ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 106
Скачиваний: 0
бающих электроны из валентной зоны и частично экрани рующих образец от проникновения поля. При этом автофотоэлектроннып ток может содержать составляю щую эмиссии из поверхностных состояний. Подобное построение в целом представляется несколько искусст венным, так как имеет своим следствием большую чув ствительность автофотоэлектронной эмиссии к любому изменению свойств эмиттирующей поверхности (в част ности, спектра энергий поверхностных состояний или их плотности). Вместе с тем из опытов следует, что фото чувствительность, как правило, появляется в области на сыщения тока, а последнее устойчиво наблюдается прак тически на всех образцах p-типа и высокоомных образ цах электронных полупроводников и слабо зависит от чистоты поверхности. Поверхностные состояния, разуме ется, могут играть и играют важную роль в автоэмиссии полупроводников, особенно в кинетических явлениях и в теории фоточувствительной эмиссии, и их учет в доста точно полной и строгой теории необходим. Авторы работ [93] и ранее [71] впервые обратили на эту сторону проб лемы особое внимание.
Однако нам представляется, что основные закономер ности теории термо-и фоточувствительной эмиссии опре деляются главным образом свойствами объемной обед ненной области.
Влияние экранирующего поверхностного заряда на эмиссию легко учесть и в рамках модели, развиваемой в [89], незначительной модификацией уравнений (6.54) — (6.55) и граничных условий к ним. Эквивалентность по лучающихся при этом результатов может свидетельство вать о принципиальной общности принятых в [89] и в [93] схем описания.
Г л а в а 7
Ненакаливаемые катоды на основе автоэлектронной эмиссии
7.1. Введение
Автоэмиссионные катоды (АЭК) удобно классифици ровать по режиму работы (стационарный, импульсный, режим СВЧ), по отбираемой мощности, по материалу катода (металл, полупроводник, металлоподобное соеди-
207
мение). Классификационные признаки, однако, нельзя считать независимыми: например, в режиме СВЧ выгод но использовать большие мощности, АЭК из полупровод ников, напротив, применяются при малых мощностях.
АЭК из металлов исследованы шире и глубже, чем из иных материалов. С другой стороны, АЭК, изготовленные из металлоподобных соединений и в особенности полу проводников, отличаются от АЭК из других материалов как по физическим свойствам, так и по технологии и практическим применениям. Поэтому неметаллические АЭК будут рассмотрены отдельно.
Среди различных режимов эксплуатации АЭК резко выделяется импульсный режим с отбором высоких плот ностей тока (108А/см2 и более) и с получением возможно больших токов. Независимо от природы материала АЭК, практически для этих целей материал должен быть всег да хорошим проводником, и этот случай следует также рассмотреть особо.
7.2. Источники стационарного эмиссионного тока на основе проводников
Физические особенности АЭЭ проводников. Для про водников (металлов и металлоподобных соединений) в общих чертах справедлива теория Фаулера — Нордгейма [1] (см. гл. 6), приводящая к экспоненциальной зави симости плотности тока / от напряженности электричес кого поля £ и от работы выхода ср:
/я*А (Е2!ср) ехр{—В (фРг'/Е)}, |
(7.1) |
|
где А и В — константы. |
I = Sj |
пропорциона |
Учитывая, что эмиссионный ток |
||
лен / (S — площадь эмиттера), а |
поле в |
большинстве |
случаев пропорционально приложенному |
напряжению: |
|
E = aU |
|
(7.2) |
(а — константа), зависимость тока от напряжения |
будет |
||
подобна формуле (7.1) |
|
|
|
/ |
\ |
а и / |
(7.3) |
о |
|
То обстоятельство, что эмиттируемые электроны исхо дят из энергетической области вблизи уровня Ферми, т. е. из области с крайне высокой концентрацией элек-
208
Тронов в проводниках, обусловливает такое важное свой ство АЭЭ, как высокие /. Для стационарной АЭЭ явля ются характерными /~ 103 ... 105 А/см2, причем эти зна чения не считаются слишком большими, предельно в стационарном режиме при обеспечении мер по сохранению стабильности возможен длительный отбор / = 107 А/см2 (а в импульсном режиме достигнуты /> 109 А/см2). Это свойство АЭЭ обусловило два направления использова ния АЭК: при необходимости не слишком мощных по току, но высококонцентрированцых электронных пучков и при необходимости максимально возможных по вели чине токов.
Ток АЭЭ сильно (сильнее, чем термоэлектронный ток) зависит от работы выхода ф. Это позволяет в широких пределах управлять свойствами АЭК при его выборе и
конструировании, но, с другой стороны, |
зависимость |
от |
Ф — одна из причин нестабильности АЭК, |
связанной, |
на |
пример, с адсорбцией или миграцией каких-либо приме сей, влияющих на ф. Требование сверхвысокого вакуума для удовлетворительной работы АЭК вызвано в значи тельной мере необходимостью поддержания постоянства работы выхода его поверхности. Ток АЭЭ имеет резкую экспоненциальную зависимость от напряженности элек трического поля Е. Отсюда следует возможность актив ного управления эмиссией изменением напряжения U. Вольт-амперная характеристика АЭЭ нелинейна и может быть весьма крутой (она тем круче, чем ниже /), что предопределяет соответствующие применения АЭК для создания нелинейных приборов. Зависимость I от Е используется при конструировании АЭК. Но необходи мость высоких Д^ПО7 В/см (см. § 6.2) налагает жесткие требования на типичную конфигурацию АЭКЭто всегда поверхности с высокой кривизной: острия, лезвия, высту пы и т. п., необходимые для увеличения а в (7.2), чтобы получить сильное поле ценой допустимых, не слишком высоких U. Экспоненциальная зависимость тока АЭЭ от Е — вторая существенная причина нестабильности АЭК, особенно в плохом вакууме или же при наличии подвиж ных адсорбированных пленок.
