\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rr

+Z.

 

 

 

 

где

Е -

э . д . с . источника питания)

 

 

 

 

R

-

величина электрического

сопротивления

ірохосопротивленяя

 

 

Е темноте,

называемая тенновыи сопротивлением!

 

RH

-

сопротивление

нагрузки,

 

 

 

 

 

 

При освещении через фоторезистор течет

световой т о к ^ : - — — *

Этот

ток

больше темпового, так

как его сопротивление

Rc

, на­

зываемое световым сопротивлением, становится меньше іемнового.

 

Разность

jfc

* Уг ' 3<р

называется первичный фототекой

проводимости.

 

 

 

 

 

 

 

 

При малом световом потоке первичный фототок проводимости практически беэинерционен и изменяется прямо пропорционально величине светового потока. С увеличением светового поюка уве­ личивается число электронов проводимости, растет число столкнове­ ний электронов с атомами, ионизируя их и создавая дополнительный поток электрических зарядов, получивший Название вторичного фототока проводимости. Увеличение числа ионизированных атомов


Р и с.38. Спектральные (а), вольт-іамперные (ö) и световые (в) характеристики фоторезис-t

торов

- 95 -

тормозит движение электронов проводимости. В результате этаго изменения фототок запаздывает во времени относительно изменений светового потока. Следовательно, фоторѳзисгор является ииѳрционHUH прибором. Инерционность фоторезисторов характеризуется постоян ной времени,представляющая собой время,в течение которого фототок уменьшается в "е" раз. Наименьшей инерционностью обладает фотосопротивления типа ФСА (.va Pé5"). Наличие инерционности ограничивает частотную область применения фоторезисторов ( единицами килогерц для ФСА и десятками герц для ФСІС).

Световая характеристика (рис.38,в) фоторѳзисторов представ­ ляет собой зависимость фототока от освещенности его светочувст­ вительной поверхности, т . е . от отношения величины светового поюка к площади светочувствительного слоя. Наибольшая чувстви­

тельность получается при малых освѳщѳнностях. Это позволяет исполі зовать фотореэисторы для измерения очень малых интенсивностэй из­ лучения (например, для индикации температуры и положения тел, нагретых до температур порядка 200 + 400°С),

ВольтАамперная характеристика (рис .38,6) представляет оо- бой зависимость фототока и темнового тока от напряжения, при­ ложенного к фоторезистору при постоянной освещенности его поверхности. Критерием выбора напряжения питания цепи о фоторезистором является стремление получить достаточно высокую К, а также ограничить выделяющуюся мощнооіь в фоторезисторе.'превьн: шение которой приводит к необратимым процессам.

Таким образом, в фоторѳзисторах фототок зависит не только от лучистого поюка, но и от величины приложенного внешнего •

напряжения LL . Поэтому основным параметром фоторезисторов

 

 

 

-

96 -

 

 

хакхе

является

удельная

чувствительность

-

величина., определяе­

мая оіноиением интегральной чувствительности к приложенному

внешнему напряжение,'

 

 

 

 

 

 

_ _

К

_

M * А

 

К У д

'

U

Cp-U

ЛМ-6 '

Как

и во всех

полупроводниковых приборах,

ъ'.'оторелнетирах суще-і

ственное значение имеет зависимость их параметров от температуры.

Изменение

температуры в основном изменяет темновую проводимость

и смещает

красную границу фотоэффекта, В практике

надо учитываіь

изменение

температур рабочей среды и сравнивать со

справочными

данными диапазона рабочих температуры (в градусах Цельсия) фоторе­ зистора.

В некоторых случаях удобно пользоваться кратностью изменения сопротивления, т . е . отношением сопротивления к темноте к сопро­ тивление при освещении.

Срок службы фотосопротивлений порядка ІСООО ч.

По сравнение с вакуумными фотоэлементами фоторезисгоры об­ ладают рядом достоинств: более высокая интегральная чувствитель­ ность, простота изготовления, невысокая стоимость, малые габари­ ты, высокая надежность, почти неограниченный срок службы (ІОООО ч ) . При работе фотосопротивления в схемах измерения и

контроля особо важное значение имеет стабильность его параметров (оообенно постоянство чувствительности) во времени. После трени­ ровки (создается рабочий реж».м фоторезистораи з течение не­ скольких сотен часов) фотореэисторы характеризуются большой ста­ бильностью - фотоюк стабилизируется, Фотореэисторы обладают большой мощностью рассеяния, благодаря чему можно управлять электрической цепью мощностью в несколько ватт.

