ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 83
Скачиваний: 0
В кн.: Диспергированные металлические пленки. Киев, Институт физики АН УССР, 1972, с. 279—286; В а т а м а н ю к В. И., К у л ю п и н Ю. А., Ш а л д е р в а и А. И.
. Структура, электропроводность и электронная эмиссия дисперги рованных пленок висмута. Там же, с. 287—296.
И о ф и с Н. А., П а р о л ь Н. В., Ш а р а п о в а Т. Л. Исследо вание эмиссии горячих электронов из системы металлическая дис пергированная пленка — ионный полупроводник. Там же, с. 297—307.
12.M i n n S. S. L’etudie experimentale de conductivite du couches minces d’or.—«J. Techn. Centre Nat. Rech. Sci. Lab. Bellevue», I960, № 51, p. 134.
13. |
S t e e n s e l |
K. Electrical conduction in island-structure films of |
||||||
|
gold and platinum of insulating |
substrates. — «Philips |
Res. Repts.», |
|||||
14. |
1967, v. 22, № 3, p. 246—266. |
|
|
very |
||||
W e i t z e n k a m p |
L. A., B a s h a r a N. M. Conduction in |
|||||||
|
thin |
films at |
high electric fields.—«J. Appl. Phys.», |
1964, |
v. |
35, |
||
|
№ 6, p. 1983—1984. |
|
|
|
|
|
||
15. |
H a r t m a n |
T. E. Electrical conduction in discontinuous thin me |
||||||
16. |
tal |
films. — «J. Appl. Phys.», 1963, v. 34, X? 4, p. 943—949. |
|
|
||||
T о м ч у к П. M., Ф е д о р о в и ч Р. Д. Проводимость тонких ме |
||||||||
|
таллических |
пленок |
островной |
структуры. — «ФТТ», |
1966, |
т. |
8, |
№10, с. 3131—3133.
17.H i l l R. М. Electrical conduction in thin aggregated metal films.— «Nature», 1964, v. 204m № 4953, p. 35—36. Hill R. M. Electrical conduction in ultra thin films.—«Proc. Roy. Sos. А», 1969, v. A309, р. 377—417.
18. F r e n k e l J. On the electrical |
resistance of contacts between so |
|
lid conductors.—«Phys. Rev.», |
1931, v. 36, № 11, p. |
1604—1618. |
N i f о n t о f f M. N. .Etude de |
la barriere de potentiel separant |
|
deux electrodes de meme metal |
portees a potentiels |
differents. — |
«Compt. Rend.», 1953, t. 236, № |
16, p. 1538—1540. |
|
19.M il g r a m A. A., Chin-Shun-Lu. Field effect and electrical con duction mechanism in discontinuous thin metal films. — «J. Appi. Phys.», 1966, v. 37, № 13, p. 4773—4780.
20.Исследование центров свечения и электронной эмиссии в диспер
|
гированных пленках золота. — «УФЖ», |
1969, т. 14, № 3, р. 396— |
||||||||
|
402. Авт. П. Г. Борзяк, Ю. А.Кулюпин, О. Г. Сарбей, Р. Д. Федо |
|||||||||
|
рович. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К у л ю п н н |
Ю. А., Ф е д о р о в и ч |
Р. Д. Изменение работы вы |
|||||||
|
хода электронов из центра эмиссии в пленках золота, активиро |
|||||||||
|
ванных окисью бария. — «ФТТ», |
1972, т. 14, № |
10, р. 3105—3107. |
|||||||
21. Т о м ч у к П. М., Ф е д о р о в и ч |
Р. Д. Эмиссия горячих электро |
|||||||||
|
нов из тонких металлических пленок. — «ФТТ», |
1966, т. 8, |
№ |
1, |
||||||
22. |
с. 276—278. |
Yu. A., P i l i p c h a k |
К. |
N. |
On |
the |
radiation |
ol |
||
K u l y u p i n |
||||||||||
|
discontinuous |
gold films by electric current |
transmission. — «Phys. |
|||||||
|
Stat. Sol. (a)», 1972, v. 11, Ns 1, p. K15—19. |
|
|
|
|
|
||||
|
О природе свечения диспергированных металлических пленок. |
|||||||||
|
Препринт ИФ-73-5, Киев, Ин-т физики |
АН УССР, |
1973, |
Авт.: |
||||||
23. |
П. Г. Борзяк, В. М. Коломиец, Ю. А. Кулюпин, Э. А. Пашицкий. |
|||||||||
С у х а р и е р |
А. С., 3 а г р е б и е в а |
С. В. К вопросу о причинах |
||||||||
|
нестабильности электронной эмиссии из тонких диспергированных |
|||||||||
20—473 |
|
|
|
|
|
|
|
305 |
пленок золота, активированных окисью бария. — «Известия АН
СССР. Сер. физ.», 1971, т. 35, № 2, р. 298—301.
