Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 143

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

74 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

изложницы, благодаря чему на них и начинается зародышеобразование. Хотя обычно слиток не бывает монокристальным, в бла­ гоприятных условиях через весь расплав проходит единственный фронт затвердевания.

Консервативный рост посредством кристаллизации, которая не относится к нормальной, иллюстрируется на фиг. 2.4, д. Из-за нерегулярной формы температурного профиля рост в данном случае инициируется во многих точках, так что кристаллизация происходит на многих поверхностях раздела между двумя фа­ зами.

Во всех консервативных процессах выращивания кристалла, когда условия обеспечивают равновесное распределение примеси, это распределение удовлетворяет следующему дифференциаль­ ному уравнению [11]:

d

In

Xt _ ,

1.

(2.24)

d

In

Ni

 

 

Здесь Xi есть атомная доля примеси или активатора в жидкой фазе, Ni — общее количество примеси в жидкой фазе, a k0 ко­ эффициент равновесного распределения примеси или активатора, когда концентрации выражены через атомные доли.

Это уравнение справедливо для всех процессов консерватив­ ного роста кристаллов, но им трудно пользоваться, когда про­ цесс не относится к случаям нормальной кристаллизации. Для подобного процесса обычно нет данных о доле расплава, все еще остающегося в жидком состоянии к моменту затвердевания дан­ ного участка расплава. Долю закристаллизовавшегося расплава при затвердевании данного участка трудно определить даже в случае нормальной кристаллизации по способу Киропулоса или при отливке слитков. Уравнением (2.24) проще всего пользо­ ваться при выращивании кристаллов методами Бриджмена — Стокбаргера и Чохральского, потому что тогда в процессе роста легко определить в любое время долю затвердевшего вещества из простых геометрических соображений. На фиг. 2.5 иллюстри­ руется распределение примеси в твердой фазе при консерва­ тивной кристаллизации в зависимости от доли закристаллизовав­ шегося вещества для разных значений &Эфф [16].

График фиг. 2.5

построен по

соотношению

 

 

Cs = kfiul(\-g)k"-\

(2.25)

которое

справедливо, когда &Эфф

k0');

здесь С3 — концентрация

примеси

в твердой

фазе, С0 гисходная

концентрация в жидкой

') Это выражение эквивалентно допущению, что

при

данной

скорости

роста обеспечивается

полное перемешивание в жидкой

фазе

и что

диффузией

в твердом состоянии

можно пренебречь [15].

 

 

 


2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

76

фазе, a g — доля затвердевшего расплава. Соотношение

(2.25)

в той или иной форме выводилось различными авторами [15]; оно дает решение дифференциального уравнения (2.24) в предполо­ жении равенства плотностей твердой и жидкой фаз (или введе­ ния «отношения плотностей» [15]) и при замене атомных долей

концентрациями. Как показано ниже, это распределение примеси в корне отлично от распределения, наблюдающегося при некон­ сервативных процессах.

При том или ином консервативном процессе содержание при­ месей можно контролировать, отрезая загрязненный участок кристалла, переплавляя оставшуюся чистую часть и вновь

76

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

подвергая ее перекристаллизации. Подобным неоднократным удалением грязных концов можно получать весьма чистые мате­ риалы или добиться какого-то особого распределения примеси. Главный недостаток такого процесса — неэкономное расходова­ ние материала, поскольку всякий раз приходится отрезать и пу­ скать в отбросы загрязненный конец кристалла или его часть

снежелательным распределением примеси.

2.8.НЕКОНСЕРВАТИВНЫЕ П Р О Ц Е С С Ы

Внеконсервативных процессах материал можно вводить в

расплавленную зону или выводить из нее посредством любого процесса, кроме кристаллизации [И]. Один из путей, посредством которого система перестает быть консервативной, состоит в уле­ тучивании паров. Все твердые и жидкие тела характеризуются равновесным давлением паров. Но когда давление низкое или когда система относится к закрытым, так что испарение сравни­ тельно небольшого количества вещества приводит к установле­ нию равновесного давления пара, рост кристалла становится консервативным по отношению к улетучиванию. Рост будет кон­ сервативным по отношению к улетучиванию паров и в том слу­ чае, когда приняты те или иные меры для поддержания равно­ весного давления пара за счет какого-то источника, каким не может быть ни расплав, из которого растет кристалл, ни сам та­ кой кристалл. Обычный способ ведения неконсервативного про­ цесса роста заключается в том, что вводимое вещество распла­ вляют в зоне плавления в процессе кристаллизации.

Примером особенно мощного неконсервативного процесса, ис­ пользуемого для очистки и выращивания монокристаллов, служит зонная плавка, изобретенная Пфанном [16]. При горизонталь­ ной зонной плавке материал находится в лодочке, как показано на фиг. 2.6, а, где поддерживают такой температурный про­ филь, чтобы создать узкую расплавленную зону. Эту зону до­ вольно медленно перемещают вдоль лодочки, чтобы осуществить очистку от примеси или в отдельных случаях гомогенизировать состав. К зонной плавке часто прибегают и для выращивания монокристаллов. Если требуется дальнейшая очистка, то рас­ плавленную зону возобновляют на переднем конце лодочки и процесс повторяют (делают еще один проход). Можно произве­ сти затравливание, поместив затравку в переднюю часть лодочки и образуя зону таким образом, чтобы не расплавить затравку полностью.