Недостатком фоторезисторов является инерционность. Постоян­ ная времени, определяющая фронт нарастания импульса тока при


-

97 -

 

прямоугольном световой

импульсе, достигает сотых долей секунды

у большинства типов фоторезисторов, и только

сериисто-ісвкнцо-.

вые могут работать при нескольких килогорцах.

Другим недостатком резисторов является

резко выраженная

зависимость их сопротивлений от температуры окружающей среды, ог­ раничивающая применение в широких интервалах іемператур. На каж­ дые І0°С изменения температуры удельное сопротивление их при на­

личии облучения

изменяется

примерно на

і +

э % от исходного зиаче-.

ПИЯ .

 

 

 

 

 

Как и все полупроводниковые лриборы, фоторезисторы имеют

значительный разброс параметров у одного и того же типа.

Основные

показатели

фоторезисторов приведены в

Прилонениях

5 и 6.

 

 

 

 

 

Применение

Указанные

достоинства

обуславливают

фоторезисторам

широкое применение в самых

различных

автоматичео»

 

ких устройствах и приборах, где используются фотоэлементы. Фоточ резисторы удобно сочетаются с мостовой и усилительной схемами, позволяют создавать высокочувствительные измерители интенсивности светового потока.

Обладая большой мощностью рассеяния и высокой величиной рабочего напряжения, фотореэисторы позволили осуществить простей­ шую конструкцию фотореле без предварительного усиления фототока. На рис.39 изображены схемы реле для постоянного (рис.39,а) и пере­ менного (рис.39,6) токов. Принцип работы таких реле очень проот.

Темновое сопротивление,

например,

ФСК-І порядка 10

Ом, поэтому

при отсутствии света ток

в

цепи,

состоящий из

фотосопротивления

и обмотки электромагнитного

реле,

недостаточен

для

срабатывания

реле. При освещении сопротивления

§СК-І уменьшается

в ІчО раз и


\ £

I

 

X — * * £ «

s

...

 

6

Р

и с.39. Примеры применения

фоторезнсторов:

 

а 1 фотореле на

постоянном токе; d фо

 

торѳле на переменном токе; в мостовая

 

схема включения;

г і

с усилительной

схемой

ток возрастает. Необходимое значение тока для срабатывания реле

достигается соответствующим подбором рабочего напряжения, типа реле и интенсивности светового тока. Фотореле, собранное по мосто­ вой схеме (рис.39,в), обладает более высокой чувствительностью.

В тех случаям, когда требуется от автоцата управление значи­ тельный» мощностями, через контакты первичного реле вводится вто­ ричное реле.

Фотореле на оонове фоторезисторов применяются для защиты участков территории öi проникновения посторонних лиц, для конт­

роля размеров, цвета и качества поверхности различных изделий, для счета деталей и т . д .

- 9? ~ Для получения большей чувствительности применяются фоторези­

сторы с электронными усилителями постоянного или переменного тока (рис.39,г). С изменением освещенности изменяется фототок, равпый здесь току базы, ток коллектора будет изменяться больше

фототока в коэффициент

усиления раз. Нагрузкой мозеі быть стре­

лочный

прибор или

реле

(релейный режим схемы).

 

 

 

 

Фотодиоды

 

 

Фотодиодом

называется полупроводниковый

фотоэлектрический

прибор

с внутренним фотоэффектом, имеющий один

переход р-г>, ,

при освещении которого появляется э . д . с . (режим фотогенѳратора) или изменяется величина обратного тока (режим фотодиода).

Принципиальное устройство фотодиода, его условное обозна­ чение и режимы включения показаны на рис.40.

Рек им работы

фстодиога без

внешнего источника питания назы-і

вается ?е;.:і'Уом

фотогснеттора

(рис.чС.в).

Если к фотодиоду последовательно нагрузке подключить

Сеет

4

Р и с.40. Фотодиод:

 

a -i схематическое устройство; б

услов-»

ное обозначение на схемах';' в ч схема

включения в режиме генератора; г

- схема

включения в диодном ренине