Исследование эмиссионных свойств золотых пленок активирован ных ВаО. — «Электронная техника. Сер. 5», 1969, № 2, с. 10—18. Авт. А. С. Сухариер, С. В. Загребнева, В. М. Сучилин, В. М. Трусаков.
24. K o h n k e Е. Е. Electrical and optical properties of natural stannic oxide crystals. — «J. Phys. Chem. Solids.», 1962, v. 25, № 11, р. 1557—1562.
25. R a j u T. A., |
H a r r e 11 B. |
J. Manifestations |
of sustained |
secon |
dary electron |
emission from |
oxial films. — «J. |
Appl. Phys.», |
1969, |
v. 40, № 10, p. 4213.
26.Эмиссионные свойства холодных катодов на основе пленок дву
|
окиси олова (БпОг). — «Радиотехника и электроника», |
1972, т. 17, |
|||||||||||||||
|
№ 4, {с. 1471—1478}. Авт.: В. В. Никулов, Г. А. Кудинцева, |
||||||||||||||||
|
М. И. Елинсон,, Л. А. Косульникова. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
27. Эмиссия |
горячих |
электронов и автоэлектронная эмиссия из оки |
|||||||||||||||
|
си олова. — «Радиотехника |
и |
электроника», |
1965, |
|
т. |
10, |
№ |
8, |
||||||||
|
с. 1500. Авт.: |
М. И. Елинсон, |
А. Г. Ждан, |
Г. А. Кудинцева, |
|||||||||||||
|
M. Е. Чугунова. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
28. |
П а н к р а т ь е в |
Е. М., |
Р ю м и н |
В. П., Щ е л к и н а |
Н. П. Тех |
||||||||||||
|
нология полупроводниковых слоев двуокиси олова. М., «Энергия», |
||||||||||||||||
29. |
1969. |
|
|
|
|
|
|
J. F., R a j u Т. A. Electron |
emis |
||||||||
S о е 11 n е г А. М., S p o u s e |
|||||||||||||||||
|
sion from |
regions |
of high resistance in the oxide |
films. — «J. Appl. |
|||||||||||||
30. |
Phys.», 1968, v. 39, № 3, p. 1911. |
|
Engineering», |
|
1967, |
||||||||||||
A new type of cold cathode |
tube. — «Product |
|
|||||||||||||||
|
v. 38, № 9, p. 27. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
31. |
Эмиттеры |
с |
холодным |
катодом. — «Электроника», |
1967, |
т. |
40, |
||||||||||
32. |
№ 5, с. 85. |
П. Г., |
К а т р и ч |
Г. А., С а р б е й |
О. Г. Электронная |
||||||||||||
Б о р з я к |
|||||||||||||||||
|
эмиссия из CdS при прохождении тока. — «ФТТ», 1961, т. 3, № 7, |
||||||||||||||||
|
с. 2186. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
33. |
Б и б и к |
В. Ф., |
Б о р з я к |
П. |
Г., С а р б е й |
О. Г. Эмиссия |
не |
||||||||||
|
равновесных |
электронов |
из |
сернистого кадмия. — «ФТТ», |
|
1962, |
|||||||||||
|
т. 4, № 11, с. 3003. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
34. |
Ф е д о р о в и ч |
Р. Д. «Холодна» електронна |
емк1я |
з |
пл1вок |
||||||||||||
|
«Украшський |
физичний |
журнал», 1964, т. 9, № |
3, |
с. |
345. |
|
|
|
||||||||
35. |
S t г a t t о n |
R. The influence |
of |
interelectronic |
collisions on |
con |
|||||||||||
|
duction and breakdown in polar crystals. — «Proc. Roy. Soc.», |
1958, |
|||||||||||||||
|
v. 246A, № 1246, p. 406. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
36. |
H о e f 1e r |
D o n |
C. Vacuum tube concept being applied to 1 Cs.— |
