Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 140

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

63

идет о таком равновесии:

вещество в растворе в жидком состоянии (щ) 4=^

4=* вещество в растворе в твердом состоянии (as). (2.18)

Разбавленные растворы достаточно близки к идеальным, что позволяет определить kQ в виде

k0=^2S«±,

(2.19)

W (равн)

 

где С8 ( Р авн) и QpaBH) равновесные концентрации,

т. е. концен­

трации на границе раздела твердая фаза/жидкость1 ). Коэффи­ циент распределения k0 можно определить также через соответ­

ствующие мольные доли ^ s ( p a B H ) и Х1№&ъву Чтобы величина kQ при­ няла равновесное значение, необходимо, чтобы не было ни роста

кристалла, ни его растворения. Обычно при малых скоростях ро­

ста k0

Э фф, где &Эфф эффективный коэффициент

распределе­

ния, выражаемый в виде

 

 

 

 

 

кэфФ

= ^

^ .

 

(2.20)

 

 

W (ист)

 

 

Здесь

CS(HCT) и С((И С т) суть истинные концентрации

в двух фазах.

С;( и ст)

есть концентрация в объеме жидкой фазы

на достаточ­

ном удалении от растущей

поверхности кристалла, где можно

')

Здесь предполагается, что

при

низких скоростях, когда

концентрация

в объеме жидкой фазы равна концентрации у растущей грани, состояние системы лучше всего описывается посредством равновесной константы рас­ пределения k0. Этой константой можно пользоваться и при более высоких скоростях, когда концентрация в объеме жидкой фазы уже не равна кон­ центрации на границе раздела фаз, если только в определении (2.19) кон­ центрацию С^равп) заменить истинной концентрацией в жидкой фазе у фрон­ та кристаллизации, обозначаемой через С/(и с т к ) .

Трудность заключается в том, что данных о С ; ( и с т . ф ] к ^почти никогда не имеется. К тому же адсорбция и хемосорбция примесей на растущей поверх­ ности кристалла создают дополнительные трудности. Например, считают, что несколько неодинаковый «захват» примесей различными гранями даже при низких скоростях обусловлен разной концентрацией адсорбированных при­ месей на этих гранях. Холл [6] предположил, что кристалл растет в резуль­ тате быстрого распространения моноатомных слоев, захватывающих атомы адсорбированной примеси, которым неизбежно приходится диффундировать обратно к новой поверхности раздела. Согласно этой точке зрения, для до­ стижения истинного равновесия требуются столь низкие скорости, чтобы диффузия в твердой фазе успевала выравнивать в ней концентрационные градиенты. Чернов [7] провел более строгий анализ движения ступени и за­ хвата примеси, рассмотрев диффузию захваченной примеси через новый слой как в жидкость, так и в твердую фазу. Каррузерс [8], учтя синусоидальные колебания скорости роста и явления адсорбции, предложил модель, объяс­ няющую полосчатое распределение фосфора в кристаллах кремния, выращен­ ных по методу Чохральского.


64 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

пренебречь концентрационными градиентами. Коэффициент &Э фф зависит от скорости роста, коэффициента диффузии данного мате­

риала в расплаве и ширины диффузионного слоя. Если

k0 > 1,

то С8(Равн) > Сг(равн), так что концентрация примеси или

актива­

тора близко к растущему кристаллу бывает меньше. Таким об­ разом, общая масса расплава или раствора будет богаче при­ месью или активатором, чем примыкающая к растущему кри­

сталлу область.

В этих условиях

примесь

или активатор станет

диффундировать

к кристаллу. И

наоборот,

если k0<Cl,

примесь

или активатор будет диффундировать от растущего кристалла. Для идеальных или почти идеальных растворов уравнение (2.19) будет справедливо даже тогда, когда в растворе существуют кон­ центрационные градиенты; в этом случае С;( р а в Н ) в уравнении (2.19) надо заменить концентрацией непосредственно перед фронтом роста. Поскольку концентрацию вблизи растущего кри­

сталла определить трудно, часто удобнее пользоваться

уравне­

нием (2.20). Надо подчеркнуть, что

£ Э ф ф * h,

когда

Сг(ист)—>•

—•Сгфавн) (потому что в большинстве

случаев

C S

( I I C T ) ~

Сз(равн)),

т. е. когда концентрация в объеме жидкости равна

концентрации

в жидкости у поверхности раздела. Толщина

 

диффузионного

слоя зависит от вязкости расплава и

скорости

перемешивания;

следовательно, и /гЭфф будет зависеть от скорости перемешивания (речь об этом еще пойдет в гл. 3). Скорость кристаллизации за­ висит еще и от кристаллографического направления, если по­

верхностная свободная энергия зависит от

ориентации

(см.

