Файл: Ненакаливаемые катоды..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 74

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

42.

Ф ур сей

Г. II. Автоэлектроипая эмиссия с монокристаллов

 

вольфрама,

предшествующая

развитию

вакуумной дуги. — «Ра­

 

диотехника и электроника», .1961, т. 4, № 2, с. 298—302.

 

43. С о к о л ь с к а я

И. Л., Ф ур сей

Г. Н. Влияние различных по­

 

крытий на характер явлений, предшествующих разрушению воль­

 

фрамовых эмиттеров импульсами автоэлектронного тока большой

 

плотности. — «Радиотехника

и

электроника», 1962, т. 7,

№ 9,

 

с. 1484—1494.

 

 

 

 

 

 

 

 

44.

Фу р е е й

Г. Н.,

Т о л к а ч е в а

И. Д. Большие плотности авто-

 

электронного тока и эффекты, предшествующие вакуумному про­

 

бою для эмиттеров из Та и Мо. — «Радиотехника и электроника»,

 

1963, т. 8, № 7, с. 1210—1221.

 

 

 

 

 

 

45. Ф у р е е й

Г. Н. Импульсная автоэлектроипая эмиссия рения.—

 

«ЖТФ», 1964, т. 34, № 7, с. 1312—1316.

 

 

 

46. Е л и н с о н

М. И., К у Д и н д е в а Г. А. Автоэлектронные катоды

 

на основе

металлоподобных

тугоплавких

соединений. — «Радио­

47.

техника и электроника», 1962, т. 7, № 9, с.

1511—1518.

experi­

L е w i s

Т. J. Theoretical

interpretation

of

field emission

48.

ments.— «Phys. Rev.», 1956, v. 101, № 6,

p.

1694—1698.

studies

S t e r n

T. E„ G o s l i n g

B. S.,

F o w l e r

R. H. Further

 

in the emission of electrons from

cold metals. — «Roy. Soc. Proc.»,

 

1929, A, v. 124, p. 699—722.

 

 

 

 

 

 

 

49.А й з е н б е р г II. Б. О роли объемного заряда в сферических электронных проекторах. — «ЖТФ», 1954, т. 24, № 11, с. 2079— 2082.

50.

К о м п а н е е ц

А. С. Влияние объемного заряда

на

 

автоэлек-

 

тронную

эмиссию. — «Радиотехника

и электроника»,

1960, т.

5,

 

№ 8, с. 1315—1317.

 

 

на

 

автоэлек-

51. К о м п а н е е ц

А. С. Влияние объемного заряда

 

 

тронную эмиссию.—«ДАН СССР», 1959, т. 128, № 6, с. 1160—1162.

52. П о п л а в с к и й

Р. П. Распределение потенциала

в

шаровом

 

конденсаторе в

случае тока насыщения. — «ЖТФ»,

1950, т. 20,

 

вып. 2, с. 149—159.

 

 

 

 

 

 

53. А й з е н б е р г Н. Б. О влиянии объемного заряда на

форму

ха­

 

рактеристик 1п/=/(1/У а)

автоэлектродных катодов. — «Радио­

54.

техника

и электроника», 1964, т. 9,

№ 12, с. 2147—2155.

 

Г о д я к

В. А., Д у б о в о й

Л. В.,

3 а б л о т с К а я

Г. Р. Расчет

 

автоэмиссионного тока релятивистских электронов, ограниченного

 

пространственным зарядом. — «ЖЭТФ», 1969, т.

57,

11,

 

с. 1795—1798.

 

 

 

 

 

 

 

55. Влияние пространственного заряда релятивистских электронов на

 

автоэлектронную эмиссию. — «ЖТФ»,

1972, т. 42, № 6, с. 1282—

 

1287.

Авт.:

Л.

М. Б а с к и н ,

В. А.

Г о д я к,

О.

И.

Л ь в о в,

 

Г. Н. Ф у р с ей, Л. А. Ш и р о ч и н.

 

 

 

 

 

56.

Исследование

временных характеристик перехода

автоэлектрон-

 

ной

эмиссии в вакуумную

дугу. — «ДАН СССР»,

1970, т. 192,

 

2,

с.

309—312.

Авт.:

Г.

К-

К а р ц е в ,

Г.

А.

Ме с я ц ,

57.

Д. И. П р о с к у р о в с к и й , В. П. Р о т ш т е й н , Г. Н. Ф у р с е й .

Ф у р с е й

Г. Н., А н т о н. о в А. А., Г у л и н Б. Ф. Исследование

 

автоэлектронной эмиссии вольфрама в наносекундном диапазоне

 

длительностей

импульсов. — «Вестник

Ленинградского

универси­

 

тета»,

1971, №

10, с. 71—74.

