Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 166

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

132

 

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

 

 

 

2)

2 <С AS с< 4:

рост фасеток, ограненных «псевдодендри-

тами», при достаточной концентрации примесей;

3)

AS

4: всегда

образуются фасетки;

4) AS

10: как правило, сферолитный рост.

Обнаруженная Джексоном корреляция представляется вполне естественной. Она сводится к тому, что, чем меньше AS, тем глаже поверхность роста. Большие значения AS отвечают высо­ кой степени беспорядка, т. е. шероховатости на поверхности ро­

ста с

конечной тенденцией

к образованию

дендритов, фасеток

и сферолитов. Сферолитный

рост (иными словами, радиальный

рост многих кристаллов из

одного центра) чаще всего встре­

чается

у полимеров, развитие фасеток — у

неорганических и

органических веществ (у последних с короткими цепочками). Подобную корреляцию целесообразнее было бы устанавливать не по равновесной энтропии AS, а по энтропии реального про­ цесса роста AS *, если бы таковая была известна.

4

РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ

4.1. МЕТОДЫ ТВЕРДОФАЗНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

В гл. 1—3 были изложены основные представления, которые заложили фундамент для анализа конкретных методов выра­ щивания кристаллов, что и составляет содержание остальной части книги. В последующих главах материал излагается со­ гласно предложенной нами классификации методов кристалли­ зации. В каждой главе приводятся общие сведения и теоретиче­ ские положения по конкретным методам выращивания, если они не были изложены раньше. Затем говорится о применении того или иного метода (а также о необходимом оборудовании, если оно не стандартное) для выращивания конкретных типич­ ных кристаллов с кратким упоминанием о других кристаллах, которые удалось вырастить такими методами.

Настоящая глава посвящена анализу твердофазных процес­ сов выращивания кристаллов, часто объединяемых' понятием рекристаллизации. В ней рассматриваются методы рекристал­ лизации как в одно-, так и в многокомпонентных системах,

поскольку независимо

от числа

компонентов

методика и основ­

ные

трудности,

встречающиеся

при выращивании

кристаллов

этим

путем, во

многом

сходны.

К тому же

методы

рекристал­

лизации в многокомпонентной системе получили столь ограни­ ченное применение, что выделять их в самостоятельную главу нецелесообразно.

Существуют пять основных твердофазных методов выращи­ вания кристаллов:

1) рекристаллизация посредством отжига деформации («де­ формационный отжиг»);

2)рекристаллизация при спекании;

3)рекристаллизация при полиморфных превращениях;

4)кристаллизация при расстекловывании;

5)рекристаллизация с выпадением преципитатов (growth by. exsolution).

Общие представления об этих методах были изложены в разд. 2.3.

Остановимся на главных преимуществах твердофазных ме­

тодов

выращивания кристаллов. Эти методы позволяют

вести

процессы выращивания при низких температурах без


134 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

дополнительных компонентов (о преимуществах низкотемпера­ турного роста говорится в разд. 2.1); форма растущего кристал­ ла устанавливается заранее, что позволяет легко выращивать проволоку, фольгу и т. д.; нередко без труда удается управлять ориентацией кристаллов. Нужную ориентацию кристаллу при­ дают, изгибая образец так, чтобы его монокристальная область была правильно ориентирована относительно осей образца. Не­ прерывное прорастание монокристальной области в остальную часть образца приводит к образованию монокристалла. Еще одно преимущество рассматриваемых методов (не относящееся к рекристаллизации с выпадением преципитатов) состоит в том, что в процессе выращивания распределение примесей и других дополнительных компонентов в растущем кристалле не ме­ няется и остается таким же, как и в исходном материале, если, разумеется, не учитывать относительно медленных процессов диффузии в твердом состоянии. Главный же их недостаток за­ ключается в высокой плотности потенциальных центров твердо­ фазной кристаллизации, трудностях управления зародышеобразованием и, следовательно, выращивания крупных монокри­ сталлов.

