ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 82
Скачиваний: 0
мощностью источника, импедансом прибора. Вопрос о за полнении импульса прямоугольной формы, например ко
лебаниями СВЧ, для АЭЭ |
вполне разрешим |
(см. § 7.2) |
и весьма проблематичен |
для ВЭ. Для АК |
допустимы |
широко варьируемые длительности импульса вплоть доперехода в стационарный режим.
Максимальная длительность импульса т Макс ВК, как мы видели, ограничена физическими причинами и для данного прибора допускает слабые изменения.
АЭЭ приборы допускают любую частоту повторения импульсов /. Ограничения здесь (как и по Тмакс, и для стационарного режима) определяются лишь выделением мощности в катоде за счет джоулева тепла, тепла Ноттингама и опасностью перехода в режим ВЭ. Приборы с ВЭ после каждого импульса требуют перерыва, необ ходимого для деионизации плазмы, конденсации матери ала и образования новых микровыступов. Поэтому ча стоты повторения ограничены сверху. Известные устрой ства, работающие по принципу ВЭ, используют относи тельно невысокие /' (до нескольких десятков герц), или же работают в режиме однократных импульсов.
Главным условием стабильной работы АК является сохранение неизменных свойств эмиттирующей поверх ности. Это достигается поддержанием в области ка тода сверхвысокого вакуума и предотвращением или лик видацией последствий ионной бомбардировки (см. §7.2), например, при импульсной работе катода непрерывным или кратковременным подкачиванием автоэмиттера.
Стабильность и воспроизводимость работы В1\ обус ловлена возобновляемостью эмиттеров при удачном выбо ре конструкции и материала катода, а также схемных
ограничений в цепи питания. Высокий |
вакуум |
здесь |
в принципе не нужен. Относительно |
плохой |
вакуум; |
(10-4 ... 10~5 мм рт. ст.) иногда способствует легкому пе реходу АЭЭ к ВЭ, т. е. является улучшающим фактором.
Для получения предельно больших токов в течение требуемой длительности в режиме АЭЭ приходится за ботиться о чрезвычайно ровном плато импульса напря жения. Для получения максимальных токов ВЭ важноиметь возможно более крутой фронт при достаточной амплитуде импульса напряжения.
Разумеется, автокатоды — высоковольтные источникиэлектронов. Но их легко использовать и при напряжени ях от 1 до нескольких киловольт и, напротив, при
300
(подъеме U до 100... 300 кВ и выше возникают хотя и не принципиальные, но серьезные технологические за труднения при изготовлении приборов с относительно «тупыми» автоэмиттерами.
Взрывные катоды хорошо работают при высоких и сверхвысоких напряжениях, начиная от десятков и сотен киловольт и кончая десятками мегавольт. При несколь ких киловольтах получать большие токи за счет ВЭ, ви димо, принципиально можно, но затруднительно из-за плохого самовоспроизведения катодов. Но чем выше U, тем увереннее работают взрывные катоды.
Сопоставление возможностей практического использо вания автоэмиссионных и взрывных катодов. Очевидно,
что автоэлектронная эмиссия является более предпочти тельной по сравнению с взрывной для получения интен сивных электронных потоков во всех тех случаях, когда требуются стационарные токи, большие длительности импульсов или высокие частоты их повторения. К наи более важным применениям такого рода относятся:
1) получение интенсивных электронных зондов для растровой и обычной электронной микроскопии, микро анализа, рентгеновской микроскопии, электронно-луче вых приборов;
2)создание устройств, работающих в диапазоне СВЧ;
3)применения в микроэлектронике;
4)получение больших импульсных токов при малых скважностях и относительно больших длительностях импульсов.
Взрывная эмиссия охватывает в основном наносекундный диапазон длительностей импульсов и, по-видимому, главным образом, режимы малых частот повторения и
•однократных включений. По сравнению с АЭЭ ВЭ обла дает большей простотой технологии и конструирования катодов и менее жесткими условиями’их эксплуатации.
Практическая пригодность взрывных катодов для по лучения больших токов подтверждена экспериментально. По-видимому, почти все импульсные ускорители электро нов с гигантскими токами :[11-—13, 46] — используют этот принцип. Несомненно, тем же путем извлекаются элек троны в широко известных импульсных рентгеновских аппаратах ИРА-1, ИРА-2Д, ИРА-3, «Квант» [10, 77—79], спроектированных под руководством В. А. Цукермана и серийно выпускаемых в СССР [84].