разд. 3.3). Когда скорость роста ограничивается

диффузией

(подробнее об этом говорится в разд. 3.3),

концентрационный

профиль поперек диффузионного слоя и толщина

последнего

различны для граней, растущих с неодинаковыми

скоростями.

Таким образом, концентрации С( И С Т-Ф. К) ДЛЯ граней

разной

ори­

ентации неодинаковы, а коэффициент &ЭФФ зависит от кристалло­ графической ориентации1 ). Систему можно считать достаточно близкой к равновесной, а коэффициент 6Э фф равным kQ, если из­ меренное значение k не зависит от интенсивности перемешива­ ния, кристаллографического направления и скорости роста. Уди­ вительно, что именно такая картина наблюдается во многих си­ стемах даже при довольно больших скоростях кристаллического роста.

Величина k0 может сильно зависеть от концентрации других-" примесей в системе. Примесь или активатор может входить в ре­ шетку путем замещения или внедрения. В первом случае при­ месь по ионному или атомному радиусу должна быть близкой

*) Адсорбция тоже способна определенным образом повлиять на зави­ симость £8 фф от направления.


2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

66

к замещаемому элементу. Если примесный атом отличается по радиусу от атома решетки не более чем на ± 1 5 % , то замещение протекает довольно легко, а при условии равенства зарядов у за­

мещающего атома и атома решетки коэффициент k0

часто близок

к единице. Замещение затрудняется, если заряды

неодинаковы.

В работе Нассау и Лойяконо [9] по коэффициентам

распределе­

ния редкоземельных металлов в CaW04 обсуждаются эффекты, которые, по-видимому, можно считать типичными для ионных решеток. Если Са 2 + замещается двухвалентным положительным катионом, то общая электронейтральность сохраняется. Однако

при атомной концентрации N d 3 + в расплаве 1—2%

коэффициент

распределения Nd 3 + в CaW04 равен 0,28.

Соединение, образую­

щееся при введении Nd3 + , имеет формулу

Ca1+_9xl2Nd3x+Ox/2(W04)

где Ф вакансия Са. Образование вакансий Са

энергетически

невыгодно, вследствие чего коэффициент k0 для неодима мал,

хотя

радиус

N d 3 + (1,04-10~10 м) близок

к радиусу

С а 2 + (0,99

X

X Ю~'° м). Коэффициент распределения

значительно возрастает,

если

заряд

компенсируется

не путем образования

вакансии1 ),

а

посредством добавления однозарядного положительного иона.

Если в

расплав

ввести

одновременно

ионы

N d 3 + и

Na+ ,

то

образующийся

при

этом кристалл

отвечает

формуле

Ca(i_2a:)Nda;Nas:W04. В подобных случаях

при атомной

концентра­

ции

Ыа+

в расплаве 15%

коэффициент

k0

для

N d 3 +

равен

0,8.

Как показано на фиг. 2.2, коэффициент k0 для N d 3 + сильно зави­ сит от радиуса и концентрации компенсирующего катиона с ва­ лентностью + 1. Легко видеть, что максимальный эффект дости­ гается в случае наибольшей близости ионных радиусов компен­ сирующих ионов и Са2 + . Подобным образом коэффициент k0 для Na+ или любого другого одновалентного положительного иона за­ висит от размера, заряда и концентрации компенсируемого ка­ тиона, например Nd 3 + . В таких относительно сложных решетках, как CaW04 , компенсации заряда можно добиться различными путями. Например, при активации ионами N d 3 + можно добавлять ионы Nb5 + . В этом случае формулу образующегося при замеще­ нии кристалла можно записать в виде Ca(i_a:)NdxW(1_x)Nb:x04, по­

тому что происходит одновременное замещение ионов W 6 +

иона­

ми Nb 5 +

и ионов С а 2 + ионами Nd 3 + . Коэффициент распределения

для N d 3 +

опять будет зависеть от размера, заряда

и концентра­

ции пятивалентных катионов Nb5 + , компенсирующих

избыточный

заряд N d 3 + замещением ионов W 6 + . Точно так же

и для

Nb 5 +

') Все еще, разумеется, должна существовать конечная концентрация вакансий, которую можно вычислить рассмотренными в гл. 1 методами, но

даже при температуре плавления она

будет незначительной по сравнению с

Ф при умеренных концентрациях N d 3 +

в отсутствие однозарядных катионов.