4.2.Р Е К Р И С Т А Л Л И З А Ц И Я В ПРОЦЕССЕ

ДЕ Ф О Р М А Ц И О Н Н О Г О ОТЖИГА

Общие сведения

Если на твердое тело действует какая-либо сила, то оно де­ формируется, т. е. его отдельные участки смещаются относи­ тельно соседних. Из-за межатомного притяжения возникают

противодействующие усилия,

которые

препятствуют

деформа­

ции

и стремятся восстановить

первоначальную форму образца.

Такие усилия в деформированном теле

называют

напряжением.

Пространственное изменение

твердого

тела (изменение

формы

или внутреннего строения) под действием приложенных

извне

сил

называют деформацией.

Удлинение (под действием

силы

растяжения) или сокращение (под действием силы сжатия) называют продольной деформацией. Деформацию иногда харак­ теризуют относительным изменением размера образца. Усилию,

отнесенному к единичной

площади, соответствует

относительное

удлинение

(выражаемое в процентах).

 

 

 

При всестороннем сжатии меняется объем тела; относитель­

ное изменение первоначального объема называют объемной

де­

формацией.

Если к телу

приложено

скалывающее

усилие,

то

расстояние,

на которое

сдвинулись

друг относительно друга

слои, отстоящие друг от друга на единичное расстояние, назы­ вают деформацией сдвига. На фиг, 4,1 показано действие ска-


4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ

135

лывающего (сдвигового)

усилия, приложенного к телу. Закон

Гука

гласит, что

напряжение пропорционально деформации,

пока

не превзойден

предел

упругости,

т. е. пока усилия не слиш­

ком велики, так что после

их снятия

тело восстанавливает

свою

первоначальную форму.

 

 

 

Коэффициент пропорциональности между напряжением и де­ формацией для продольной деформации называется модулем

Юнга Y;

следовательно,

 

 

У - Ч £ .

(4-0

где F— сила, создающая деформацию

( — F есть противодей­

ствующая

сила), А — площадь, е — удлинение, / — длина образ­

ца. Для большинства технических материалов модуль Юнга из­ вестен. При очень точных вычислениях нужно учитывать зави­ симость Y от структуры, степени совершенства, состояния по­ верхности, чистоты, температуры, направления (в монокристал­ лах) и т. д., но при обычных вычислениях можно пользоваться справочными данными [13].

Если построить зависимость F f(e) для какого-нибудь ма­ териала, то, как показано на фиг. 4.2, закон Гука выполняется лишь на участке до точки а. При больших усилиях материал после снятия напряжения не восстанавливает свою первона­

чальную форму, т. е. пластически

деформируется.

С переходом

за точку b

{предел

текучести)

образец

начинает

значительно

удлиняться

и для сохранения деформации

на постоянном уровне

растягивающее усилие приходится снижать. После растяжения

образца до определенной степени в точке с

(точки a, b и с

обычно располагаются друг к другу ближе,

чем показано на

фиг. 4.2) материал способен выдерживать

возрастающую


136

Р. ЛОДИЗ.

РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

нагрузку

вплоть до точки

d, после чего он разрушается в ючке

е. Деформация при росте

кристаллов в процессе деформацион­

ного отжига обычно ограничена участком ab, который должен иметь достаточную протяженность, но все же сравнительно да­ леко отстоять от точки е, чтобы допускать экспериментальное осуществление такого отжига. Для создания нужной движущей силы рекристаллизации напряжение на участке аЪ (функция Y) тоже должно быть достаточно большим. Приближенные значе­ ния модуля Юнга, предела упругости и предела прочности при комнатной температуре для наиболее распространенных мате­ риалов можно узнать из справочников. Когда полных данных нет, приближенной мерой предела упругости может служить прочность материала при растяжении. Для неметаллических ма­ териалов (за исключением хлористого серебра и хлористого тал­ лия) предел прочности обычно настолько близок к пределу упругости, что длительно деформировать их кристаллы практи­ чески невозможно.