||||||||||||||
|
«Electronic News», 1969, Dec. 22. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
37. Ш оу л д е р е |
К. Комплексные |
системы на |
микроминиатюрных |
||||||||||||||
|
электровакуумных приборах. — В кн.: Микроэлектроника и боль |
||||||||||||||||
|
шие системы. Под ред. В. Г. Толстова, М., «Мир», 1967, с. 119— |
||||||||||||||||
38. |
144. |
|
С. A., |
S h о u 1 d е г s |
К. R. Research |
in |
Micron — Size |
||||||||||
S р i n d t |
|||||||||||||||||
|
Field — Emission |
Tubes. — In: |
Conference on |
tube |
techniques, |
8, |
|||||||||||
|
New York, |
1966, |
Papers.' Spons, by IEEE Electron Devices |
group. |
|||||||||||||
39. |
N. Y. 1967, p. 143—147. |
|
|
|
|
cathode. — «J. |
|
Appl. |
|||||||||
S p i n d t |
|
C. |
A. |
A thin-Film field emission |
|
||||||||||||
|
Phys.», 1968, v. 39, № 7, p. 3504—3505, |
|
|
|
|
|
|
|
|
40.A r c h e r J. Л. Asperities and field emission. — «J. Appi. Phys.», 1966, v. 37, № 5, p. 2176.
К Г Л А В Е 2
1. К он у э л л Э. Кинетические свойства полупроводников в силь ных электрических полях. Пер. с англ. Под ред. И. Б. Левинсона, Ю. К. Пожелы, М., «Мир», 1970.
2.Новые методы полупроводниковой СВЧ — электроники. Эффект Ганна и его применение. Пер. с англ. Под ред. Стафеева В. И., М., «Мир», 1968.
3. Д ы к м а н II. М., Т о м ч у к П. М. Влияние электрического поля на температуру электронов и температурную эмиссию в полупро
водниках. |
III. Термоэлектронная |
эмиссия. — «ФТТ», 1961, |
т. 3, |
|
№ 2, с. 632—641. |
С а н д о м и р с к и й В. Б. К теории внешней |
|||
4. К о г а н |
Ш. М. |
|||
эмиссии горячих |
электронов из полупроводников. — «ФТТ», |
1960, |
||
т. 2, № 10, с. 2570—2578. |
И. М., Т о м ч у к П. М. Эмис |
|||
5. Г р и г о р ь е в Н. ГГ, Д ы к м а н |
сия горячих электронов из полярных полупроводников с непара
болическим |
законом дисперсии. — «Известия АН |
СССР. |
Сер. |
|
физ.», 1968, т. 30, № 12, с. 1927—1929. |
горячих электронов |
|||
6. Теория «бесконтактного» варианта эмиссии |
||||
из полупроводников. — «Радиотехника и |
электроника», |
1965, |
||
т. 10, № 7, |
с. 1288—1294. Авт.: М. И. Елинсон, |
А. Г. Ждан, |
||
В. Ф. К р а п и в и и и др. |
|
эмиссия ион |
||
7. Т о л п ы г о |
К- Б., Ч а й к а Г. Е. Термоэлектронная |
ных полупроводников в сильных полях. — «ФТТ», 1962, т. 4, № 5, с. 1146.
8.Ч а й к а Г. Е. Влияние сильных полей на термоэлектронную эмис сию полупроводников. «Радиотехника и электроника», 1965, т. 10, № 6, с. 1115—1122.
9.Д а в ы д о в Б. И. К теории движения электронов в газах и по лупроводниках.— «ЖЭТФ», 1937, т. 7, № 9—10, с. 1069—1089.
10.Л е в и т и н С. И. К вопросу о влиянии электрического поля в ка
тоде на |
его электронную эмиссию. — «ЖТФ», 1958, |
т. 28, |
№ 8, |
с. 1714—1716. |
hot elektrons |
||
И. R e i c k |
Н. I., R i s k e n Н. Distribution function for |
||
in m any— valley semiconductors. — «Phys. Rev.», |
1961, v. |
124, |
№ 3, p. 777—784.