Пучок электронов, вышедших из АЭК, отличается вы сокой степенью моноэнергетичности. Распределению по полным энергиям при ср = 4,4 эВ и Т — 8О К соответствует полуширина 0,15 эВ (это соответствует, например, kT при 1200 К). С понижением ф и Т пик распределения
14—473 |
209 |
эЛек1фонов АЭЭ еще более обостряется. Высокая «монсн хроматичность» автоэлектронов оказывается ценным ка чеством в ряде применений АЭК, особенно тех, где тре буется высокая точность фокусировки или формирования электронных сгустков. Наконец, АЭК не требует подо грева и является поэтому безынерционным.
Особенности конструирования и технологии металли ческих АЭК. В принципе любые достаточно тонкие вы ступы, у поверхности которых при имеющихся напряже ниях возникают поля порядка 107 В/см, могут служить источниками АЭЭ. Соответственно любые способы созда ния тонких выступов могут быть положены в основу технологии изготовления АЭК [2]. Имеется несколько спо собов конструирования АЭК, из которых можно выделить два принципиально различных: 1) разработка техноло гических приемов, приводящих к построению АЭК с за данными геометрическими параметрами, на заданное на пряжение и ток; 2) построение поверхности с множест вом различных выступов, бугорков и т. п., с последующей тренировкой, в результате которой наиболее тонкие вы ступы гибнут и затупляются и эмиттирует какая-то часть неровностей «оптимального» размера. Первый путь, обычно более дорогостоящий, приводит, однако, к созда нию АЭК, пригодных для любых применений АЭЭ с наи более строгими требованиями к эмиттеру. Второй путь, обеспечивающий, как правило, относительно простую технологию, позволяет конструировать АЭК с ограничен ным кругом применений, когда требования к стабильно сти, воспроизводимости, уровню низкочастотных шумов в значительной степени снижены.
Наиболее типичной и хорошо освоенной формой АЭК является острие, приготовленное заточкой металлической проволоки или стержня. Такой автоэмиттер рассчитан на не слишком большие токи. Если без существенного уве личения напряжения желают получить заметно большие токи АЭЭ, идут по пути увеличения эффективной поверх ности АЭК. Для этого либо заменяют одноострийный эмиттер многоострийным, содержащим большое число
одинаково |
эмиттирующих |
острий, либо |
переходят |
к эмиттерам |
в виде лезвий. |
Поскольку эти |
последние |
типы АЭК связаны с получением больших токов, их кон струирование, а также возникающие при этом специфи ческие трудности (например, достижение максимальной эффективности, т. е. одновременной работы острий)
210
обсуждены ниже, при описании мощных импульсных источников АЭЭ. Здесь отмстим, что в ряде случаев эффективный многоострийный эмиттер целесообразно; использовать и на слабых токах. В этом случае при про чих равных условиях каждое острие работает в режиме меньшей плотности тока /. При этом повышаются крутиз на вольт-амперной характеристики, стабильность и дол говечность АЭК, а также может несколько снизиться и: рабочее напряжение.
Хотя для самого эффекта АЭЭ нагрев не требуется,. АЭК монтируется таким образом, чтобы по меньшей мере во время изготовления прибора эмиттер мог быть сильно прогрет. Недостаточно прогретое острие имеет несформированный ребристый конец, который может оказаться нестабильным и нерегулярным АЭК. Обычно же хорошо прогретые (до температур, составляющих не менее 70% от Тпл) острия имеют скругленные каплеобразные концы с атомарно гладкой поверхностью. Заострение исходных стерженьков производят с помощью химического или электролитического травления.
Рецепты травящих ванн и режимы [3, 4] обычно явля ются модификацией соответствующих способов электро полировки [5]. Известны специальные приемы, усиливаю щие воспроизводимость формы и радиуса закругления острий [6—8]. От окончательного радиуса закругления острия (после термической обработки) и от работы вы хода его поверхности (от средней автоэмиссионной ф, близкой к минимальной [9]) зависит, на какой ток и на пряжение будет рассчитан АЭК при некотором стандарт ном расположении анода. Реальный конец острия имеет, как правило, достаточно сложную форму. Поэтому для расчета электрического поля Е (чтобы затем вычислить ток АЭЭ) используют различные аппроксимации, напри мер: суперпозицию полей сферы и конуса [10], сферы и гиперболоида вращения [11] и др. С помощью приближе ния [11] в рамках теории Фаулера — Нордгейма [1] была вычислена номограмма (рис. 7.1) [84], позволяющая для заданных П и / определить радиус острия (из вольфра ма или другого материала с ф 1=4,5 эВ) и плотность тока /. Последняя предопределяет режим работы.
Среди металлов наибольшее применение в качестве материала острий нашел вольфрам. Как наиболее туго плавкий он легко может быть очищен прогревом в ваку уме от большинства поверхностных примесей. Но, с дру-
14' 211
Рис. 7.1. Номограмма, связывающая ток автоэлектронной эмиссии и анодное напряжение автоэмиссионного одпоострийного диода с ра
диусом закругления острия г (см) и плотностыо тока |
автоэмис |
сии j (А/см2). |
|
Расстояние катод—анод Д=5 см и доля поля сферы по Дрехслеру |
и Хенкелю |
а —0.25. |
|
212