 

 

 

 

 

 

 

58. B a r d e e n

J. Theory

of the

work

function. — «Phys. Rev.», 1936,

 

v. 49, № 9, p. 653—663.

 

 

 

 

 

 

 

319


59.

B a r d e e n

J. The image

and

van

der

Waals forces at a metallic

60.

surface. — «Phys. Rev.», 1940, v. 58, №

8,

p. 727—735.

 

region

of

J u r e t c h k e

H.

J.

Exange

potential

in

the

surface

 

a free

electron

metal. — «Phys.

Rev,»,

1953,

v. 92,

5, p. Г140—

 

1144.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

61.

L o u c k s

T. L.,

C u 11e r

P. H. The

effect

of

correlation of

the

 

surface

potential

of

a

free

electron

metal. — «J.

Phys. Chem.

So­

62.

lids», 1964, v. 25, p. 105—113.

 

 

 

 

field

emission

and

the

L e w i s T.

J.

Some factors influencing

 

Fowler — Notdheim

law. — «Proc.

Phys.

Soc.»,

1955,

 

B, v.

68,

 

Part II, № 431B, p. 938—943.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

63.

C u t 1e r

P. H., N a g y

D. The use

of a new potential

barrier mo­

 

del in

the

 

Fowler — Nordheim

theory

of

field

emission.— «Surf.

64.

Sci.», 1965, v. 3, № 1, p. 71—94.

 

 

 

 

for the surface

potential

C u 11e r

P. H., G i b b о n s J. J. Model

 

barrier and the periodic deviation in the

Schottky

effect. — «Phys.

65.

Rev.», 4958, v. Ill, № 2, p. 394—402.

A.,

P h i p p s

T. E. Applica­

В e r t о 1d

 

G. G,

K u p p e r m a n n

 

tion of

numerical

methods

to the

theory of the periodic

deviations

 

in the

Schottky

effect. — «Phys. Rev.»,

1962,

v. 128,

2,

p. 524—

 

531.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

66. В а с и л ь е в Г. Ф. Влияние формы потенциального барьера на границе эмиттер-вакуум и распределения электрического поля по поверхности эмиттера на вид вольтамлерных характеристик автоэлектронной эмиссии. —• «Радиотехника и электроника», 1960, т. 5,

11, с. 1857—1861.

67.З е й т ц Ф. Современная теория твердого тела. Л., Изд-во тех­ нико-теоретической литературы, 1940, с. 178.

68. M i 11 е г S. С.,

G о о d

R. Н. A WKB— Type Approximation

to

 

the Schrodinger

Equation. — «Phys.

Rev.»,

1953,

v.

91,

1,

 

р. 174—179.

 

 

 

 

 

 

 

 

сложных

69. М о р г у л и с

II. Д. К вопросу об эффекте Шоттки для

 

полупроводниковых

катодов. — «ЖЭТФ»,

1946,

т.

16,

11,

70.

с. 959—964.

R.

Field

emission from semiconductors. — «Proc.

S t r a t t o n

 

Phys. Soc. (London)», 1955, v. B68, p. 746—757.

 

 

 

 

 

71. S t r a t t o n

R. Theory of field emission from semiconductors.—

72.

«Phys. Rev.», 1962, v. 125, № 1, p. 67—82.

 

 

of

the space

К i n g s t о n

R. H.,

N e u s t a d t e r

S. F. Calculation

 

charge, electric field

and

free carrier concentration at the

surface

of

 

a semiconductor. — «J. Appl. Phys.»,

1955, v. 26, №

6,

p.

718—720.

73.S e i w a t z R., G r e e n M. Space charge calculations for semicon­ ductors.— «J. Appl. Phys.», 1958, v. 29, № 7, p. 1034—1040.

74.Simple physical model for the space-charge capacitance of metal —

 

oxide— semiconductor structures. — «J.

Appl.

Phys.»,

1964,

v. 35,

 

№ 8, p. 2458—2460. Aut.: A. S. G r o v e ,

В. E. De a l . E. H. S h о w,

 

С.

T. S ah.

 

 

 

 

 

 

 

75.

C h r i s t ov

S. G. Unified theory of

thermoionic and

field

emis­

 

sion from

semiconductors. — «Physica

 

Status

Solidi»,

1967,

v. 21,

 

1, p. 159—173.

 

 

 

 

 

 

76.

A r t h u r

J.

R. Photosensitive

field emission

from p-type germa­

 

nium. — «J.

Appl. Phys.», 1965,

v. 36,

№ 10,

p. 3221.

