Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf

В та Л схеме при

коэффициенте усиления по замкнутой цепи,

большем

единицы (К = К,«г>

{) возникает регенеративный процесс.

Схема

переходит только в другое устойчивое состояние (Т2 открыт,

Tj за­

меньше тока базы транзистора Т2 ,

т.е. CJS <

Cfg . Ток

У?, убы­

вает быстрее тока Cfg^ ,

так как конденсатор С2 заряжен

почти

до E R . Следовательно,

ток

базы транзистора Tj прекратится быстрее

тока бавы Т2 , а

значит

Tj

запирается быстрее,

чем Т2 . Так конден­

саторы Cj и С2 і

сохраняя на себе

напряжения во время опрокидывания,

тивления

Яг t Rgt

и открытый транзистор

Т2 . Ток разряда емкости

С2 і создающий на

Rj-t

падение

напряжения

LL s, имеет вначале

максимальное значение, а ватем по мере разряда

емкости убывает

по экспоненциальному вакону. В результате

этого

напряжение на

оазе запирающегося транвистора Tj имеет выброс

(см.рис.4ч,б). •

Емкость Oj зарякаѳтся через сопротивление

RKf

по такому

"путиг

+ £ л ; Т&

,

« , С , , RKf

t - e K .

текает

по сопротивлению RK

. Это приводит к удлинению

заднего

фронта

импульса на коллекторе

запирающегося транвистора Tj

Время

триггера или максиыалыіуг скорость

счета).

О целью повышения разрешающей

способности триггера емкости

8

•— I

4

I

.9

2

му убыванию тока в другом

триоде. Например, если в триоде Tg

ток

случайно увеличится

на

некоторую величину

д, Ок,

то

вызван­

ное

этим изменением тока

повышение

потенциала

коллектора

этого

триода передается через

емкость G,

на вход триода Tj

и вызы­

еще на

л г Зк,

Если в схеме выполнено условие самовозбуждения,

т . е . К -ß>>I,

то первоначальное изменение тока в

триоде

Tg

,

пройдя

по замкнутой цепи усиления и цепи обратной

связи,

усилится

в

К ß

раз, вызовет дальнейшее увеличение тока в

правом

триоде

на

еще большую величину, чем

первоначальное:

Дополнительное увеличение

тока, усилившись вторично в

К

Jb

- 118-

Tj почти равно

нулю.

В момент закрытия напряжение на коллекторе триода Т2 сначала

скачком понижается на величину

л

LLKz

(рис.ч5,б,

участок І--ч) |

а затем экспоненциально поітжается до напряжения коллекторной

батареи - Е к . Напряжение

6^ С /

на обкладках конденсатора Cj в

момент времени

é-t

почти равно напряжению коллекторной батареи,

а напряжение

и ! С г

на обкладках конденсатора С2 в этот

момент

почти равно нулю.

В момент времени

і(

открывшийся

триод Tj создает

путь для

разряда конденсатора Cj и для заряда конденсатора С 2 . Заряд кон­

денсатора Cr, осуществляется от источника коллекторного питания

током, протекающим по пути: эмиттер -

база открытого

триода

Tj* конденсатор С2 , сопротивление

^ « г , - Е к -

За время скачка

(см.рис. 45,6, участок 1-4) вследствие его

ственно измениться. После скачка,

т . е . начинал

с момента, соот­

ветствующего

точке 4", конденсатор

С2

заряжается

по экспоненте

с постоянной

времени:

t b = c e - ( * t , . s , ) «

ct-RKt.

Во время

зарядки конденсатора

С2

(рис.15,б,

участок

ч-,5) почти

все напряжение падает на сопротивление RKt , так как RK

во много

пертый

транзистор Tj шунтирует участок коллектор-эмиттер тран­

зистора Т 2 . Ток эаряда конденсатора

уменьшается по экспоненте. По

тому же закону уменьшается

и падение

напряжения на сопротивлении

RICg

. Поэтому потенциал

коллектора закрывшегося транзистора

Т2 понижается до -Ед по мере варяда

емкости С2 тоже по закону

- 1 1 9 -

экспоненты. По окончании заряда конденсатора

С2

(в

точке

Б) на­

пряжение на нем устанавливается почти равным напряжению источника

коллекторного питания-Ек. Ток заряда емкости С2

прекращается и на

коллекторе

Т2

устанавливается напряжение

і

равное примерно

напряжению Е к .

После отпирания транзистора Tj начинает разряжаться конденса­

тор Сj по пути: положительная обкладка конденсатора

С,

j

- Е к ,

+ Е к ,

эмиттер -

коллектор

открывшегося

транзистора Tj , отри­

цательная

обкладка конденсатора

C j . Так как в цепь равряда кон­

денсатора

Сj входит источник коллекторного питания,

то Oj стремит­

ся перезарядиться до напряжения

- E R .

Постоянная времени перезаряда

конденсатора Cj определяется величинами емкости Oj и сопротивле­

ния

RSi

tp. - С, - R s.

Ток разряда конденсатора Ст , проходя по сопротивлению

/?г

создает на нем падение напряжения, плюс которого поступает на

базу

триода Т2 и держит его в ѳалертоы состоянии, а

отрицательное

напряжение коллектора запертого триода Т2 поддерживает открытое

состояние

триода Tj через

его базу. Открытый триод Tj заходится

в режиме насыщения, его сопротивление

очень мало. Поэтому

конденсатор Ст оказывается подключенным к участку база -

эмиттер

|

триода Т2 ,

т.е. напряжение На базе закрытого

триода Tg будет почти

равно напряжению на конденсаторе Cj и при разрядке конденсатора C j .

напряжение Цгг на базе триода Т2 экспоненциально

понижается (рис.45, б]

участок 2-3)

до потенциала

отпирания триода Tg. В цепи его коллек-

j •

тора появляется коллекторный ток, протекающий по пути: +ЕК , емит-

тер -

коллектор триода Т2 ,

Й к г , -Ед. В.'результате падения напряже­

ния на сопротивлении

RK&

потенциал коллектора

триода Т а

повышает­

ся и через

конденсатор С2

передается

на Оаву триода T j ,

запй-Г^Я