Файл: Ненакаливаемые катоды..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 83

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

В кн.: Диспергированные металлические пленки. Киев, Институт физики АН УССР, 1972, с. 279—286; В а т а м а н ю к В. И., К у л ю п и н Ю. А., Ш а л д е р в а и А. И.

. Структура, электропроводность и электронная эмиссия дисперги­ рованных пленок висмута. Там же, с. 287—296.

И о ф и с Н. А., П а р о л ь Н. В., Ш а р а п о в а Т. Л. Исследо­ вание эмиссии горячих электронов из системы металлическая дис­ пергированная пленка — ионный полупроводник. Там же, с. 297—307.

12.M i n n S. S. L’etudie experimentale de conductivite du couches minces d’or.—«J. Techn. Centre Nat. Rech. Sci. Lab. Bellevue», I960, № 51, p. 134.

13.

S t e e n s e l

K. Electrical conduction in island-structure films of

 

gold and platinum of insulating

substrates. — «Philips

Res. Repts.»,

14.

1967, v. 22, № 3, p. 246—266.

 

 

very

W e i t z e n k a m p

L. A., B a s h a r a N. M. Conduction in

 

thin

films at

high electric fields.—«J. Appl. Phys.»,

1964,

v.

35,

 

№ 6, p. 1983—1984.

 

 

 

 

 

15.

H a r t m a n

T. E. Electrical conduction in discontinuous thin me­

16.

tal

films. — «J. Appl. Phys.», 1963, v. 34, X? 4, p. 943—949.

 

 

T о м ч у к П. M., Ф е д о р о в и ч Р. Д. Проводимость тонких ме­

 

таллических

пленок

островной

структуры. — «ФТТ»,

1966,

т.

8,

10, с. 3131—3133.

17.H i l l R. М. Electrical conduction in thin aggregated metal films.— «Nature», 1964, v. 204m № 4953, p. 35—36. Hill R. M. Electrical conduction in ultra thin films.—«Proc. Roy. Sos. А», 1969, v. A309, р. 377—417.

18. F r e n k e l J. On the electrical

resistance of contacts between so­

lid conductors.—«Phys. Rev.»,

1931, v. 36, № 11, p.

1604—1618.

N i f о n t о f f M. N. .Etude de

la barriere de potentiel separant

deux electrodes de meme metal

portees a potentiels

differents. —

«Compt. Rend.», 1953, t. 236, №

16, p. 1538—1540.

 

19.M il g r a m A. A., Chin-Shun-Lu. Field effect and electrical con­ duction mechanism in discontinuous thin metal films. — «J. Appi. Phys.», 1966, v. 37, № 13, p. 4773—4780.

20.Исследование центров свечения и электронной эмиссии в диспер­

 

гированных пленках золота. — «УФЖ»,

1969, т. 14, № 3, р. 396—

 

402. Авт. П. Г. Борзяк, Ю. А.Кулюпин, О. Г. Сарбей, Р. Д. Федо­

 

рович.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К у л ю п н н

Ю. А., Ф е д о р о в и ч

Р. Д. Изменение работы вы­

 

хода электронов из центра эмиссии в пленках золота, активиро­

 

ванных окисью бария. — «ФТТ»,

1972, т. 14, №

10, р. 3105—3107.

21. Т о м ч у к П. М., Ф е д о р о в и ч

Р. Д. Эмиссия горячих электро­

 

нов из тонких металлических пленок. — «ФТТ»,

1966, т. 8,

1,

22.

с. 276—278.

Yu. A., P i l i p c h a k

К.

N.

On

the

radiation

ol

K u l y u p i n

 

discontinuous

gold films by electric current

transmission. — «Phys.

 

Stat. Sol. (a)», 1972, v. 11, Ns 1, p. K15—19.

 

 

 

 

 

 

О природе свечения диспергированных металлических пленок.

 

Препринт ИФ-73-5, Киев, Ин-т физики

АН УССР,

1973,

Авт.:

23.

П. Г. Борзяк, В. М. Коломиец, Ю. А. Кулюпин, Э. А. Пашицкий.

С у х а р и е р

А. С., 3 а г р е б и е в а

С. В. К вопросу о причинах

 

нестабильности электронной эмиссии из тонких диспергированных

20—473

 

 

 

 

 

 

 

305


пленок золота, активированных окисью бария. — «Известия АН

СССР. Сер. физ.», 1971, т. 35, № 2, р. 298—301.