12.К е л д ы ш В. Л. К теории ударной ионизации в полупроводни ках.— «ЖЭТФ», 1965, т. 48, № 6, с. 1692—1707.
13.Неравновесная электронная эмиссия из р-п переходов кремния.—
«ФТТ», 1962, |
т. 4, |
№ |
8, с. 2015—2021. Авт.: И. М. Д ы к м а н , |
Я. П. З и н г е р м а н , В. А. И щ у к, В. А. М о р о з о в с к и й . |
|||
14. Г р и б н и к о в |
3. |
С. |
Функция распределения носителей тока |
видеальных электронно-дырочных переходах. — «ФТТ», 1961, т. 3,
№И, с. 3414—3425.
15. |
B u r t o n |
J. |
A. |
Electron emission |
from avalanche |
breakdown |
in |
|
16. |
Si.— «Phys. Rev.», 1957, v. 108(L), p. 1342. |
|
И. |
|||||
Е л и н с о н |
M. |
И., С т е п а н о в |
Г. |
В., П о к а л я к и н В. |
||||
|
Эмиссия |
горячих электронов из |
р-п |
переходов |
в кристаллах |
|||
|
SiC. — «Радиотехника и электроника», |
1961, т. 6, № |
1, с. 293—297. |
|||||
|
С т е п а н о в Г. В., П о к а л я к и н В. И., Е л и н с о н М. И. |
|||||||
|
Особенности эмиссии горячих электронов из естественных р-п пе |
|||||||
|
реходов в кристаллах SiC.—«ФТТ», 1961, т. 3, № 6, с. 1762—1767. |
|||||||
20 |
|
|
|
|
|
|
|
307 |
1?. С т е п а н о в |
Г. В., П о к а л я к и и |
В. Й., |
Ел и и с он |
М. Й. |
|
Экспериментальное исследование эмиссии горячих электронов из |
|||||
электронно-дырочных переходов в |
полупроводниках. — «Тезисы |
||||
докладов X Всесоюзн. конф. по катодной электронике», Ташкент, |
|||||
Изд-во АН УзССР, 1961, с. 54. |
|
|
исследо |
||
18. Е л и н е о н |
М. И., |
Л у цк ий В. Н. Экспериментальное |
|||
вание спектрального состава горячих электронов, эмиттирован- |
|||||
ных кремниевым |
р-п переходом. —■«ФТТ», |
1964, т. |
6, № 8, |
||
с. 2343—2352. |
|
|
|
|
19.К е л д ы ш Л. В. Кинетическая теория ударной ионизации в по лупроводниках.— «ЖЭТФ», 1959, т. 37, вып. 3 (9), с. 713—727.
20.Ч у е л к о в В. А. Теория электрического пробоя полупроводни ков.— В кн.: Физика твердого тела. Т. 2. йод ред. А. Ф. Иоффе.
М,—Л., Изд-во АН СССР, 1959, с. 200—214. |
breakdown in |
||||
21. F r o h l i c h Н., |
P a r a n j a p e |
В. |
V. |
Dielectric |
|
Solids. — «Proc. |
Phys. Soc.», 1956, |
v. |
69, |
№ 432B, |
p. 21—43. |
22.Ф р а н ц В. Пробой диэлектриков. Пер. с нем. Под ред. В. А. Чуенкова. М., ИЛ, 1961.
23.W o l f f Р. A. Theory of electron multiplication in silicon and ger
24. |
manium.— «Phys. Rev.», |
1954, v. 95, № 6, p. 1415—1421. |
|||||||||
S i m о n |
R. E., |
S p i c e r |
W. E. Field induced photoemission from |
||||||||
25. |
germanium. — «J. Appl. Phys.», |
1960, v. 31, № 8, p. 1505—1506. |
|||||||||
T a u c J., Electron |
emission from silicon p-n |
junctions. — «Natu |
|||||||||
|
re», 1958, v. 181, № 4601, p. 38. |
|
|
|
|
|
|||||
26. |
S e n i t z k у |
В. |
Electron |
emission from silicon p-rt-junction.— |
|||||||
27. |
«Phys. Rev.», 1958, v. 116, № 4, p. 874—879. |
|
|
|
|||||||
S i m о n |
R. E., |
S p i c e r |
W. E. Photoemission from Si Induced |
||||||||
|
by internal |
electric |
field. — «Phys. |
Rev.», |
1960, |
v. 119, № 2, |
|||||
|
p. 621—622. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
28. |
M о 11 J. |
L., |
M e y e r N. E., |
B a r t e l i n k |
to |
D. J. |
Hot electron |
||||
|
emission from silicon p-n |
junction |
parallel |
the |
surface. — «J. |
||||||
|
Appl. Phys.», |
1961, v. 7, p. 87—89. |
|
|
|
|
29.H o d k i n s o n R. J., Hot electron emission from semiconductor.— «Solid-State Electron.», 1962, v. 5, Sept.—-Oct., p. 269—272.