 

 

77.F u r s e у G. N., E g о г о v N. V. Fieldemission of p-lype silicon.— «Phys. Stat. Sol.», 1969, v. 32, p. 23.

320



78.

Ф у р с е й

Г. М.,

Б а х т й з и п Р. 3.

Нелинейные вольтампёрные

79.

характеристики p-типа Ge. — «ФТТ»,

1969, т. 11, с. 3672.

L. S.

В о г z j a k

Р. G., Y a t s е п к о A. F., M i r o s h n i c h e n k o

 

Photo-tield-emission from high-resistance silicon and germanium. —

 

«Phys. Stat. Sol.», 1966,

v. 14, № 2, p. 403—411.

 

80. С о к о л ь с к а я

И. Л.,

Щ е р б а к о в

Г. П. Экспериментальная

 

проверка причин нелинейности вольтамперных характеристик

 

автоэлектронного

тока

с

монокристаллов CdS. — «ФТТ»,

1962,

 

т. 4, в. 1, с. 44—51.

 

 

 

 

81. С о к о л ь с к а я

И. Л.,

Щ ер б а к о в

Г. П. Изучение эффектов

 

сильного поля в

автоэлектронных эмиттерах — кристаллах

суль­

82.

фида кадмия. — «ФТТ», 1961, т. 3, в. 1, с. 167—175.

 

В г о р о в

II. В., Ф у р с е й

Г. II., М а н о х и н С. П. О механиз­

 

ме возникновения области насыщения эмиссионного тока при

 

авгоэлектронной

эмиссии. •— «ФТТ», 1971, т. 13, с. 1823—1825.

83. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. Под ред. И. Л. Со­

 

кольской. М., «Наука»,

1971.

Авт.: Р. Ф и ш е р ,

X.

Н о й м а н , ,

84.

Г. Н. Ф у р с е й, О. И. Л ь в о в.

Р.

3.

Нелинейные

вольтамперные'

Фу р е е й

 

Г. Н.,

Б а х т и з и н

 

характеристики p-типа

Ge. — «Вестник ЛТУ. Сер. физ. и

хим.»,,

 

1970, № 22, с. 26.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

85. Ж д а н

А.

Г., Е л и н с о н

М.

И.,

С а н д о м и р с к и й

 

В. Б*.

 

Исследование спектров автоэлектронов, эмиттированных из полу­

 

проводников. — «Радиотехника

и

электроника»,

1962,

т. 7,

№ 4ь

 

с. 670—686.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

86. Теория «бесконтактного» варианта эмиссии горячих

электронов?

 

из полупроводников. — «Радиотехника

и электроника», 1965, т. 10*,

 

№ 7, с. 1288—1294. Авт.: М.

И. Е л и н с о н ,

 

А.

Г.

Ж Д a Hi,

 

В. Ф. К р а п и в и н , Ж. Б. М и н к о в с к и й , В. Н. Лу ц к и й , .

87.

В. Б. С а н д о м и р с к и й .

М.

И.,

Л ь в о в

О.

И.

К

теории

Ф у р с е й

Г. Н.,

К а п л а н

 

автоэлектронной эмиссии p-типа

полупроводников. — «Вестник

 

ЛГУ. Сер. физики и химии», 1968, № 16, с. 167.

 

 

 

features

88- В a s k i n

L. М.,

L v o v

О. I.,

F u г s е у G. N. General

 

of field emission

from

semiconductors. — «Phys.

Stat.

Sol.

(b)»,

 

1971, v. 47, p. 49—62.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

89.М и р о ш н и ч е н к о Л. С. Автоэлектронная эмиссия из высоко­ омных кремния и германия. Канд. дис., Киев, Институт физики АН УССР, 1967.

90.

Щ е р б а к о в Г. П. С о к о л ь с к а я И. Л. Экспериментальное

 

изучение энергетического распределения автоэлектронов с моно­

91.

кристаллов CdS. — «ФТТ»,

1962, т. 4, в. 12. с. 3526—3536.

Я ц е н ­

М и р о ш н и ч е н к о

Л.

С., М и р о щ е н к о И. С.,

 

ко

А. Ф. Энергетическое

распределение электронов, эмиттируе-

 

мых

кремниевым

автофотокатодом. — «Электронная

техника..

 

Сер. 4. Электронно-лучевые и фотоэлектрические приборы», 1968,.

 

вып,

2, с. 176.

 

 

 

92.Я д е н к о А. Ф. Фотополевая эмиссия из высокоомных полупро­ водников р-типа. — «Электронная техника. Сер. 4. Электроннолу­ чевые и фотоэлектрические приборы», 1968, вып. 2, с. 169—175..