Исследование эмиссионных свойств золотых пленок активирован­ ных ВаО. — «Электронная техника. Сер. 5», 1969, № 2, с. 10—18. Авт. А. С. Сухариер, С. В. Загребнева, В. М. Сучилин, В. М. Трусаков.

24. K o h n k e Е. Е. Electrical and optical properties of natural stannic oxide crystals. — «J. Phys. Chem. Solids.», 1962, v. 25, № 11, р. 1557—1562.

25. R a j u T. A.,

H a r r e 11 B.

J. Manifestations

of sustained

secon­

dary electron

emission from

oxial films. — «J.

Appl. Phys.»,

1969,

v. 40, № 10, p. 4213.

26.Эмиссионные свойства холодных катодов на основе пленок дву­

 

окиси олова (БпОг). — «Радиотехника и электроника»,

1972, т. 17,

 

№ 4, {с. 1471—1478}. Авт.: В. В. Никулов, Г. А. Кудинцева,

 

М. И. Елинсон,, Л. А. Косульникова.

 

 

 

 

 

 

 

 

27. Эмиссия

горячих

электронов и автоэлектронная эмиссия из оки­

 

си олова. — «Радиотехника

и

электроника»,

1965,

 

т.

10,

8,

 

с. 1500. Авт.:

М. И. Елинсон,

А. Г. Ждан,

Г. А. Кудинцева,

 

M. Е. Чугунова.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

28.

П а н к р а т ь е в

Е. М.,

Р ю м и н

В. П., Щ е л к и н а

Н. П. Тех­

 

нология полупроводниковых слоев двуокиси олова. М., «Энергия»,

29.

1969.

 

 

 

 

 

 

J. F., R a j u Т. A. Electron

emis­

S о е 11 n е г А. М., S p o u s e

 

sion from

regions

of high resistance in the oxide

films. — «J. Appl.

30.

Phys.», 1968, v. 39, № 3, p. 1911.

 

Engineering»,

 

1967,

A new type of cold cathode

tube. — «Product

 

 

v. 38, № 9, p. 27.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

31.

Эмиттеры

с

холодным

катодом. — «Электроника»,

1967,

т.

40,

32.

№ 5, с. 85.

П. Г.,

К а т р и ч

Г. А., С а р б е й

О. Г. Электронная

Б о р з я к

 

эмиссия из CdS при прохождении тока. — «ФТТ», 1961, т. 3, № 7,

 

с. 2186.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

33.

Б и б и к

В. Ф.,

Б о р з я к

П.

Г., С а р б е й

О. Г. Эмиссия

не­

 

равновесных

электронов

из

сернистого кадмия. — «ФТТ»,

 

1962,

 

т. 4, № 11, с. 3003.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

34.

Ф е д о р о в и ч

Р. Д. «Холодна» електронна

емк1я

з

пл1вок

 

«Украшський

физичний

журнал», 1964, т. 9, №

3,

с.

345.

 

 

 

35.

S t г a t t о n

R. The influence

of

interelectronic

collisions on

con­

 

duction and breakdown in polar crystals. — «Proc. Roy. Soc.»,

1958,

 

v. 246A, № 1246, p. 406.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

36.

H о e f 1e r

D o n

C. Vacuum tube concept being applied to 1 Cs.—

 

«Electronic News», 1969, Dec. 22.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

37. Ш оу л д е р е

К. Комплексные

системы на

микроминиатюрных

 

электровакуумных приборах. — В кн.: Микроэлектроника и боль­

 

шие системы. Под ред. В. Г. Толстова, М., «Мир», 1967, с. 119—

38.

144.

 

С. A.,

S h о u 1 d е г s

К. R. Research

in

Micron — Size

S р i n d t

 

Field — Emission

Tubes. — In:

Conference on

tube

techniques,

8,

 

New York,

1966,

Papers.' Spons, by IEEE Electron Devices

group.

39.

N. Y. 1967, p. 143—147.

 

 

 

 

cathode. — «J.

 

Appl.

S p i n d t

 

C.

A.

A thin-Film field emission

 

 

Phys.», 1968, v. 39, № 7, p. 3504—3505,

 

 

 

 

 

 

 

 


40.A r c h e r J. Л. Asperities and field emission. — «J. Appi. Phys.», 1966, v. 37, № 5, p. 2176.

К Г Л А В Е 2

1. К он у э л л Э. Кинетические свойства полупроводников в силь­ ных электрических полях. Пер. с англ. Под ред. И. Б. Левинсона, Ю. К. Пожелы, М., «Мир», 1970.

