Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf

насыщения (или близком к насыщениг). Такие состояния триггера будут устойчивыми, два других (оба транзистора одновременно за­ крыты или открыты) неустойчивые.

Использование насыщенного режима транзистора позволяет су­ щественно повысить помехоустойчивость схемы (защитить от ложного срабатывания), так как потенциал коллектора насыщенного транзисто­ ра практически остается постоянным даже при сравнительно заметных ивменеяиях входного тока. Креме т о г о , л режиме насыщения остаточ­ ное напряжение на транзисторе и его внутреннее сопротивление уменьшаются, что способствует более полному использованию энергии источника питания и повышению нагрузочной способности триггера. .

Для удобства в анализе работы триггера равобьеы весь процесс работы на три этапа.

1-й этап: с момента включения до установления исходного со­ стояния. Поскольку схема триггера симметрична, то сраву после включения источников питания оба транвистора могут оказаться открытыми или закрытыми. Докажем, что эти состояния триггера неустойчивы. Так, например, когда оба транзистора одновременно открыта, схема работает как усилитель тока с вамквутой петлей обратной связи. Предположим, что из-за олучайннх отклонений (на­

личие нестабильности источников питания, неидентичности транзисто­ ров и других деталей схемы, ивменения температуры и прочих причин)

ток Оаан первого транвиотора Tj (ом.рис.44,а) увеличивается на величину Д 3$ • Изменение тока базы усиливается транзистором и

- I I I -

приводит к увеличению тока коллектора:

поддерживаться в том же направлении, в каком оно возникло, до пол­ ного насыщения одного транзистора и полного запирания другого (в данном случае Tj откроется, a Tg закроется). Благодаря малой инер­ ционности транзисторов протекание описанного, процесса лавино­ образно и заканчивается переходом схемы в одно иа устойчивых состояний.

2-й этап; исходное состояние. Ввиду симметричности схемы оба транзистора находятся в одинаковых условиях. Какой из них

- T I 2 -

ние же положительного импульса на базу закрытого транзистора Т2 іне вызывает изменения его состояния. Таким образом, к концу за­

пускающего импульса при достаточной его длительности оба транзисто­

ра оказываются в закрытом состоянии. А так как оба транзистора находятся в одинаковом оостоянии, то после окончания запускающего импульса переход схемы в устойчивое состояние имеет случайный ха­ рактер. Это значит, что открыться может любой из транзисторов. Если Откроется бывший ранее открытым транзистор Тт , переключение схемы не

- 113-

цроизойдет. Для того, чтобы после окончания запускающего шшульса триггер перешел во второе устойчивое состояние, т . е . чтобы ранее открытый транзистор Tj закрылся, а Т2 открылся, необходимо нали­ чие в схеме запоминающего элемента. Таким запоминающим элементом является емкости и С2 - Величины емкостей Cj и С2 должны быть такими, чтобы эа время опрокидывания триггера напряжения на них практически не ивменились.

Процесс запоминать происходит следующим образом. После вапирания транвистора Tj ток от источника запускающих импульсов

текающего через емкость Cj. Прекращение этого тока вызывает скач­

пускающего импульса транзистор Тт оказывается снова отпертым. Так

потенциал базы транзистора Tj не изменится существенно и останется таким же, как до поступления запускающего импульса.

Таким образом, после окончания запускающего импульса оба