ВЭ обладает практически неограниченной возмож-
301
ностыо получения больших токов. Исследование этого* вида эмиссии находится еще в начальной стадии, и мно гие из отмеченных выше затруднений использования ВЭ, по-видимому, могут быть преодолены. Сюда относятся трудности формирования заданного импульса тока, со гласования с источником питания, управления распреде лением плотности тока в пучке.
После того как выяснилось, что в большинстве силь ноточных ускорителей эксплуатируется не АЭЭ, а ВЭ, стала осознаваться недостаточная изученность самой АЭЭ в этих практически важных условиях. Возникли даже сомнения, возможно ли использование АЭЭ в чи стом виде в сильноточных устройствах. Однако недавно выполненные эксперименты [85] свидетельствуют, что по меньшей мере до сотен киловольт автоэмиссионные катоды вполне работоспособны. Видимо, в этом режиме функционируют импульсные рентгеновские источники и приборы с выпуском электронов сквозь фольгу, изготов ляемые в США фирмой ФЭК [80—82]( см. также § 7.5).
Нам представляется, что в диапазоне наносекундных импульсов АЭЭ и ВЭ должны применяться в зависимо сти от конкретной задачи с учетом как физических, так и экономических соображений. При высоких требованиях к форме импульса и к энергетическому спектру следует отдать предпочтение АЭЭ. Требованию получить наи большие токи возможно более простым путем лучше от вечает ВЭ.
В заключение перечислим ряд областей техники и физики, где АЭЭ и ВЭ могут использоваться сегодня или
вближайшем будущем:
1.Получение рентгеновских вспышек для просвечи вания — предпочтительнее ВЭ.
2.Получение рентгеновских вспышек с заданным спектральным распределением, с определенной зависи
мостью интенсивности от времени |
— на сегодняшний |
день этой задаче лучше соответствует АЭЭ. |
|
3. Получение рентгеновских вспышек для регистрации |
|
быстро протекающих процессов — по |
физическим прин |
ципам здесь удобнее использовать АЭЭ, но практически применяют ВЭ, поскольку это легко осуществимо уже сегодня.
4. Получение больших импульсных токов для управ ляемого термоядерного синтеза — здесь, по-видимомуг
302
легче идти до пути применения ВЭ, по трудности возни кают при увеличении длительности импульса т.
5.Прочие импульсные сильноточные ускорители для разнообразных физических исследований — чем короче т, тем в большей мере рационально использовать ВЭ.
6.Ускорители, использующие методы коллективного
(когерентного) ускорения — ввиду |
высоких |
требований |
|
к энергетическому |
спектру перспективнее оказывается |
||
АЭЭ. |
возбуждение |
квантовых |
генерато |
7. Электронное |
ров— поскольку здесь требуется однородное распределе ние плотности тока по поверхности анода, применение АЭЭ предпочтительнее, чем ВЭ, хотя принципиально эф фект наблюдается и с ВЭ.
Развитие науки и техники, несомненно, подскажет и иные применения АЭЭ и ВЭ и, возможно, изменит соот ношение областей их использования. Изложенные сооб ражения соответствуют сегодняшнему состоянию вопро са, для которого, как нам кажется, типично: понимание глубоких различий между АЭЭ и ВЭ и необходимости дальнейших основательных исследований ВЭ, а также и АЭЭ в режиме предельных плотностей тока.
Список литературы
|
|
|
К ГЛАВЕ 1 |
|
|
|
1. Р о з е н б е р г |
Г. |
В. |
Оптика |
тонкослойных |
покрытий. |
М., Физ- |
матгиз, 1958. |
|
В. П., Т о ч и ц к и й Э. И. Структура тонких ме |
||||
С е в е р д е н к о |
||||||
таллических |
пленок, |
Минск, |
«Наука и |
техника», |
1968. |
2.Т у н Р. Э. Структура тонких пленок. — В кн.: Физика топких пленок, т. 1, М., «Мир», 1967, с. 224—274.