2.Новые методы полупроводниковой СВЧ — электроники. Эффект Ганна и его применение. Пер. с англ. Под ред. Стафеева В. И., М., «Мир», 1968.

3. Д ы к м а н II. М., Т о м ч у к П. М. Влияние электрического поля на температуру электронов и температурную эмиссию в полупро­

водниках.

III. Термоэлектронная

эмиссия. — «ФТТ», 1961,

т. 3,

№ 2, с. 632—641.

С а н д о м и р с к и й В. Б. К теории внешней

4. К о г а н

Ш. М.

эмиссии горячих

электронов из полупроводников. — «ФТТ»,

1960,

т. 2, № 10, с. 2570—2578.

И. М., Т о м ч у к П. М. Эмис­

5. Г р и г о р ь е в Н. ГГ, Д ы к м а н

сия горячих электронов из полярных полупроводников с непара­

болическим

законом дисперсии. — «Известия АН

СССР.

Сер.

физ.», 1968, т. 30, № 12, с. 1927—1929.

горячих электронов

6. Теория «бесконтактного» варианта эмиссии

из полупроводников. — «Радиотехника и

электроника»,

1965,

т. 10, № 7,

с. 1288—1294. Авт.: М. И. Елинсон,

А. Г. Ждан,

В. Ф. К р а п и в и и и др.

 

эмиссия ион­

7. Т о л п ы г о

К- Б., Ч а й к а Г. Е. Термоэлектронная

ных полупроводников в сильных полях. — «ФТТ», 1962, т. 4, № 5, с. 1146.

8.Ч а й к а Г. Е. Влияние сильных полей на термоэлектронную эмис­ сию полупроводников. «Радиотехника и электроника», 1965, т. 10, № 6, с. 1115—1122.

9.Д а в ы д о в Б. И. К теории движения электронов в газах и по­ лупроводниках.— «ЖЭТФ», 1937, т. 7, № 9—10, с. 1069—1089.

10.Л е в и т и н С. И. К вопросу о влиянии электрического поля в ка­

тоде на

его электронную эмиссию. — «ЖТФ», 1958,

т. 28,

№ 8,

с. 1714—1716.

hot elektrons

И. R e i c k

Н. I., R i s k e n Н. Distribution function for

in m any— valley semiconductors. — «Phys. Rev.»,

1961, v.

124,

№ 3, p. 777—784.

12.К е л д ы ш В. Л. К теории ударной ионизации в полупроводни­ ках.— «ЖЭТФ», 1965, т. 48, № 6, с. 1692—1707.

13.Неравновесная электронная эмиссия из р-п переходов кремния.—

«ФТТ», 1962,

т. 4,

8, с. 2015—2021. Авт.: И. М. Д ы к м а н ,

Я. П. З и н г е р м а н , В. А. И щ у к, В. А. М о р о з о в с к и й .

14. Г р и б н и к о в

3.

С.

Функция распределения носителей тока

видеальных электронно-дырочных переходах. — «ФТТ», 1961, т. 3,

И, с. 3414—3425.

15.

B u r t o n

J.

A.

Electron emission

from avalanche

breakdown

in

16.

Si.— «Phys. Rev.», 1957, v. 108(L), p. 1342.

 

И.

Е л и н с о н

M.

И., С т е п а н о в

Г.

В., П о к а л я к и н В.

 

Эмиссия

горячих электронов из

р-п

переходов

в кристаллах

 

SiC. — «Радиотехника и электроника»,

1961, т. 6, №

1, с. 293—297.

 

С т е п а н о в Г. В., П о к а л я к и н В. И., Е л и н с о н М. И.

 

Особенности эмиссии горячих электронов из естественных р-п пе­

 

реходов в кристаллах SiC.—«ФТТ», 1961, т. 3, № 6, с. 1762—1767.

20

 

 

 

 

 

 

 

307


1?. С т е п а н о в

Г. В., П о к а л я к и и

В. Й.,

Ел и и с он

М. Й.

Экспериментальное исследование эмиссии горячих электронов из

электронно-дырочных переходов в

полупроводниках. — «Тезисы

докладов X Всесоюзн. конф. по катодной электронике», Ташкент,

Изд-во АН УзССР, 1961, с. 54.

 

 

исследо­

18. Е л и н е о н

М. И.,

Л у цк ий В. Н. Экспериментальное

вание спектрального состава горячих электронов, эмиттирован-

ных кремниевым

р-п переходом. —■«ФТТ»,

1964, т.