93.Y a t s е n к о A. F. On a model of photo-field-emission from p-type; semiconductors. — «Phys. Stat. Sol. (a)», 1970, v. 1, p. 333—348.

94.N e u m a n n H. Nichtlineare Effekte bei der Feldemission aus? Halbleitern. — «Ann. Phys.», 1968, v. 22, № 1—2, p. 40.

21-473

32К


9о. Ф у р с е й

Г. Н„ И в а н о в В. Г. Автоэлектронмая эмиссия

Si,

очищенного десорбцией полем. — «ФТТ», 1967, т. 9, №

6,

с. 1812.

 

 

 

К ГЛАВЕ 7

 

 

 

 

 

 

 

1. F o w l e r

R. Н., N o r d h e i m

L. Electron

emission

in

intense

electric fields. — «Proc.

Roy.

Soc.»,

1928,

v. 119,

A781,

р.

173—181. N o r d h e i m

L. Die Theorie

der

Elektronenemission

der

Metalle. — «Physikalische

Zeitschrift»,

1929,

Bd.

30,

7,

S. 117—196.

 

В. П.,

Ш р е д н и к

В. Н. Новый

2. К о м a p

А, П., С а в ч е н к о

метод изготовления автоэлектронных эмиттеров из легкоплавких

металлов

и сплавов. — «Радиотехника

и электроника»,

1960, т. 5,

№ 8, с. 1342—1346.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П а в л о в

В. Г., Р а б и н о в и ч А. А., Ш р е д н и к В. Н. Обна­

ружение

вытягивания * острий

электрическим

полем. — «Письма

в ЖЭТФ», 1973, т. 17, № 5, с. 247—250.

3.Автоионная микроскопия. Под ред. Дж. Рена и С. Ранганатана. Пер. с англ. М., «Мир», 1971, с. 240.

М ю л л е р Э., Ц о н ь Т. Автоионная микроскопия (принципы и применение). Пер. с англ. Под ред. Л. П. Потапова. М., «Метал­

лургия», 1972, с. 143—154.

автоионная

микроскопия. — «Оё

4. Н а к а м у р а

С.

Современная

буцури», (на

яп.

языке), 1966, т.

35, № 5, с.

365—369.

5.Т е г а р т В. Электролитическое и химическое полирование метал­ лов. Пер. с англ. М., 1957. Изд-во иностр. лит-ры.

6.

N i е m е с k

F. W., R u р р i n

D. Elektrolytische Atzung

von Ка-

 

thodenspitzen fur Feldelektronenmikroskop. «Zs. angew.

Phys.»,

7.

1954, Bd. 6, № 1, S. 1—3.

В. А.,

В а с и л ь e в Г. Ф. Иссле­

E л и n с о II

M. И., Г о р ь к о в

 

дование одного способа уменьшения

бомбардировки

автоэлек-

тронпых катодов ионами остаточных газов. «Радиотехника и электроника», 1957, т. 2, № 2, с. 204—218.

8. Г а р б е р Р. И.-Г., Д р а н о в а Ж. И., М и х а й л о в с к и й И. М. Способ изготовления игольчатых автоэлектронных эмиттеров. Авт.

9

свидетельство № 171929, — «БИ», 1965, № 12.

Ш р е д н и к

В. Н. К вопросу

об усреднении автоэмиссионной

 

работы выхода. — «Радиотехника и электроника», 1963, т. 8, № 11,

 

с. 1933—1944.

 

 

electron microscopy and electric field

10. The field emitter: fabrication,

 

calculations.— «J.

Appl. Phys.»,

1953, v. 24, № 2, p. 570—576.

11.

Aut.: W. P. Dyke, J. K. Troian, W. W. Dolan, G. Barnes.

D r e c h s l e r

M.,

H e n k e l

E.

Feldemissions-Stromdichten und

Oberflachenfeldstarken bei Feldemissionsmikroskopen sowie Methoden zur Bestimmung des Spitzenradius, der Spitzenform, der

Verfrosserung

und

Auflosungsvermogens. — «Zs.

angew. Phys.»,

1954, Bd. 6, S. 341—346.

 

 

pattern,

cor­

12. B a r n e s

G. Field emission from rhenium, emission

responding

to

hexagonal crystal

structure. — «Phys.

Rev.»,

1955,

v. 97, № 6, p. 1579—1583.

В. А, В а с и л ь е в

Г. Ф. Авто-

13. Е л и н с о н

M. И.,

Г о р ь к о в

электронная

эмиссия рения. — «Радиотехника

и электроника»,

1958, т. 3, № 3, с. 307—312.

 

 

 

 

14.Е л и н с о н М. И., В а с и л ь е в Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия. М., Физматгиз, 1958.

322