Деформационным отжигом чаще всего пользуются для выра­ щивания кристаллов металлов. Исходным материалом обычно служит затвердевшая в изложнице заготовка. Такая отливка представляет собой поликристаллическую массу. Зародыши об­ разуются либо хаотично у стенок изложницы, либо в какой-то определенной области расплава в зависимости от температур­ ного градиента при охлаждении. Поэтому зерна могут иметь либо произвольную, либо преимущественную ориентацию. Если слиток предназначается для изготовления прутка, тонкого или толстого листа, проволоки и т. д., то следующей операцией должно быть деформирование металла. Когда материал меха­ нически деформируют, возникает пластическая деформация, ме­ няется форма зерен, возникают дислокации и иногда двойники, наблюдаются сдвиги. Очень часто существенно меняются проч­ ность и твердость, особенно если материал обрабатывают при температуре гораздо ниже температуры рекристаллизации. Та­

ким образом, холодная обработка

приводит к

деформационному

упрочнению

(нагартовыванию)

материала.

Среди способов об­

работки металлов обычны прокатка, волочение, ковка и экструдирование. На фиг. 4.3 показана структура исследуемого образ­ ца после его вытягивания в проволоку.

Многие исследования по рекристаллизации и укрупнению зерна были проведены на алюминии. Низкой температуре плав­ ления алюминия (660° С) соответствует и низкая температура его рекристаллизации, что облегчает проведение экспериментов. Зерна на поверхности металлов обычно выявляют травлением. Зернистую структуру алюминия выявляют травлением в плави­ ковой кислоте. Как видно из фиг. 4.3, зерна в проволоке после волочения ориентированы таким образом, что их длинные оси


138

Р. ЛОДИЗ . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

монокристалл подвергают обработке. При этом отдельные кри­ сталлиты имеют очень близкую кристаллографическую ориенти­ ровку, поскольку она определяется ориентацией исходного мо­ нокристалла. Если кристалл обрабатывается таким образом, что нагрузка прикладывается фактически в одном или немногих направлениях, то получаются поликристаллы с высокой сте­ пенью ориентации зерен. В таких случаях говорят о четкой тек­

стуре.

Образец, подвергнутый пластической деформации, стано­ вится сильно напряженным, благодаря чему в нем образуется

большой запас

«упругой

энергии».

Из

уравнения (2.9)

видно,

что изменение

свободной

энергии

при

деформировании

кри­

сталла приблизительно равно совершенной работе за вычетом энергии, выделившейся в виде теплоты. Эта свободная энергия обычно служит главным источником движущей силы рекристал­ лизации при деформационном отжиге.

Большая доля упругой энергии сосредоточивается в скопле­ ниях дислокаций у границ зерен. Свободная поверхностная энер­ гия границ зерен тоже вносит свой вклад в общую свободную энергию. Подобно тому как для малых частиц характерна вы­ сокая растворимость и высокое давление паров, малым кри­ сталлитам присуща большая поверхностная энергия. Однако та­ кой вклад в движущую силу рекристаллизации играет важную роль только в случае очень маленьких кристаллитов. К тому же энергия границ зерен зависит от их взаимной ориентации. Кристаллиты с малой энергией границ, обусловленной их благо­ приятной ориентацией, проявляют тенденцию к разрастанию за счет неблагоприятно ориентированных соседних кристаллитов. Поэтому движущая сила рекристаллизации AG при деформа­ ционном отжиге выражается в виде

AG = w - q + Gs + AG0,

(4.2)

где w — работа, затраченная либо на умышленное деформиро­ вание, либо на обработку материала при его изготовлении (боль­ шая доля w приходится на границы зерен), q— выделившаяся теплота, Gs — свободная поверхностная энергия, AG0 — раз­ ность между свободными энергиями зерен данного образца с существующим набором ориентации и зерен какой-то иной ори­ ентации. При сокращении площади зерен в материале умень­ шается запас его свободной энергии. Деформированный обра­ зец термодинамически неустойчив в отличие от недеформированного. При комнатной температуре скорость снятия деформаций Обычно очень мала. С повышением температуры возрастает под­ вижность атомов и амплитуда колебаний атомов около узлов решетки, что заметно ускоряет снятие деформаций. Цель отжига и состоит в таком ускорении, Таким образом, в процессе отжига