6, № 8,

с. 2343—2352.

 

 

 

 

19.К е л д ы ш Л. В. Кинетическая теория ударной ионизации в по­ лупроводниках.— «ЖЭТФ», 1959, т. 37, вып. 3 (9), с. 713—727.

20.Ч у е л к о в В. А. Теория электрического пробоя полупроводни­ ков.— В кн.: Физика твердого тела. Т. 2. йод ред. А. Ф. Иоффе.

М,—Л., Изд-во АН СССР, 1959, с. 200—214.

breakdown in

21. F r o h l i c h Н.,

P a r a n j a p e

В.

V.

Dielectric

Solids. — «Proc.

Phys. Soc.», 1956,

v.

69,

№ 432B,

p. 21—43.

22.Ф р а н ц В. Пробой диэлектриков. Пер. с нем. Под ред. В. А. Чуенкова. М., ИЛ, 1961.

23.W o l f f Р. A. Theory of electron multiplication in silicon and ger­

24.

manium.— «Phys. Rev.»,

1954, v. 95, № 6, p. 1415—1421.

S i m о n

R. E.,

S p i c e r

W. E. Field induced photoemission from

25.

germanium. — «J. Appl. Phys.»,

1960, v. 31, № 8, p. 1505—1506.

T a u c J., Electron

emission from silicon p-n

junctions. — «Natu­

 

re», 1958, v. 181, № 4601, p. 38.

 

 

 

 

 

26.

S e n i t z k у

В.

Electron

emission from silicon p-rt-junction.—

27.

«Phys. Rev.», 1958, v. 116, № 4, p. 874—879.

 

 

 

S i m о n

R. E.,

S p i c e r

W. E. Photoemission from Si Induced

 

by internal

electric

field. — «Phys.

Rev.»,

1960,

v. 119, № 2,

 

p. 621—622.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

28.

M о 11 J.

L.,

M e y e r N. E.,

B a r t e l i n k

to

D. J.

Hot electron

 

emission from silicon p-n

junction

parallel

the

surface. — «J.

 

Appl. Phys.»,

1961, v. 7, p. 87—89.

 

 

 

 

29.H o d k i n s o n R. J., Hot electron emission from semiconductor.— «Solid-State Electron.», 1962, v. 5, Sept.—-Oct., p. 269—272.

30.P a t r i c k L., C h о у k e W. J. Electron emission from breakdown

 

regions

in

SiC

p-n

junctions. — «Phys.

Rev. Letters», 1959, v. 2,

 

№ 2, p. 48—50.

P. H.,

O z a r o w

V. Electron — emission microsco­

31. G l e i c h a u f

 

pe and velosity distribution stadies on silicon carbide p-n junction

32.

emitters.— «J. Appl. Phys.»,

1961, v. 32, № 3, p. 549—550.

В с 11a u

R. V.,

В r a n d e r R. W.,

T о d k 111

A. A low-power

 

silicon

carbide

cold

cathode

capable

of

direct

modulation. — «J.

 

Science

and Technology», 1970, v. 37, № 2, p. 79—84.

 

 

 

 

 

 

К главе з

 

 

 

1. M e a d

C. A. The tunnel emission

amplifier. — «Proc. IRE», 1960,

2.

v. 48, № 3, p. 359.

 

tunnel

emission devicas. — «J. Appl.

M e a d

C. A. Operation of

3.

Phys.»,

1961, v. 32, № 4, p. 646—652.

 

 

 

K a n t e r

H. Slow electron transfer through evaporated Au films.—

4.

«J. Appl. Phys.»,

1963, v. 34, №

12, p. 3629—3630.

 

С о 11i n s

R. E.,

D a v i e s

L. W. The transport of hot electrons

 

in A1—A120 3—A1 tunnel cathodes. — «Sol. State Elect.», 1964, v. 7,

 

№ 6, p. 445—453.

 

 

 

 

 

 

 

 

308


5.

M e a d

С. Л. Transport of

hot

electrons

in

thin

gold

films.—

 

«Piiys. Rev. Lett.», 1962, v. 8, № 2, p. 56—57.

 

 

 

 

6. Attenuation length measurements

of hot electrons in metal films.—

 

«Phys.

Rev.»,

1962,

v. U27,

6, p.

2006,

Aut.:

C. R.

Crowell,

7.

