Файл: Ненакаливаемые катоды..pdf

fahren

zu ihrer

Herstellung. Патент ГДР kl. 21g,

13/20 (H°1J),

№ 56315.

В. А.,

Р у д н е в

A. H. О меха­

29. В о p о б ь e в Г. A., M у x а ч e в

низме

пробоя

диалектической

пленки

моноокиси кремния. —

стемах.— В кн.:

Вопросы

пленочной

электроники.

Под

ред.

М. И. Елинсона.

М., «Сов.

радио». Авт.: М. И. Елинсон,

31.

Г. В. Степанов, II. И. Перов, В. И. Покалякин.

P o l l a c k

S.

R.,

M o r r i s

С. Е. Electron tunneling through

asymmetric

films

of thermally

growth

А120з. — «J. Appl. Phys.»,

32.

1964, v. 35, № 5, p. 1503.

J. Electron emission from thin

A1—

К a n t e r

H.,

F e i b e l m a n

33.

Ai20 3—Au

structures.—«J. Appl. Phys.»,

1962, v. 33, №

12, p.

3580.

E c k e r t о v a

L. Leakage and

emission

characteristics

of conden­

ser cathodes with

thin layer

of

А120з. — «Czechosl. Journ. Phys.»,

34.

1965, B. 15, № 2, p. 111—121.

1962,

C o h e n I. Tunnel

emission into Vacuum. — «J. Appl. Phys.»,

emission

current

and

sandwich

cathodes. — «Czechosl.

Journ.

37.

Phys.», 1966, v. B. 116, №

17, p. 569.

E c k e r t о v a

L.

Feldkathoden mit dunnen Isolatorschichten. —

38.

«Phys. Status. Solidi», 1966, Bd. 18, № 1, p. 3—40.

Le b r u n

I .A

l’etude

des proprietes de couches minces D’oxyde

D’aluminium. Univ. Paris,

1963.

T o m o y .

Tunnel

emission

39. T a k e s h i

H a y a s h i ,

N a k a n o

from A1—А 1 20 з —metal

structures. — «Japan J. Appl. Phys.»,

1966,

40.

v. 5, № 10, p.

982.

Phys.

Lett.»,

C o h e n

I. Tunnel emission into vacuum. — «Appl.

1962, v. 1, № 3, p. 61—62.

катоды

типа

41. В а с и л ь к о в с к а я

E. А. Пленочные холодные

«сэндвич». Обзор по электронной технике. Вып. 7(227)

М., Ин-т

42.

«Электроника»

1970.

Т о м и н а г о

М и т и х а к о .

Туннельный

К у р о и в а

С а к а и ,

43.

катод. — Японский патент, кл. 99А12, № 3041.

ca­

V e r d e r b e r

R. R., S i m m о n s

I. G. A hot electron, cold

thode emitter. — «Radio and Electron. Engr.»,

1967,

v.

33,

№

6,

44.

p. 347—351.

O n t a ,

J u n N i c h i d a ,

T o k e s h i

H a y a s h i .

K e n - i c h i r o

Electron

emission

pattern

of thin — film

tunnel

catode.

«Japan

J.

45.

Appl. Phys.», 1968, v. 7, № 8, p. 784.

H u b e r

H.,

S h r o f f

A. Travaux recents sur l’etude de remis­

sion de champ

comme source froide d’electrons. — «Prace Przemysl.

46.

inst. elektron.», 1967, t. 4, № 3, p. 347—368.

M e n t a l a c h e t a

Y.,

D e l a c o t e

G.,

S c h o t t M. Temperatu­

re des sectrons emis dans le vide par des diodes en couches minces

Al—A120 3—Ag.—«С. R. Acad. Sci.», 1966, AB 262, №

13, p. B892—

B895.

47.

M e a d

C.

A. Transport of electrons in thin cold films. — «Phys.

48.

Rev. Lett.»,

1962, v. 8, № 2, p.

56.

E с к e r t о v a

L.,

J i s k r a

J. Electron emission from sandwich

cathodes

with

mica

dielectric

layer. — «Czech. Journ. Phys.», 1968,

50.

B a r r i a c

C.,

P i n a r d

P.,

D a n o i n e

F. Etude

des

proprietes

electriques

des

structures

A1—АЬОз — metal. — «Phys.

Status

So-

51.

lidi», 1969, v. 34, № 2, p. 621—633.

Theorie der

Emission der

Iso-

FI r a c h

R., E с к e r t о v a

L. Zur

latorschichten.—In: 3rd Czechosl. Conf. Electron and Vacuum Phys.

Trans. Praque,

1967, p. 293—301.

