ры типа п-р-п и р-п-р. Для получения транзисторов типа р-п-р ис пользуют обычные методы диффузии с защитной окисной пленкой.
Третий вариант изоляции элементов интегральных схем состоит в заполнении промежутков между ними, полученных селективным травлением, изоляционным материалом. В качестве диэлектрика используют керамические композиции (рис. 13.6). При этом на стеклянную пластинку (подложку) прикрепляют активные элемен ты. Путем избирательного травления уменьшают толщину слоя п-типа, затем создают изолированные участки с элементами. Про межутки между элементами заполняют керамической массой. После этого стеклянную пластинку удаляют.
Существует еще метод изолирования кремниевых элементов (приборов), расположенных на сапфировой подложке. На поверх ности сапфировой пластинки выращивают эпитаксиальную пленку кремния, которую подвергают избирательному травлению для соз дания изолированных участков. Основное преимущество этого ме тода состоит в возможности создания интегральных схем СВЧ, так как сапфир может быть использован в качестве отличного диэлект рика в полосковых линиях, соединяющих приборы.
Изоляция путем создания мезаструктур (рис. 13.7). Сначала обычным путем формируют активные и пассивные элементы и меж
соединения. Затем пластины с этими |
элементами |
прикрепляют |
к керамической подложке с помощью |
слоя стекла. |
Лишний слой |
«-типа удаляют и изолируют элементы путем избирательного трав ления. Активные элементы можно создать с помощью обычных методов. Процесс изолирования не вызывает неровностей на по верхности пластины, при изолировании удается избежать высоко температурных операций, можно не делать дополнительной гер метизации. Данный метод отличается некоторой сложностью, для
Удаления лишнего |
кремния n-типа иногда |
требуются шлифовка |
и травление. |
воздушной прослойки в |
качестве диэлектрика |
Использование |
(рис. 13.8). Если в технологии, основанной на формировании меза структур, опустить операцию заполнения диэлектриком, то эле менты будут изолированы друг от друга воздухом. Для этого в поликристаллической структуре создают области n-типа и наносят эпитаксиальную пленку п-типа. Затем формируют активные и пас сивные структуры и наносят слой молибдена и золота. Путем ло кального травления золотого слоя создают омические контакты и межсоединения. Затем осуществляют травление молибдена и из бирательное травление кремния. Травление идет вплоть до окисного слоя. В результате получают участки кремния с элементами, изолированные друг от друга воздухом. Подложка обеспечивает хорошее рассеяние тепла, однако нанесение металла и травление отличаются сложностью.
Изоляция приборов с балочными выводами (рис. 13.9). Снача-
Ла в пластине формируют активные элементы, затем создают слой защитного окисла, получают контакты из силицида платины, на пыляют слой титана и золота, путем электроосаждения золота
