Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 148

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

86

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

раствора. Отношение с и 0 т/5равн часто называют относительным пересыщением или степенью пересыщения. Таким образом, из данных о зависимостях растворимости можно узнать термоди­ намические функции, а по этим функциям вывести зависимости растворимости. Термодинамике растворов посвящен ряд стан­ дартных пособий, например [21, 22], и здесь она больше не рассматривается. Вопросы, связанные с использованием различ­ ных растворителей при выращивании кристаллов из растворов, анализируются в гл. 7, посвященной подробному рассмотрению способов выращивания кристаллов конкретных веществ.

При кристаллизации с использованием равновесия между жидкостью и твердой фазой процесс роста может быть как кон­ сервативным, так и неконсервативным. К выращиванию из раствора можно приспособить большую часть консервативных способов, показанных на фиг. 2.4. Однако в процессе роста из ра­ створа часто приходится понижать температуру, чтобы поддер­ живать пересыщение1 ), потому что основная задача при выра­ щивании из раствора сводится к помещению отдельных участков системы в зону, где раствор будет пересыщенным, и потому что температура насыщения в процессе кристаллизации меняется с изменением концентрации растворенного вещества. Поскольку из раствора кристаллизуется чистое растворенное вещество, со­ став раствора и температура изменяются, что нередко делает уравнения, выведенные для распределения примеси при консер­ вативном выращивании, неприменимыми. Если нет неограничен­ ной растворимости в твердой фазе растворенного вещества в растворителе (диаграмма фиг. 2.3, а), то раствор рано или поздно достигнет той области составов, где образуются эвтектика или какие-то другие фазы и где нельзя выкристаллизовывать только одно растворенное вещество. Однако выращивать небольшие кристаллы из большой массы раствора можно по методикам,

показанным

на фиг.

2.4 (с заменой

на этом графике слова

«жидкость»

словом

«раствор»),

медленно

понижая

темпера­

туру фронта

кристаллизации.

При

этом

уравнения,

описы­

вающие распределение примеси при консервативном процессе выращивания, часто могут служить хорошими приближениями. Нельзя забывать, что диффузия, связанная с ростом из поли­ компонентой системы, создает дополнительные трудности (гл. 3) и обычно заставляет вести процесс с пониженными скоростями роста. Конечно, расчеты распределения примеси более просты, если рост происходит на единственной границе раздела между твердой и жидкой фазами, т. е. если процесс в многокомпонент-

1 ) Подобного затруднения можно избежать при изотермических методах выращивания из раствора, которые будут рассматриваться дальше в настоя­ щей главе и в гл. 7.


S. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

87

ной системе можно уподобить нормальной кристаллизации. Вероятно, консервативное выращивание из раствора удобнее всего вести по схеме, показанной на фиг. 2.11, а, которая почти одинакова со схемой фиг. 2.4, в. В данном случае пересыщение достигается медленным охлаждением раствора. Для предотвра­ щения спонтанного зародышеобразования полезно (но не обяза­ тельно) затравку поддерживать при более низкой температуре, чем раствор. Распределение примеси можно рассчитать непо­ средственно методами, выведенными для консервативного роста, но с учетом того, что температура кристаллизации меняется по мере осаждения растворенного вещества на кристалле. Измене­ ние температуры кристаллизации приводит к изменению кон­ станты ko и, следовательно, делает невозможным прямое рас­ пространение уравнений и графиков, описывающих однокомпонентный консервативный рост, на консервативное выращивание из многокомпонентной системы. Однако часто либо константа &а слабо зависит от температуры, либо интервал охлаждения не­ значителен. В таких случаях можно пользоваться с некоторыми поправками или даже без них выражениями для распределения примеси в однокомпонентных системах.

Если кристаллы выращивают из многокомпонентной

системы

посредством того или иного неконсервативного процесса

вида

твердая

фаза — жидкость, то

можно

непосредственно

пользо­

ваться

методиками,

приведенными на фиг. 2.6, с заменой

полей

жидкой

фазы

полями

раствора. В любом случае

растворенное

вещество переходит из источника в раствор при более

высокой

температуре,

чем

температура

кристаллизации

на

затравке.

Точка, где происходит

растворение,

обозначена на фиг. 2.6 циф­

рой /, а область роста — цифрой

2.

Если при зонной

плавке в

многокомпонентной

системе

создать

температурный

градиент,

постоянный по всему

слитку,

как это показано на фиг. 2.11,6,

то зона сможет перемещаться самопроизвольно. Этот метод

называют методом зонной плавки с градиентом температуры [22]

(этот способ рассматривается дальше в разд. 5.5). ?1а фиг. 2.11,6 и г показаны два других распространенных способа кон­ сервативного выращивания кристаллов из раствора. На фиг. 2.11,0 источник растворяемого вещества (иногда называемый шихтой) отделен значительным расстоянием от затравки, кото­ рая находится при более низкой температуре. На фиг. 2.11, г насыщение достигается путем испарения. Часто неконсерватив­ ный процесс выращивания из раствора ведется при постоянной температуре, и тогда все уравнения и графики, определяющие неконсервативный рост из однокомпонентной системы, непосред­ ственно применимы ко всем рассматриваемым здесь методам выращивания из раствора, кроме выращивания посредством ис­ парения. В последнем случае из-за потери растворителя меняется


88

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

концентрация раствора, что необходимо учитывать при расчете распределения примеси внесением поправки на этот эффект.