30.P a t r i c k L., C h о у k e W. J. Electron emission from breakdown
|
regions |
in |
SiC |
p-n |
junctions. — «Phys. |
Rev. Letters», 1959, v. 2, |
||||||
|
№ 2, p. 48—50. |
P. H., |
O z a r o w |
V. Electron — emission microsco |
||||||||
31. G l e i c h a u f |
||||||||||||
|
pe and velosity distribution stadies on silicon carbide p-n junction |
|||||||||||
32. |
emitters.— «J. Appl. Phys.», |
1961, v. 32, № 3, p. 549—550. |
||||||||||
В с 11a u |
R. V., |
В r a n d e r R. W., |
T о d k 111 |
A. A low-power |
||||||||
|
silicon |
carbide |
cold |
cathode |
capable |
of |
direct |
modulation. — «J. |
||||
|
Science |
and Technology», 1970, v. 37, № 2, p. 79—84. |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
К главе з |
|
|
|
|||
1. M e a d |
C. A. The tunnel emission |
amplifier. — «Proc. IRE», 1960, |
||||||||||
2. |
v. 48, № 3, p. 359. |
|
tunnel |
emission devicas. — «J. Appl. |
||||||||
M e a d |
C. A. Operation of |
|||||||||||
3. |
Phys.», |
1961, v. 32, № 4, p. 646—652. |
|
|
|
|||||||
K a n t e r |
H. Slow electron transfer through evaporated Au films.— |
|||||||||||
4. |
«J. Appl. Phys.», |
1963, v. 34, № |
12, p. 3629—3630. |
|
||||||||
С о 11i n s |
R. E., |
D a v i e s |
L. W. The transport of hot electrons |
|||||||||
|
in A1—A120 3—A1 tunnel cathodes. — «Sol. State Elect.», 1964, v. 7, |
|||||||||||
|
№ 6, p. 445—453. |
|
|
|
|
|
|
|
|
308
5. |
M e a d |
С. Л. Transport of |
hot |
electrons |
in |
thin |
gold |
films.— |
||||||||||
|
«Piiys. Rev. Lett.», 1962, v. 8, № 2, p. 56—57. |
|
|
|
|
|||||||||||||
6. Attenuation length measurements |
of hot electrons in metal films.— |
|||||||||||||||||
|
«Phys. |
Rev.», |
1962, |
v. U27, |
№ |
6, p. |
2006, |
Aut.: |
C. R. |
Crowell, |
||||||||
7. |
W. 1. |
Spitzer, |
L. E. Howarth and E. E. La-Bate. |
of hot electrons |
||||||||||||||
S о s h e a R. W., L u c a s L. C. Attenuation |
length |
|||||||||||||||||
8. |
in gold. — «Phys. Rev.», |
1965, |
v. |
138, |
№ |
4A, ,p. 1182. |
relation |
|||||||||||
S z e |
S. M., |
M o l l |
J. |
L., |
S u g a n o |
|
T. |
Range—energy |
||||||||||
|
of hot |
|
electrons |
in gold. — «Solid-State |
Electron.», |
1964, v. 7, № 7, |
||||||||||||
9. |
p. 509—523. |
|
A., |
В e t h e |
IT. A. Tunneling |
of |
electrons. — In: |
|||||||||||
S o m m e r f e l d |
||||||||||||||||||
|
Hand buch der Physik. Ed. by S. Fliigge, v. 24, |
Springer, |
Ber |
|||||||||||||||
10. |
lin, 19313. |
|
|
|
|
effect across |
thin |
insulator films |
con |
|||||||||
H o l m |
R. J. Electric tunnel |
|||||||||||||||||
11. |
tact.— «J. Appl. Phys.», |
1951, |
v. 22, № |
5, |
p. 569. |
|
|
|
||||||||||
S i m m o n s |
J. G. Generalized |
formula |
for |
the |
electrictunnel effect |
|||||||||||||
|
between similar electrodes separsted by a thin |
insulating |
films. — |
|||||||||||||||
|
«J. Appl. Phys.», |
1963, v. 34, № 6, p. 1793. |
|
|
|
|
|
|
12.S i m m o n s J. G. Electric tunnel effect between dissimilar electro des separated by a thin insulating films. — «J. Appl. Phys.», 1963,
v.34, № 9, p. 2581—2590.
