Файл: Якубовский, Ю. В. Электроразведка учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 153

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

резка AB, причем разнос AB больше разноса А 'В' (рис. 94, а). Таким образом, установка AA'MNB'B совмещает две четырехточеч­ ные установки AMNB и A'MNB', имеющие одинаковый разнос прием­

ных заземлений.

Наличие второй пары заземлений позволяет проводить на каждой

точке два

замера

рк

установкой

различных размеров и

получать

одновременно два

графика рк

 

 

 

вдоль

профиля.

 

Поскольку

 

 

 

с изменением

разносов пита­

 

 

 

ющих заземлений меняется глу­

 

 

 

бина проникновения тока в зем­

 

 

 

лю, два замера рк в одной точке,

 

 

 

как и два графика рк вдоль

 

 

 

профиля, характеризуют геоло­

 

 

 

гический

разрез

в

пределах

 

 

 

разных

 

глубин.

 

Установка

в

 

с двойными разносами дает воз­

 

можность

более достоверно и

Рис. 94. Различные

установки

для электро­

однозначно по сравнению с уста­

профилирования.

разносами;

новкой

AMNB

интерпретиро­

а — симметричная с

двойными

б — односторонняя

дипольно-осевая; в

вать результаты

электропрофи­

двухсторонняя

дипольно-осевая

лирования.

 

изображены два

разреза: на одном — синклиналь,

На

рис. 95

сложенная хорошо проводящими породами, на другом — антикли­ наль с низкоомными породами в ядре. Над разрезами помещены графики электропрофилирования установкой AMNB. В обоих слу­ чаях графики носят качественно одинаковый характер — над син­ клиналью и антиклиналью кривые рк имеют минимум. Вследствие

Рио# 95. Графики электропрофилирования установкой AMNB над синклиналью и антиклиналью.

этого при решении обратной задачи мы встретимся с неоднознач­ ностью решения, т. е. не сумеем ответить на вопрос, какой геологи­ ческой структуре отвечают полученные графики.

Если над теми же разрезами провести профилирование установкой с двойными разносами, то над синклиналью при данном соотношении сопротивлений график рк для малого разноса расположится ниже1

11 Заказ 512

іб і


графика рк для большого разноса; над антиклиналью соотношение кажущихся сопротивлений для обоих разносов будет обрат­ ным (рис. 96). Отсюда следует, что применение установки с двойными

Рис. 9(1. Графики электропрофилнровашія установкой AA'MNB'B над синклиналью и антиклиналью.

разносами в данном случае позволяет исключить неоднозначность решения обратной задачи.

Рассмотрим случай, когда в результате фациального изменения

пород на исследуемой

площади

искажаются и трудно истолковы­

 

 

 

ваются

результаты профилирования

 

 

 

установкой AMNB. Пусть в геологи­

 

 

 

ческом

строении

исследуемой

пло­

 

 

 

щади участвуют две

горизонтально

 

 

 

залегающие толщи: верхняя,

пред­

 

 

 

ставленная песчано-глинистыми об­

 

 

 

разованиями,

и нижняя, сложенная

 

 

 

известняками.

Вследствие

фациаль­

 

 

 

ной изменчивости

разреза

содержа­

 

 

 

ние песчаной фракции в верхней

 

 

 

толще

возрастает

в

направлении,

 

 

 

указанном на рис. 97 стрелками.

 

 

 

Поскольку

возрастание содержания

 

 

 

песчаной фракции в породах обычно

Рис. 97. Графики рк

для установки

ведет к увеличению их удельного

сопротивления, на

графике рк, по­

AA'MNB'B над фациально меняющейся

толщей.

 

 

лученном

установкой AMNB, наблю­

1 — песчано-глинистая

толща;

2

дался

бы

максимум

над

участком

известняки.

 

с

повышенным содержанием

песка

 

 

 

в

верхней

толще. Не

зная

указан­

ной особенности разреза, этот максимум можно было бы объяс­ нить наличием антиклинального поднятия в высокоомных изве­ стняках. Применение установки AA'MNB'B позволяет в данном случае избежать этой ошибки.

На рис. 97 изображены графики рк для двойной установки. При малых разносах рост сопротивления верхнего горизонта вызывает резкое увеличение рк; при больших разносах он существенно не

162


сказывается на значениях рк. Следовательно, проявление анома­ лии рк только на малом разносе указывает на связь ее с особенно­ стями строения верхней части разреза, а не с антиклинальным поднятием в глубоких горизонтах.