Рост может происходить как из жидкого, так и из твердого или газообразного растворов. Выделение в твердой фазе, или экстрация, часто наблюдается в сплавах и легко распознается по структуре сплавов. Обычно такие процессы протекают медленно из-за диффузии в твердом состоянии. При условии достижения равновесия за приемлемое время все рассуждения в этом случае остаются такими же, как и для жидкой среды.

Охлаждение

в

т

 

г

т

Неконсервативный

 

Неконсервативный

 

У//У\ Твердая фаза

I

I Жидкая

фаза

Ф и г . 2.11. Некоторые консервативные и неконсервативные процессы выра­ щивания кристаллов из раствора.

Многокомпонентный рост из газовой фазы обычно представ­ ляют как рост посредством химического взаимодействия. Однако четко выраженной границы между выращиванием из раствора при сильном взаимодействии растворителя с растворенным ве­ ществом и выращиванием посредством химического взаимодей­ ствия нет. Часто для повышения растворимости тугоплавкого вещества в раствор добавляют компоненты, которые реагируют с ним или образуют комплексы. Такие агенты обычно называют минерализаторами. Минерализатор повышает растворимость благодаря образованию новых ассоциатов растворенного веще­ ства, отличающихся от существующих в чистом растворителе. Обычно такой рост считают ростом из раствора, но, если взаи­ модействие между растворенным веществом и минерализатором достаточно сильное, такой процесс можно считать ростом по­ средством химического взаимодействия. Роль чистого раствори-

. !

2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

89

теля можно считать фактически сводящейся к роли комплексообразователя по отношению к растворенному веществу, обеспе­ чивающего образование сольватов, переводящих данное веще­ ство в раствор. Рост из многокомпонентной системы в газовой фазе принято считать ростом посредством химического взаимо­ действия, тогда как рост из жидкой фазы даже при наличии ми­ нерализатора принято трактовать как выращивание из раствора, если только рост не обусловлен явно необратимыми химическими реакциями.

2.11. РОСТ ПОСРЕДСТВОМ ХИМИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ

Возьмем химическую реакцию в газовой фазе общего вида

аА + ЬВ . . . ч=* gG + hH

(2.38)

где G — твердый кристаллический продукт, монокристаллы кото­ рого намечается вырастить, а другие продукты реакции и реа­ генты представляют собой газы. Константа равновесия такой реакции запишется в виде

 

 

[G]g

\H\h

 

 

 

 

V

1 ] равн

Лравн

/ 0

g Q ,

 

K

а

\B\°

'

(

}

 

 

I JpaBH

L JpaBH

• • •

 

 

где символ [

]Р авн означает равновесную

активность. Поскольку

активность твердого соединения

G можно

считать равной

еди­

нице и поскольку активности газовых фаз можно приравнять давлениям, постольку

* ^'равн ' В'равн

где взяты равновесные давления реагентов и продуктов реакции. Обычно целесообразно брать достаточно высокие концентрации летучих ассоциатов, чтобы обеспечить быстрый перенос веще­ ства к растущему затравочному кристаллу. Для этого требуется малое значение К. Но часто удобнее испарять вещество G в одной части системы и кристаллизовать в другой. При выращи­ вании этим способом равновесие обычно смещают разностью температур или концентраций реагентов. В целях содействия испарению вещества G прибегают к повышению равновесных концентраций А и В, для чего требуются малые значения К- В случае легкой обратимости реакции константа К должна быть близкой к единице. Но поскольку

 

AG°=-

RT\nK,

(2.41)

где AG0—стандартная

свободная

энергия образования

про­

дуктов реакции в их

стандартном

состоянии из реагентов в



90

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

стандартном состоянии, полезная реакция должна обычно ха­ рактеризоваться малыми значениями AG0 . Поскольку такие зна­ чения по большей части протабулированы и поскольку активно­ сти можно неплохо аппроксимировать давлениями, при выра­ щивании из газовой фазы посредством химической реакции часто можно заранее выбрать систему на основе термодинамических соображений1 ).

При росте посредством химического взаимодействия соблю­ дается уравнение (2.36), где Q определяется выражением

ист

в котором символ [ ]ист означает истинную активность. Хорошим приближением к уравнению (2.42) служит соотношение

*=(ЛИЬ* '

(2-4з)

\РА)ЖТ

^В^ист

 

где вместо активностей взяты

истинные давления. При росте

кристаллов посредством химической реакции уравнение (2.37) преобразуется к виду

AG = - Я Г In (-£-),

(2.44)

где AG — движущая сила реакции, а отношение K/Q есть

аналог

относительного пересыщения

или его степени. Температурная

зависимость Л" определяется

уравнением (2.32). При

А Я > 0

(эндотермические реакции) можно добиться, чтобы испарение происходило в горячей области системы, а кристаллизация в более холодной. Если Д Я < 0 , то реакция будет смещаться из холодной зоны в горячую. Изменение АЯ определяет темпера­ турную зависимость К и требующийся для выращивания темпе­ ратурный перепад между зонами испарения и кристаллизации. При больших перепадах температуры можно достичь заметных скоростей роста при малых значениях |АЯ| , но в случае слиш­ ком больших значений |АЯ| требуются столь малые перепады температуры для подавления избыточного зародышеобразования, что контроль за температурой трудно осуществить. Если константа К довольно велика, то реакция, приводящая к росту

кристалла, практически необратима, так что процессы

переноса

мало что дают, но выращивание посредством реакции

в паровой

фазе, как это показано в гл. 6, довольно часто используется на практике.

') По вопросу стехиометрии, областей ее существования и ее роли в процессах роста кристаллов см. [24].