возможности повышения

52. К op 3 0

В. Ф.,

Л я щ е н к о

T. А. О

эффективности

пленочных туннельных

катодов. — «Радиотехника

и электроника»,

1968, т. 13, №

12, р. 2271—2272.

В. П.

53. Т а б о р к о

Е. И.,

К у д и н ц е в а

Г. А.,

П а н ф и л о в а

Эмиссионные

свойства

пленочных

катодов

типа

«сендвич» —

«Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ», 1972, № 3.

54. А г се г

L e

Roy.

Solid — state

electron

source.

Патент

США.

55.

kl. 313—346, 3214629.

cold

cathode. Патент

США. kl. 117—

S u 11 i v a n

D. L. Thin-film

217. № 3445281.

К

Г Л А В Е 4

1. G o o d m a n

A. M. Metall — semiconductor

barrier

height measur-

ment by the

differential capicitance method — on

carrier

system. —

2.

«J. Appl. Phys.», 1963, v. 34, № 2, p. 329.

В. Эмиссионная элек­

Г о м о ю н о в а

Л.

Н., Д о б р е ц о в М.

3.

троника. М., «Наука», 1966.

Schott-

К a h n g

D. Conduction properties of the Au—n—type—Si

4.

ky barrier. — «Solid-State

Electron.»,

1963, v. 6, №

3, p. 281.

F о w 1e r

R. H.,

Photoelectron

sensitivity

of

the

clear

metals.

5.

«Phys. Rev.», 1931, v. 38, p. 45.

surface

barriers. — «Solid

M e a d

C.

A.

Metal — semiconductor

6.

State Electron.», 1966, v. 9, № 11—12, p. 1035—1048.

R h о d e r i c k

E. H. The

physics

of

Shottky barriers.— «J. Phys.

8.

miconductor systems.— «J. Appl. Phys.», 1965, v. 36, № 10, p.

3212.

S w a n k

R. K. Surface properties of 11—VI

compounds. — «Phys.

9.

Rev.»,

1967, v. 153, № 3, p. 844—849.

T u r n e r

M. J.,

Rhoderick E. H. Metal-silicon barriers. — «Solid-

10.

State Electron.»,

1968, v. 44, № 3, p. 291.

error

S m i t h

B. L. and

R h o d e r i c k G. IT. Possible sources of

in the

deduction

of

semiconductor impyrity

concentration

from

Shottky barrier (С, V) characteristics.—«J. Phys.,

D.: Appl. Phys.»,

11.

1969, v. 2, p. 465—467.

ИЛ, 1962.

С М и т т P. Полупроводники. Пер. с англ. М.,

12.

П а у л и н г Л. Л. Природа химической связи. Пер. с англ. М.—

Л., Госхим'издат, 1949.

15.

S h o c k l e y

W., R e a d

W.

T. Statistics of

the recombination

of

holes

and

electrons. — «Phys.

Rev.», 1952, v. 87, № 5, p.

835.

16. W il

li a m s

R. The

effect of

barrier recombination

on

production

of hot electrons in metal by forward bias injection in Schottky dio­

17.

de.— «RCA Review»,

1969, v. 30, № 4, p. 306.

across

metal — semi­

C h a n g

C. Y., S z e

S. M. Carrier transport

conductor

barrier. — «Solid-State

Electron.»,

1970,

v.

13,

№

6,

p. 727.

18. W i 11i a m s

R., W г о n s к i C. R. Electron

emission from

Schott­

ky barrier

structure ZnS : P t : Cs. — «Appl. Phys. Lett.»,

1963, v. 13,

№ 7, p. 231—233.

S. M. Current transport in

m etal— semi­

19. С г о w e 11 C. R., S z e

conductor

barriers. — «Solid-State

Electron.»,

1966, v. 9,

№

11—12,

structures. —■«Solid-State

Electron.», 1965,

v. 8, № 12, p. 979—990.

21. S t о 11 e С. A., V i 1m s

J.,

A r c h e r R.

J. The

Schottky

barrier

cold cathode.— «Solid-State

Electron.»,

1969,

v. 12,

№ 12,

23.

Iiques. — «Annales de physique»,

1965, v. !10, № 9—Ю,

p. 595.

G о о d m a n

A.

M.

Evaporated

metallic contacts

to

conducting

cadmium sulfid

signle cristals. — «J. Appl.

Phys.», 1964,

v.

35.

24.

№ 2, pt

1, p. 573—579.

contact

proper­

A v e n

M.,

M e a d

C. R. Electrical transport and

ties of

low resistivity. — «Appl. Phys. Lett.»,

1965,

v. 7,

№

il,

p. 8.

28.