Область применения установки с двойными разносами распро­ странена в общем на те же объекты, которые перечислялись выше для установки AMNB; однако ограничивающие условия, касающиеся относительной простоты структур, постоянства сопротивлений пере­ крывающих отложений, в данном случае менее существенны.

Монтаж установки. Монтажная схема установки с двойными раз­ носами изображена на рис. 98. Для уменьшения количества проводов

Рис. 98. Монтажная схема установки AA'MNB'B с ЭСК.

иупрощения работы на профиле питающая линия AB по обе стороны от центра на расстояниях, равных разносам ОА' и OB', разрезана

иснабжена вилками для подключения заземлений А' и В'. Пере­ ключение питающей линии на большой или малый разносы произ­ водят рабочие, обслуживающие заземления А ' и В'. При выборе величины разноса питающих заземлений прежде всего следует опре­ делить задачи, которые должны быть решены при помощи каждого из разносов установки (например, график рк на большом разносе должен отразить погребенный рельеф коренных пород, а график рк на малом разносе — особенности литологии покровных отложений). Для удобства перехода с точки на точку размеры установки выгодно подбирать такими, чтобы расстояния между заземлениями А и В, А' и В', М и N были кратны шагу установки. Разнос питающих заземлений А'В' обычно выбирает наименьшим, т. е. равным утроенной величине разноса приемных заземлений.

Полевые работы. Последовательность проведения полевых опера­

ций при профилировании установкой с двойными разносами отли­ чается от порядка работы с установкой AMNB только тем, что после окончания замеров на большом разносе производят переключение питающей линии на малый разнос для определения рк на этом раз­ носе. Каждый раз, переключив заземления, рабочие сигнализируют о готовности линии к измерениям.

Ь *

16.3


Результаты наблюдений с установкой AA'MNB'B записывают в полевой журнал, форма которого приведена ниже.

Журнал для записи наблюдений методом профилирования

с установкой AA'MNB'B

Участок . . . Профиль . . . Азимут . . . Дата................

AB . . . А'В' . . . MN . . . Шаг . . Начало наблюдений.....

К.... К ' .... Батареи........ Конец наблюдений........

Погода...............

 

 

 

AB

 

 

 

А ' В '

 

Примеча­

JSft точки

 

 

 

 

 

 

 

 

(пикета)

AU,

I, сА

Рк,

^к,ср’

А U,

I, сА

Рк,

Рк,ср*

ние

 

мВ

Ом-м

Ом • м

мВ

Ом • м

Ом • м

 

Оператор .....

Вычислителъ.......

Проверил

В графу «Примечание» записывают те же сведения, что и в ана­ логичную графу журнала при профилировании установкой AMNB.

По подсчитанным значениям рк строят графики рк, карты изоом и реже карты графиков рк. Способы построения их изложены выше.

§4. ПРОФИЛИРОВАНИЕ С НЕПОДВИЖНЫМИ ПИТАЮЩИМИ ЗАЗЕМЛЕНИЯМИ (СЪЕМКА СРЕДИННЫХ ГРАДИЕНТОВ)

При электропрофилировании на участках со сложным геоэлектрическим разрезом (например, в областях развития карста, в пределах сложно построенных рудных полей и т. п.) условия заземления питающих электродов могут оказать существенное влияние на форму графикарк и сильно исказить его. Так, если в процессе перемещения четырехточечной установки по профилю между одним из питающих заземлений (например, А) и приемными заземлениями окажется плохо проводящая кварцевая жила или дайка, то она экранирующим образом повлияет на распределение тока в земле. Электрический ток будет обтекать плохо проводящую жилу, и поэтому в области между приемными заземлениями плотность тока окажется уменьшенной. Понижение плотности тока в свою очередь приведет к уменьшению разности потенциалов между заземлениями М и N и, следовательно, к понижению величины кажущегося сопротивления.

При дальнейшем перемещении по профилю заземление А перейдет через жилу и окажется по одну сторону от нее с приемными заземле­ ниями. В этом положении установки электрический ток будет «от­ жиматься» жилой в сторону приемной цепи. Увеличение плотности тока между приемными заземлениями в данном случае приведет к увеличению рк. Таким образом, переход питающего заземления

164