Файл: Ненакаливаемые катоды..pdf

53.

Непакаливаемый эмиттер

со структурой

полупроводник — плёнка

металла.— «Радиотехника

и

электроника»,

1968,

т.

13, № 8,

с.

1523—1524. Авт.: Г. А. Кудинцева,

В. И. Покалякин,

В. В. Ни-

54.

кулов, М. И. Елинсон, Г. В. Степанов.

form

silicon

surface— bar­

Field— induced photoelectron emission

rier

diodes. — «J. Appl.

Phys.»,

1967,

v. 38,

№

8,

p. 3345—3397.

55.

Aut.: T. Itoh, I. Matsuda,

K. Hasegawa,

K. Umeoka.

11 о h T., M a t s u d a

I,

H a s e g a w a

K. Field-induced photo­

electron emission from p-type silicon aluminium

surface — barrier

diodes. — «J. Appl. Phys.»,

1970, v. 41,

№ 5, p.

1945—1951.

К

Г Л А В Е

5

1.

С о м м е р

А.

Фотоэмиссионные

материалы.

Пер. с

англ. М.,

2

«Энергия»,

1973.

L а а г

J. Influence

of band bending on pho­

S с h е е г

J. J., van

toelectric

emission

from

silicon

single

crystals. — «Philips Res.

3.

Rept», 1962, v. 17, № 2, p. 101—124.

structure

in photoelectric

A 11 e n

F. G.,

G о b e 1i

G. W. Energy

emission

from

Cs-covered

silicon

and germanium. — «Phys. Rev.»,

4.

1966, v. 144, № 2, p. 144—152.

S c h e e r

J. J., van

Laar

J. GaAs—Cs a new type of photoemit­

ter. — «Solid State Commun.»,

1965, v. 3,

p. 189—193.

5. J a m e s

L. W., M o l l

J.

L„

S p i c e r

W. E. The GaAs photo­

cathode.— In.:

Proc. 1968 Symp. on GaAs conf.

Ser. 7.

London:

Inst. Phys. Soc., 1969, p. 230—237.

of GaAs obtained

6. J a m e s

L. W., M o l l

J. L. Transport properties

from photoemission measurements. «Phys. Rev.», 1969, v. 183, № 3,

7.

p. 740—753.

M о 11 J. L.,

S p i c e r W. E. Experimental

evidence

E d e n

R. С.,

for optical population of the X minima

in GaAs. — «Phys. Rev.

8.

Lett.»,

1967, v. 48, p. 597—599.

В e 11 R. L., S p i c e r

W. E. 3—5 compound photocathodes: a new

family

of

photoemitters

with

greatly

improved

performance. —

«Proc. IEEE»,

1970, v. 58, p. 1788—1801.

GaAs—

9. T u r n b u 11 A. A.,

E v a n s

G. B. Photoemission from

10.

Cs—О—«J. Phys. D» ser. 2, 1968, v. 1, p. 155—160.

oxide

as

U e b b i n g

J.

J., J a m e s

L. W.

Behavior of

cesium

a low work

function

coating.— «J. Appl. Phys.», 1970, v. 41, J\T°

11,

experiments. — «Rev. Sci. Instrum.»,

1971, v. 42, №

7,

p.

1082—

12.

1083.

D. L. A cesium ion source and an

oxygen

source

for

S c h a e f e r

photoemission

studies. — «Rev. Sci.

Instrum.»,

1970,

v.

41,

2,

13.

p. 374—375.

alkali

ion

sources.

W e b e r

R. E., С о r d e s L. F. Aluminosilicate

«Rev. Sci.

Instrum.», 1966, v. 37, № 1, p. 112—113.

14.

G a r b

e S. Factors affecting photoemission from cesium oxide co­

15.

vered

GaAs. — «Solid-State Electron.», 1969, v. 12, p. 893—902.

S o m m e r A. H., W h i t а к e r

H. H., W i 11i a m s B. F. Thick­

ness of Cs and Cs—О films on GaAs(Cs) and GaAs(Cs—0) photo­

16.

cathodes. — «Appl. Phys. Lett.»,

1970, v. 17, № 7, p. 273—274.

B e l l

R. L., U e b b i n g J. J.

Photoemission from InP—Cs—O.—

«Appl. Phys. Lett.», 1968, v. 12, p. 76—78.

using

GaAs

17. U e b b i n g

J. J.,

В e 11

R. L. Improved photoemitters

18.

and InGaAs.— «Proc. IEEE

(Lett)»,

1968, v. 56, p. 1624—1625.

Optimisation

of

the

In AsxPi-x—CS2O photocathode

«J.

Appl.

Phys.», 1971,

v.

42,

№

2,

{p.

580—586}.

Aut.: L.