.3. Н е й ге б а у э р К. А. Явления структурного разупорядочения в тонких -металлических пленках. — В кн.: Физика тонких -пленок, т. 2, М., «Мир», 1967, с. 13—82.
4.F г е п k е 1 J. Theorie adsorption und Verwanter Erscheinungen. — «Z. Phys., 1924, Bd. 26, S. HI7—138.
.5. P 6 c z a |
E. |
F., |
|
В a r n а |
А., В a r n a |
P. |
B. |
Investigations |
of |
||||||||||
|
growth mechanism of vacuum deposited indium layers by statisti |
||||||||||||||||||
|
cal methods.—In: Proceedings of the colliquium on thin films, Bu |
||||||||||||||||||
|
dapest, OPAKFI, 1965, p. 97—100. |
|
field |
on |
the |
growth of thin |
|||||||||||||
6. C h o p r a |
|
K. L. Influence of electric |
|||||||||||||||||
7. |
metal |
films. — «J. Appl. Phys.», |
1966, v. 37, № 6, p. 2249—2254. |
|
|||||||||||||||
R i c h a r d |
J. A |
l’etude des proprietes optiques anormales de cer |
|||||||||||||||||
|
tains |
metaux |
pris |
en |
couche |
mince. — «Ann. |
Phys. -'1964, t. |
9, |
|||||||||||
|
№ 11—12, p. 697—728. |
|
В. Ф., |
К р а м а -р е н к о |
Г. С. Особе-t- |
||||||||||||||
8. Б о р з я к |
|
П. Г., |
Б и б и к |
||||||||||||||||
|
ности фотоэффекта серебряно-кислородно-цезиевых |
фотокато |
|||||||||||||||||
|
дов. — «Известия |
АН |
СССР. |
Сер. |
физ.», 1956, т. |
20, № |
9, |
||||||||||||
|
с. 1039—1049; |
|
С а р б е й О. Г. Фотоелектронна eMicin диспер- |
||||||||||||||||
|
К а т р и ч |
Г. А., |
|||||||||||||||||
|
гованих пл1вок cpi6na.— «УФЖ», |
1961, т. 6, № 3, с. 418—420. |
|
||||||||||||||||
|
G а г г о n |
R. Sensibilite |
photoelectrique des couches minces metal- |
||||||||||||||||
9. |
liques. — «Ann. |
|
Phys.», |
|
1965, |
t. |
10, |
№ |
9, |
p. |
595—622. |
|
|||||||
N e u g e b a u e r |
C. A., |
W e b b |
M. B., |
Electrical |
conduction me |
||||||||||||||
|
chanism in ultrathin, evaporeted metal |
films. — «J. Appl. Phys.», |
|||||||||||||||||
|
1962, v. 33, № 1, p. 74—82. |
|
R. H. Electrical |
conduction |
in |
||||||||||||||
|
N e u g e b a u e r |
|
C. |
A., |
W i l s o n |
||||||||||||||
|
discontinuous |
metal films. — In: Basic |
problems |
in |
thin |
films phy |
|||||||||||||
10. |
sics. Gottingen, «Vandenhoech und Ruprecht», 1966, p. 579—590. |
|
|||||||||||||||||
V о d а г |
В., |
О f f r e t S. Adsorption et |
conductibilite des couches |
||||||||||||||||
11. |
metalliques. — «Le Vide, |
196-2, t. 17, № |
100, p. 294—298. |
|
|
||||||||||||||
В о r z j a k |
P. G., S a r b e j O. G., F e d о г о w i t s c h R. D. Neue |
||||||||||||||||||
|
Erscheinungen in sehr diinnen Metallschichten «Phys. Stat. Sol.», |
||||||||||||||||||
|
1965, v. 8, № 1, p. 55—60. |
conduction and |
electron emission of dis |
||||||||||||||||
|
D i 11 m e r |
G. Electrical |
|||||||||||||||||
|
continuous thin |
films. — «Thin Solid Films», v. 9, № 3, p. 317—328. |
|||||||||||||||||
|
П а с т у ш е н к о |
Л. |
А., |
Ф е д о р о в и ч |
|
P. Д. Электропровод |
|||||||||||||
|
ность и электронная эмиссия диспергированных пленок хрома. — |
304