W. 1.

Spitzer,

L. E. Howarth and E. E. La-Bate.

of hot electrons

S о s h e a R. W., L u c a s L. C. Attenuation

length

8.

in gold. — «Phys. Rev.»,

1965,

v.

138,

4A, ,p. 1182.

relation

S z e

S. M.,

M o l l

J.

L.,

S u g a n o

 

T.

Range—energy

 

of hot

 

electrons

in gold. — «Solid-State

Electron.»,

1964, v. 7, № 7,

9.

p. 509—523.

 

A.,

В e t h e

IT. A. Tunneling

of

electrons. — In:

S o m m e r f e l d

 

Hand buch der Physik. Ed. by S. Fliigge, v. 24,

Springer,

Ber­

10.

lin, 19313.

 

 

 

 

effect across

thin

insulator films

con­

H o l m

R. J. Electric tunnel

11.

tact.— «J. Appl. Phys.»,

1951,

v. 22, №

5,

p. 569.

 

 

 

S i m m o n s

J. G. Generalized

formula

for

the

electrictunnel effect

 

between similar electrodes separsted by a thin

insulating

films. —

 

«J. Appl. Phys.»,

1963, v. 34, № 6, p. 1793.

 

 

 

 

 

 

12.S i m m o n s J. G. Electric tunnel effect between dissimilar electro­ des separated by a thin insulating films. — «J. Appl. Phys.», 1963,

v.34, № 9, p. 2581—2590.

13.S t r a t t o n R. Volt-current characteristics for tunneling through

insulating

films, — «J.

Phys.

Chem.

Solids»,

1962,

v. 23,

9,

p. 1177—1190.

 

 

 

emission

into

an

14. G e p p e r t

D. Space-charge — limited tunnel

insulating

films. — «J.

Appl.

Phys.»,

1962, v.

33, №

TO,

p.

2993.

15.К u H. Y., Ullman E. G. Capacitance of thin dielectric structures.— «J. Appl. Phys.», 1964, v. 33, № 10, p. 2993.

16. S i m m o n s

J. G. An analytic form of Ku and Ullmans equa­

17.

tions. — «Appl. Phys. Lett.», 1965,

v. 6, № 3, {p. 54—55}.

 

 

F e i s t

W. M. Cold electron emitters.—In.: Advances

in electronics

 

and electron physics, Suppl. 4, Electron Beam and Laser Beam

 

Technology,

New

York — London,

Academic Press, 1968, p. 1—59,

'18. W i d e

G.,

B r i g g e s

R. I., L e s e n s c y

L. Low — noise

beams

 

from tunnel

cathodes. — «J. Appl. Phys.», 4962, v. 33, № 3,

p.

836.

19. К e л д ы ш

Л. В. К теории ударной ионизации в полупроводни­

 

ках. — «ЖЭТФ»,

1965, т. 48, № 6, с. 1692—1707.

 

 

 

20. С т е п а н о в

Г. В. Исследование эмиссии горячих электронов из

 

некоторых

полупроводников и диэлектриков. Канд. дис. ИРЭ

 

АН СССР, Москва, 1963.

 

 

 

 

 

 

 

21. Г р и б н и к о в

3. С. Функция распределения носителей тока

 

в

идеальных

электронно-дырочных

переходах. — «ФТТ»,

 

1961,

22.

т.

3, № 11, с.

3414—3425.

D.

Е. Injection and emission of

S a v о у е

Е.

D., A n d e r s o n

 

hot electron

in

thin —• film tunnel

emitters. — «J.

Appl.

Phys.».

23.

v. 38, № 8, p. 3245—3265.

 

 

 

Rept. Ann.

Conf.

Phys.

F e i s t

W. M.

Tunnel

cathodes. — In:

24.

Electron. MIT press., Cambridge, Massachusetts, 1966.

 

 

1964,

F e i s t

W.

Research in

tunnel

emission.

«IEEE Spectrum»,

25.

v. '1, № IS, p. 57—66.

 

 

 

 

 

 

 

 

A n t u 1a

I. Work function aluminum aluminium oxide. «Solide-

 

State Electron», 1966, v. 9, № 8, p. 825—826.

 

 

dunn

26. M o s c h w i t z e r

A.,

W a g n e r

S. Kalte Emission von

27.

Filmkatoden. — «Phys. Status Solid!»,

1964, Bd. 4, № 2, p. 357—367.

К о p з о В. Ф., К и р е е в П. С. Эмиссионные свойства пленочных

309