W. James,

19.

G. A. Antypas, J. J. Uebbing, T. O. Yep, R. L. Bell.

growth

of

A n t у p a s

G.

A.,

J a m e s

L.

W. Liquid

epitaxial

GaAsSb and its use as a high-efficiency,

long-wavelength

thres­

hold

photoemitter.— «J. Appl. Phys.», ‘1970,

v. 41, № 5, p. 2165—

2171.

20. W i 11 i a m s

B.

F.

InGaAs—Cs—O, a low work function

(less

than

1.0 ev)

photoemitter. — «Appl. Phys. Lett.»,

4969,

v. 14, №

9,

p. 273—275.

from cesium oxide covered

GalnAs.—

21. K l e i n

W. Photoemission

22.

«J. Appl. Phys.», 1969, v. 40, p. 4384—4389.

from

silicon. —-

M a r t i n e 11i

R.

V.

Infrared

photoemission

23.

«Appl. Phys. Lett.»,

1970, v. 16, № 7, p. 261—262.

elec­

S 0 n e n b e r g

H.

Low-work-function surfaces for negative

tron

affinity

photoemitters. — «Appl. Phys. Lett.»,

1969, v,

14, №

9,

24.

p. 289—291.

F.,

B a e r

A. D.

Interfacial

barrier

of

hetero­

M i 11 0 n

A.

junction

photocathodes. — «J.

Appl.

Phys.»,

1971, v.

12,

№

12,

25.

p. 5095—5101.

s t r o m

R. E„ W i 11i a m s

B. F. Long-wave­

F i s h e r

D. G„ E n

length photoemission from Gai_xInxAs alloys.—«Appl. Phys. Lett.»,

26

1971, v. 48, № 9, p. 371—373.

W. E. Effects

of heat

cleaning

L iu

Y. Z., M о 11

J. L., S p i c e r

on the photoemission properties of

GaAs surfaces. — «Appl. Phys.

27.

Lett.», 1969, c. 14, p. 275—277.

determining

U e b b i n g J. J. Use

of Auger electron spectroscopy in

the

effect of

carbon

and

other surface contaminants

on

GaAs—

28.

C s — О photocathodes.—-«J. Appl. Phys.», 1970, v. 41, p. 804—808.

G a r b e

S.,

F r a n k

G. Efficient

photoemission

from

GaAs

epita­

xial

layers. — «Solid-State

Commun.», *1969, v. 7,

p. 615—617.

diffraction.— «J.

Appl. Phys.»,

1958, v. 29, № 8,

p. 1150—1461.

Aut.: H. E. Farnsworth, R. E. Schlur, T. H. George, R. M. Burger.

30. Photoelectron surface escape probability of (Ga, In)

As: C s: 0

in

the 0.9 to ~4.6p

range. «J.

Appl. Phys.», 4972,

v. 43, №

9,

31.

T i e t j e n

J. J.,

A m i c k

J.

A. The preparation

and properties

of vapor-deposited epitaxial GaAsi-xPx using arsine and

phos­

32.

phine.— «J. Electrochem.

Soc.», 4966, v.

113, №

7,

p. 724—728.

L i u Y. Z.,

M о 11 J. L.,

S p i c e r W. E.

Quantum

yield of

GaAs

semitransparent

photocathodes. — «Appl.

Phys.

Lett.»,

1970,

33.

v. 17, p. 60^62.

A., J a m e s

L. W., U e b b i n g

J. J. Operation

A n t у p a s

G.

of III—V

semiconductor

photocathodes

in

the

semitransparent

mode. — «J.

Appl. Phys.»,

1970. v. 41, №

7,

p.

2888—2894.

36.

J а с к s о n D. A., Y e e

E. M. Photoemission

yield dependency on

bandgap energy

for GalnAs alloys. — «Proc.

IEEE»,

1971,

v. 59,

№ 1, p. 90—91.

37.

M a n a s e v i t

H. M.

Single-crystal

gallium

arsenide

on

insula­

ting substrates.—«Appl.

Phys. Lett.»,

1968, v.

12, № 4,

p. 456—159.

«Наука»,

1965.

типа А3В5. Пер.

40. X и л с у м

К.,

Р о у з - и н с А. Полупроводники

с англ. М., Изд-во ИЛ, 1963.

41. Д о б р е ц о в

Л. Н., Г о м о ю н о в а М. В. Эмиссионная электро­

42.

ника, М., «Наука», 1965.

K r e s s e l

Н.

Efficient

photo­

S с h a d е

Н.,

N e l s o n И.,

emission from

Ge-doped GaAs grown

by liquid-phase epitaxy. —

43.

«Appl. Phys. Lett.», 4971, v. 18, № 4 , p.