W. G. Spitzer, L. E. Howarth, E. E. La Bate.

path of

photo-

S p i t z e r

W.

G., C r o w e l l

M. M. Mean free

excited

electrons

in

Au. — «Phys. Rev. Lett.»,

1962,

v.

8,

№

2,

p. 57—58.

29.

S z e

S.

M.,

M o l l

J.

L., S u g a n o

T.

Range-energy

relation

of

hot

electrons

in gold. — «Solid-state

Electron»,

1964, v. 7, №

7,

p. 509—523.

30. К а т p и ч

Г. А., С a p б e й О. Г. Фотоэлектронная эмиссия золо­

31.

та

и

хрома. — «ФТТ»,

1961,

т.

3,

№

6,

.с.

1929—1937.

L ea

С.,

М ее

С. Н. В. The attenuation length of photoelectrons

in

thin

films of

uranium. — «Phys.

Stat. Sol.»,

1968,

v. 25,

№

2,

p.

615

619.

32.

P e i s n e r J.,

R о b о z

P., B a r n a

P. B. Thickness

dependence

of

the

quantum yield and attenuation length of photoelectrons in

thin

indium

films.— «Phys.

Stat.

Sol.»,

1971,

v.

4a,

№

3.

p. К 187-191.

83.

M e a d

C.

A. Transport

of

hot electrons in thin gold films.—

34.

«Phys. Rev. Lett.», 1962, v. 8, № 2, p. 56—57.

diodes. — «J.

W h i t e

H.

G., L o g a n

R. A. GaP

surface-barrier

35.

Appl. Phys.», 1963, v. 34, p. 1990—1997.

С о 1i i n s

R. E., D a v i e s

L. W. Energy distribution of hot elec­

trons

in

aluminium. — «Appl. Phys.

Lett.»,

1963,

v.

2,

№

11,

p. 213—215.

36.

С г о w e 11

C. R., S z e

S.

M. Ballistic

mean

free path measure­

ments

of

hot electrons

in

Au films. — «Phys.

Rev.

Lett.»,

1965,

37.

v. 15, № 16, p. 659—661.

beam

attennuation

by

gold

films.—

R a n t e r

H.

Slow-electron

38.

«Appl. Phys.

Lett.», 1967, v.

10, № 3, p. 73—75.

Mean

free

path of

S t u a r t

R.

N.. W о о t e n

L\, S p i c e r

W. E.

hot electrons

and holes in metals. — «Phys. Rev. Lett.»,

1963, v. 10,

№ 1, p. 7—9.

39.

L о v e 1u с к

J. M., R h o d e r i c k

E. H. Monte-Carlo

calculations

of hot electron transport in

metal films, with special reference to

the metal — base transistor.— «Sol. State Phys.», 1967, v. 10, № 5,

42.

П и н с к е р

Т. Н. Прохождение горячих электронов

сквозь

ме­

таллическую пленку

в системе полупроводник — металл — полу­

43.

проводник.— «ФТП», 1967, т. 1, № 5, с. 702—711.

Q u i n n

J. J. Range of excited electrons in metals. •— «Phys. Rev.»,

1962, v. 126, № 4, p. 1453—1457.

И. Л. Работа выхода систе­

44. Ш и ш к и н

Ю. Г.,

С о к о л ь с к а я

мы золото —• барий

и медь —барий,

«Радиотехника

и электрони­

ка», 1960, т. 5, вып. 8, стр. 1218.

с поверхности

некоторых

ме­

45. М а р ч у к

П. М. Испарение бария

таллов,

«Радиотехника и электроника»,

1957,

т.

2,

вып.

12,

стр. 1479.

46.

В a t е у

Н. Work function measurement on the platinum alloys of

the alkaline—earth metals.—«Ргос.

IEEE».

1961,

v. B108, №

40,

p. 468.

47.

Г e p м а н

Г,, В а г е н е р

С. Оксидный катод. Пер.

с

нем. М.(

Госте.хиздат, 1949.

48.

М о о г е

G. Е.,

А 11 i s о n

Н. W. Thermoionic

emission

of

thin

films of

alkaline

earth oxide, deposited by

evaporation. — «Phys.

49.

Rev.», 1950, v. 77, № 2, p. 246.

Electron emission from metal—BaO systems. «J. Appl. Phys.», 1967,

v. 38, № 8, p.

3353. Au't.: В. V. Dore, D. V. Gepert, R. S. Muller,

50.

W. E. Spicer.

E i s e n s t e i n A. Thermoionic emission and elec­

R u s s e 11 P.,

tron diffraction from thin films of Barium oxide.—«J. Appl. Phys.»,

1954, v. 25, № 8, p. 954.