13.S t r a t t o n R. Volt-current characteristics for tunneling through
insulating |
films, — «J. |
Phys. |
Chem. |
Solids», |
1962, |
v. 23, |
№ |
9, |
|
p. 1177—1190. |
|
|
|
emission |
into |
an |
|||
14. G e p p e r t |
D. Space-charge — limited tunnel |
||||||||
insulating |
films. — «J. |
Appl. |
Phys.», |
1962, v. |
33, № |
TO, |
p. |
2993. |
15.К u H. Y., Ullman E. G. Capacitance of thin dielectric structures.— «J. Appl. Phys.», 1964, v. 33, № 10, p. 2993.
16. S i m m o n s |
J. G. An analytic form of Ku and Ullmans equa |
|||||||||||||
17. |
tions. — «Appl. Phys. Lett.», 1965, |
v. 6, № 3, {p. 54—55}. |
|
|
||||||||||
F e i s t |
W. M. Cold electron emitters.—In.: Advances |
in electronics |
||||||||||||
|
and electron physics, Suppl. 4, Electron Beam and Laser Beam |
|||||||||||||
|
Technology, |
New |
York — London, |
Academic Press, 1968, p. 1—59, |
||||||||||
'18. W i d e |
G., |
B r i g g e s |
R. I., L e s e n s c y |
L. Low — noise |
beams |
|||||||||
|
from tunnel |
cathodes. — «J. Appl. Phys.», 4962, v. 33, № 3, |
p. |
836. |
||||||||||
19. К e л д ы ш |
Л. В. К теории ударной ионизации в полупроводни |
|||||||||||||
|
ках. — «ЖЭТФ», |
1965, т. 48, № 6, с. 1692—1707. |
|
|
|
|||||||||
20. С т е п а н о в |
Г. В. Исследование эмиссии горячих электронов из |
|||||||||||||
|
некоторых |
полупроводников и диэлектриков. Канд. дис. ИРЭ |
||||||||||||
|
АН СССР, Москва, 1963. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
21. Г р и б н и к о в |
3. С. Функция распределения носителей тока |
|||||||||||||
|
в |
идеальных |
электронно-дырочных |
переходах. — «ФТТ», |
|
1961, |
||||||||
22. |
т. |
3, № 11, с. |
3414—3425. |
D. |
Е. Injection and emission of |
|||||||||
S a v о у е |
Е. |
D., A n d e r s o n |
||||||||||||
|
hot electron |
in |
thin —• film tunnel |
emitters. — «J. |
Appl. |
Phys.». |
||||||||
23. |
v. 38, № 8, p. 3245—3265. |
|
|
|
Rept. Ann. |
Conf. |
Phys. |
|||||||
F e i s t |
W. M. |
Tunnel |
cathodes. — In: |
|||||||||||
24. |
Electron. MIT press., Cambridge, Massachusetts, 1966. |
|
|
1964, |
||||||||||
F e i s t |
W. |
Research in |
tunnel |
emission. |
«IEEE Spectrum», |
|||||||||
25. |
v. '1, № IS, p. 57—66. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
A n t u 1a |
I. Work function aluminum aluminium oxide. «Solide- |
|||||||||||||
|
State Electron», 1966, v. 9, № 8, p. 825—826. |
|
|
dunn |
||||||||||
26. M o s c h w i t z e r |
A., |
W a g n e r |
S. Kalte Emission von |
|||||||||||
27. |
Filmkatoden. — «Phys. Status Solid!», |
1964, Bd. 4, № 2, p. 357—367. |
||||||||||||
К о p з о В. Ф., К и р е е в П. С. Эмиссионные свойства пленочных |
309