1 2 I—122.

from «cold—

W i 11i a m s

B. F.,

S i m o n

R. E. Electron emission

cathode»

GaAs p-n

junction. — «Appl.

Phys.

Lett.»,

1969,

v. 14,

45.

Cold

cathode

electron emmitter. — «Solid-State

Electron.»,

1963,

v. 6, № 6, p. 674—676. Aut.: J. M. Lavine, S. K. Stelle, A. A. Janni-

46.

ni,

E. Adler.

C o o m b e s .1. B. An

opto-electronic

cold

cathode

M 0 s s

T.

S.,

for

cathode

ray

tubes. — «Solid-State

Electron.»,

1968, v. 11,

№ 7,

47.

p.

661—566.

P. T. Radiative decay in compound semiconduc­

L a n d s b e r g

tors. — «Solid-State Electron.», 1967, v. 10, № 6, p. 513—537.

48. Novel GaAs—(AlGa)As cold

cathode structure and factors affec­

ting

operation. — «Appl. Phys. Lett.»,

1970, v. 16, p. 359—361. Aut.:

H.

Kressel, E.

S. Kohn, N. Nelson, J. J. Tietien, L. R. Weisberg.

49. S c h a d e

H.,

N e l s o n

H.,

К r e s s e 1

H. Efficient

electron

emis­

sion from GaAs—Ah-.-tGaxAs optoelectronic cold-cathode struc­

tures.— «Appl. Phys. Lett.»,

1971, v. 18, № 10, p. 413—^445.

50. K r e s s e l

H.,

H a w r y l o

F.

Z.,

A l m e l e h

N.

Properties of

efficient

silicon

compensated

AlxGai_EAs electroluminescent dio­

des. — «J.

Appl.

Phys.»,

4969,

v.

40,

№ 5,

p.

2248—2253,

К

г л а в е

6

1. G a m o v

G.

Zur Quantentheorie des

Atomkernes. — «Z.

Phys.»,

2.

1928, Bd. 51, Heft 3—4, S. 204—212.

Electron

emission in

intense

F 0 w 1e r

R.

H., N о r d h e i m

L.

electric

fields. — «Proc. Roy. Soc.»,

1928, v. 149,

№ A781,

p. 173—

181.

5.

Б е т е

Г.,

З о м м е р ф е л ь д

А. Электронная

теория

металлов.

6.

Пер. с нем. М„ ОНТИ НКТП СССР, 1938.

J. М.

Corrected

B u r g e r s

R. Е., K r o e m e r H . ,

H o u s t o n

values

of

Fowler — Nordheim

field

emission functions

в (t/) and

S(y). — «Phys. Rev.», 1953, v. 90,

№

4, p. 515—518.

7. Е л и н с о в

M. И., В а с и л ь е в Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия.

М., Физматгиз, 1958.

8.

G о о d

R. Н., М u 11 е г Е. W. Field

emission. — In:

Handbuch

der Physik

(Ed. by. S. Fliigge),

Bd. 21,

Springer Verl. Berlin, 1956,

10.

Е л и н с о н

M. И. Эмиссия электронов под действием сильных

электрических полей. Док. дис. Л., ЛПИ им. М. И. Калинина,

1961.

11.

Ш р е д н и к

В. Н. Автоэмиссионная микроскопия металлопле­

ночных покрытий. Канд. дис. Л., ФТИ им. А. И. Иоффе АН

СССР, 1965.

13.

№ 1», 1966, p. 1—102.

R. H. Thermionic

emission, field

emis­

M u r p h y

E.

L„ G o o d

sion and

the transition region. — «Phys. Rev.»,

1956, v. 102,

№ 6,

p. 1464—1473.

14.

G u t h

E.,

M u I I i n

C. J. Electron

emission

of

metals in electric

fields.— «Phys. Rev.», 1942,

v. 61,

№

5—6,

p. 339—348.

15. А н д р е е в

И. С. Исследование электронной эмиссии из металла

в области

ее

перехода

от

холодной к

термоэлектронной. —

16.

«ЖТФ», 1952, т. 22, № 9, с. 1428—1441.

D o l a n

W. W., D y k e

W. Р. Temperature-and-field emission of

electrons from metals.—«Phys. Rev.», 1954, v. 95, № 2, p. 327—332.

17. О теории

автоэлектронной и термоавтоэлектронной эмиссий ме­

таллов и полупроводников. — «Радиотехника и электроника», 1961,

т. 6. № 8,

с. 1342—1353. Авт.: М. И. Елинсон, Ф. Ф. Добрякова,

В. Ф. Крапивин, 3.

А. Малина, А. А. Яснопольская.

18.

C h r i s

t o v

S. G. General theory of electron emission from me>

tals. — «Phys.

Stat.