2 З а * 718


вб

Р. Л О Д И З . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

коэффициент k0 будет зависеть от размера, заряда и концентрации ионов, компенсирующих заряд N d 3 + путем замещения ионов Са2 + .

Несколько иная ситуация складывается тогда, когда актива­ тор или примесь занимает в решетке междоузельные положения. Примером структуры, в которой некоторые ионы могут разме­

щаться в междоузлиях, служит а-кварц. В его структуре имеют­

ся

 

0,8

 

 

 

 

 

+

0,7

 

 

 

 

 

|

0,6

 

 

 

 

 

«

0,5

 

 

 

 

 

 

0,ч

 

 

 

 

 

 

0,3

 

 

 

 

 

 

02\

|

|

|

I

1

 

5

10

is

го

 

Атомная

концентрация ионов щелочного

 

металла

 

 

 

в расплаве,

%

 

 

Ф и г . 2.2. Коэффициент

равновесного распределения k0

ионов N d 3 + в CaW0 4

в зависимости от концентрации компенсирующих ионов щелочных металлов

при атомной концентрации N d 3 + в расплаве

1—2%

(цифрами у кривых

указана разница между ионными радиусами С а 2 +

и компенсирующих ионов) [9].

ся параллельные оси с спиральные

каналы

диаметром

около

10~10 м, образованные структурными

силикатными тетраэдрами.

Следовательно, ионы L i + , Na+ , M g 2 +

и С а 2 +

способны

сравни­

тельно легко вмещаться в междоузлия решетки. Однако и для всякого междоузельного атома необходима компенсация заряда.

Таким образом, если в решетку кварца

входит L i + , то формулу

можно представить в виде

Si( i_K /4 ) и*Ф ж / 4 02, где Ф вакансия

кремния.

Следовательно,

коэффициент

k0 для L i + (радиусом

0,68-10~10

м) мал. Он больше для Na+ , потому что ионный радиус

Na+ (0,94-10"10 м) ближе к размеру междоузельных «дыр» в ре*


2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

67

шетке, тогда как для К + коэффициент k0

меньше,

поскольку его

радиус (1,33-Ю- 1 0 м) плохо согласуется

с размером пустот.

В структуру кварца способен входить алюминий, где он заме­ щает Si 4 + (при определенных условиях ионы алюминия рас­ полагаются также в междоузлиях). Таким образом, если в растворе, из которого выращивают кварц, присутствуют, напри­ мер, одновременно ионы А13 + и L i + , то благодаря взаимной ком­ пенсации заряда коэффициенты k0 для них обоих станут больше. Вопросы о коэффициентах распределения примесей для кварца были рассмотрены Лодизом и др. [10].

В идеальной системе АВ при температурах близких к тем­ пературе плавления А, коэффициент &0(в), если концентрация активатора или примеси В мала, связан с температурами плав­ ления компонентов А и В соотношением

(2.21)

где АНВ— мольная теплота растворения В в А. Уравнение (2.21) можно вывести как частный случай уравнения Вант-Гоффа [ура­ внения (2.32)], если предположить независимость АН от темпе­ ратуры. Такое предположение справедливо для температур, близких к температуре плавления. В области применимости уравнения (2.21) логарифм коэффициента распределения линей­ но зависит от величины, обратной абсолютной температуре, так что АН можно вычислить по наклону кривой \gk0 в функции \/Т. С помощью некоторых приближений [11] уравнение (2.21) можно представить в следующей более простой форме:

 

RTl

 

(2.22)

AT =

(l-kQ) д # x t (равн)-

 

Здесь AT есть понижение температуры затвердевания чистого

вещества, а */(р а вн)равновесная мольная

доля растворенного

вещества в жидкой фазе. Уравнение (2.22) предполагает,

что k0

не зависит от концентрации

и температуры;

в противном

случае

можно воспользоваться значением k0, найденным экстраполяцией к бесконечному разбавлению.

Термонд [11] показал, что уравнения (2.21)

и (2.22), в

кото­

рых фигурирует коэффициент k0, справедливы

не только

в слу­

чае разбавленных идеальных жидких и твердых растворов, но также и в случае, когда раствор неидеален, коэффициент рас­ пределения мал, а энтальпия и избыток энтропии раствора не зависят от температуры.

Дополнительно коэффициент распределения в неравновесных условиях рассматривается в гл. 3 после обсуждения кинетики роста кристаллов.