Подлежащий перекристаллизации слиток можно расположить и вертикально (фиг. 2.6,6). Такой метод плавающей зоны [17— 20] не требует тигля для расплава, что устраняет возможность попадания из него загрязнений в расплав. Расплавленная зона,


2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

77

которую обычно создают посредством индуктора или лучевого нагрева, удерживается на месте силами поверхностного натяже­ ния. Не обязательно, чтобы подлежащий перекристаллизации слиток имел такой же диаметр, как и выращиваемый кристалл. Если расплавленная зона удерживается стационарно на одном месте, а плавящийся подлежащий перекристаллизации слиток «подают» в нее, в то время как растущий кристалл вытягивают

Tff*

CZD Жидкость

Ф и г . 2.6. Неконсервативные

процессы выращивания кристаллов,

из нее, то диаметр кристалла будет зависеть от отношения ско­

ростей подачи и вытягивания. Этот

способ выращивания назы­

вают методом наращивания

пьедестала или методом

выталкива­

ния кристалла. Его можно

считать

вариантом метода

вытягива­

ния или метода плавающей зоны. На фиг. 2.6, в показана одна из

разновидностей

данного метода.

 

На фиг. 2.6, г иллюстрируется процесс выращивания

кристал­

лов расплавлением

в пламени (метод Вернейля). При этом спо­

собе выращивания на поверхности затравки с помощью пламени, плазмы или сфокусированного излучения от мощного источника света создается наплыв расплава, удерживаемый на месте по­ верхностным натяжением. В него подсыпают порошковый мате­ риал или добавляют расплавленные капельки. Если источником

78 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

нагрева служит пламя, то порошок подают в пламя через трубки с газом. К газу можно добавлять летучие соединения нужного вещества, которые, взаимодействуя с пламенем, образуют рас­ плавленные капельки. Во всех случаях затравку вытягивают

1—•—

\^Эфф •5

1,0

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

- —

0,9

 

 

 

 

 

 

 

0,8

-

^

 

 

 

 

 

 

 

 

0,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,5

 

 

 

^о,г

 

 

 

 

 

 

0,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'

-

 

 

 

 

 

 

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^0,1

 

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,1

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,08

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,06

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,05

 

 

 

 

 

0,01

 

 

 

 

0,04

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,03

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о,ог

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,0!

 

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

 

Длина

закристаллизовавшегося

слитка L (в

длинах

 

 

 

 

 

зоны

I)

 

 

 

 

Ф и г . 2.7. Распределение примеси в твердой фазе при неконсервативной кристаллизации по методу зонной плавки по длине перекристаллизованного образца L , выраженной в длинах зоны / для различных значений Эфф [15].

с такой скоростью, чтобы сохранять постоянными величину и положение наплыва.

Дифференциальное уравнение, которое описывает распреде­ ление примеси, возникающее при неконсервативном росте из жидкой фазы, записывается в виде

d In Xi . Xsm — Xsf dNsm

, n n


2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

79

где Xsm— мольная доля примеси в расплавленном твердом веще­ стве на плавящейся границе раздела между жидкой и твердой фазами, XSf — мольная доля примеси в кристаллизующейся твер­ дой фазе на фронте кристаллизации, Ыг — общее число молей компонентов в жидкой фазе, Nsm — общее число молей компо­ нентов в плавящейся твердой фазе [11].

В особом случае

зонной

плавки, когда выращенный

кри­

сталл и плавящийся

слиток

имеют одинаковый диаметр,

кон­

центрация примеси Cs в любой точке слитка 'после зонного ра­ финирования выражается в виде [15]

Cs = С0 ( s ) [1 - (1 - k0) е-Ь «•%

(2.27)

где Co(S) — исходная концентрация в стержне; L — расстояние, пройденное зоной, / — ее длина. В уравнении (2.27) предпола­ гается, что жидкость и твердая фаза имеют одинаковую плот­ ность1 ). На фиг. 2.7 [15] показано распределение примеси, кото­ рое следует из соотношения (2.27) для разных значений &Эфф и которое справедливо при условии &Э фф~&о2 )- На фиг. 2.8 [15] иллюстрируется влияние последовательных проходов на распре­ деление примеси при зонной очистке при условии £Эфф = 0,5 « k0. Распределение примеси после одного прохода будет таким же, как при всяком другом неконсервативном процессе, в ходе кото­ рого остаются постоянными объем расплава, поперечное сечение растущего кристалла и концентрация примеси в материале, ко­ торый переходит в расплавленную зону. Этим критериям обычно удовлетворяют методы, показанные на фиг. 2.6. Распределение примесей после последовательных проходов зоны (для £Эфф = 0,5 оно показано на фиг. 2.8) должно удовлетворять уравнению (2.27) и в том случае, когда объем расплава и поперечное сече­ ние кристалла остаются постоянными, а фигурирующая в этом уравнении концентрация примеси в твердой фазе определяется предшествующей перекристаллизацией. Эти критерии выпол­ няются при всех методах, показанных на фиг. 2.6, кроме метода Вернейля. В последнем случае требуется порошковая шихта, а при измельчении выращенного кристалла имеющееся распреде­ ление примеси нарушается. На практике при методе Вернейля требуется столь тонко размельченная шихта, что пригодными оказываются лишь очень легкие порошки, полученные обжигом.

Из сравнения фиг. 2.5 с фиг. 2.7 легко видеть, что консерва­ тивные процессы по распределению примеси сильно отличаются

*) Пфанн [15] рассматривает условия применимости уравнения (2.27) в случае неравенства плотностей твердой и жидкой фаз.

2 ) Это равноценно предположению о том, что скорость роста обеспечи­ вает полное смешивание в жидкой фазе, а диффузия в твердом состоянии пренебрежимо мала [15].