Sol.»,

1966, v. 17, № 1,

p.

11—26.

элек­

19. Д о б р е ц о в

Л. H., Г о м о ю н о в а

M. В. Эмиссионная

20.

троника. M., «Наука», 1966.

Н. И. Поверхностная ионизация. М.,

З а н д б е р г Э. Я,,

И о н о в

«Наука»,

1969.

Studies

in the field emission microscope. — «J. Chem. Phys.»,

1961,

v. 35, № 4„ p. 1421—(1439.

23. С о к о л ь с к а я

И. Л.,

Ми л е ш к и на Н. В. Автоэлектронная

эмиссия

тонких

слоев

германия на вольфраме. — «ФТТ»,

1961,

т. 3, №

11, с. 3389—3394.

Автоэлектронная эмиссия и поверхностная миграция германия па

24.

вольфраме. — «ФТТ», 1964, т. 6, № 6, с. 1786—1798.

S о к о 1s к а у а

1. L. Besonderheiten der Feldelektronenemission

aus diinnen

halbleitenden und dielektrischen Schichten. — In: Third

czechoslovac Conference on Electronics and Vacuum Physics Trans­

actions.

Prague,

Sept. 24—28, 1965, »p. 283—292. Verl. der Tsche-

25.

chosl. Acad, der Wissenschaften, Prag, 1967.

D u к e

С.

В.,

A 1f e r i e f f M. E. Field

emission through atoms

absorbed on

a metal surface. — «J. Chem.

Phys.», 1967, v. 46, № 3,

го слоем адаматов.— «ФТТ»,

1965, т. 7, № 11,

с. 3200—3203.

27. P l u m m e r

Е., Y o u n g R.

D. Field-emission

studies

of electro­

nic energy

levels of absorbed

atoms. — «Phys.

Rev.»,

4970, В—1,

29.

ling of

electron from metal.—«Phys. Rev.», 1969, v. 182, № 2, p. 416.

S w a n s o n

L. W.,

C r o u s e r

L. C. Total energy

distribution

of

field-emitted electrons and single — plane work

function for

tungs­

30.

ten.— «Phys. Rev.», 1967, v. 163, № 3, p. 622—641.

Л и в ш и ц

И. M.,

А з б е л ь

M. Я., К а г а н о в

М. FI. Электрон­

31.

ная теория металлов. М., «Наука», 1971.

И ц к о в и ч

Ф. И. К теории автоэлектронной эмиссии металлов.

32.

Ч. I — «ЖЭТФ». 1966, т. 50, № 5, с. 1425—1437.

И ц к о в и ч

Ф. И. К теории автоэлектронной эмиссии металлов.

Ч. II — «ЖЭТФ», 1967, т. 52, № 6, с. 1720—1735.

Priifung

der

33. Н а е f е г

R. Experimentelle

Untersuchungen

zur

wellenmechanischen

Theorie

der

Feldelektronenemission. — «Zs. f.

34.

Phys.», 1940, Bd. 116, № 9—10, S. 604—609.

current

densi-

D y k e

W. P., T г о 1a n J. K. Field emission: large

tes, space

charge

and vacuum

Arc. — «Phys. Rev.», 1953,

v.

89,

initiation. — «Phys. Rev.», 1953, v. 91, № 5, p. 1043—1057. Aut.:

36.

W. P. Dy k e , J. K. T r o i a n , E. E. M a r t i n , J. P. B a r b o u r .

D o l a n

W. W., D y k e

W. P., T г о 1a n J. K- The field emission

initiated vacuum arc. II. The resistively

heated emitter. — «Phys.

37.

Rev.», 1953, v. 91, № 5, p. 1054—1057.

4963, v. 92,

Space-charge effects

in

field emission — «Phys. Rev..»,

№ 1, p. 45—54. Aut.:

J. P. B a r b o u r , W. W. D o l a n ,

J. K. T r o ­

38.

i an, E. E. M a r t i n ,

W. P. Dy k e .

W. P. Stable,

high density

M a r t i n

E. E., T г о 1a n J. K., D y k e

field emission cold cathode. — «J. Appl.

Phys.», 1960,

v. 31, № 5,

плотностях токов. — «Радиотехника и электроника»,

1960,

т. 5,

№ 8, с. 1318—1326. Авт.: М. И. Е л и неон, В. А.

Г о р ь к о в ,

А. А. Я с н о п о л ь с к а я , Г. А. К у Д и н ц е в а.

В. Б.

40. Г о р ь к о в В. А., Е л и н с о н М. И., С а н д о м и р с к и й

О роли пространственного заряда при отборе автоэлектронных

токов большой плотности. — «Радиотехника и электроника»,

1962,

т. 7, № 9, с. 1495—1500.