Файл: Прикладная спектрометрия с полупроводниковыми детекторами..pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 122
Скачиваний: 0
Изменить расположение полюсов передаточной функции можно, включив параллельно конденсатору С | резистор RK, ве личина которого, как будет показано ниже, довольно велика, так что доля постоянно составляющей R\ f(Ri+RK), передавае мая на вход выходной секции, незначительна. При этом переда точная функция Н (s) становится равной
|
|
|
tf(s) = |
_________я + П/ЯкСО________ |
(2.5) |
|||||
|
|
|
|
(s + |
l/t/Hs-Mtfi + R J R iRkC,)] |
|
||||
(коэффициент усиления К\ условно принят равным 1 ). |
||||||||||
|
Если CfRi = ClRK, то формула (2.5) |
принимает вид |
||||||||
|
|
|
|
Я (э )= |
l/(s + |
rp), |
|
(2.6) |
||
где тр=^рС ,; Rv= Ri\\RK= R \ R J {R l + RK). Так |
как |
постоянную |
||||||||
времени т/ |
выбирают |
равной |
1 -М 0 0 |
мс, а Т| |
обычно равно |
|||||
0 , 0 1 |
т/ |
или |
менее, то |
при |
выполнении |
условия |
компенсации |
|||
(2 .6 |
) |
величина Ru на |
два |
порядка превышает |
R ь |
что для по |
стоянной составляющей, передаваемой через резистор Rl;, со ставляет несколько процентов. Дополнительной регулировкой режимов элементов выходной секции можно установить потен циал на выходе предусилителя вблизи нулевого уровня.
Рассмотренные схемные решения — общие для предусилите лей, используемых при спектрометрии ионизирующих излучений с помощью ППД. В результате интенсивных исследований, на правленных на снижение уровня собственного шума, повышение загрузочной способности, уменьшение зависимости входного шума и коэффициента усиления от полной входной емкости, предложены различные варианты входных секций, на которых целесообразно остановиться подробнее.
Предусилители с резистором в цепи обратной связи. Этот тип предусилителя (рис. 2.3, а) наиболее распространен, так как позволяет осуществлять стабилизацию усиления и режима за счет обратной связи через С/ и Rf соответственно. В боль
шинстве случаев используют каскодное |
включение |
полевого Т\ |
||
и биполярного Г2 транзисторов. Такая |
комбинация |
характери |
||
зуется высоким значением коэффициента усиления |
и |
слабым |
||
влиянием емкости затвор — сток. В качестве |
выходного |
усили |
||
теля, имеющего коэффициент передачи |
1 , |
используется либо |
повторитель Уайта, либо эмиттерный повторитель на составных транзисторах. Следящая обратная связь С,- увеличивает значе ние коэффициента усиления с разомкнутой обратной связью до значения Ko^SRg при R ^ R пых, где Rg — динамическая нагруз ка каскодион пары; 5 — крутизна вольт-амперной характери стики полевого транзистора; /?э — нагрузка в цепи эмиттера Г2;
R вых — выходное сопротивление Д. |
выполнить |
в нужной |
|
Условие 1?3 >1?„ых обычно |
нетрудно |
||
полосе частот, если нагрузку |
сделать индуктивной. |
Тогда зна |
|
чение коэффициента Ко может достигать |
нескольких тысяч. Од- |
70
нако для рентгеновских ППД, обладающих малой собственной емкостью, значение Ко можно снизить до нескольких сотен при С/ == 0,1 н-0,2 пФ. Время нарастания сигнала /„ такого каскада не зависит от величины динамической нагрузки и определяется коэффициентом широкополосное™ каскодной пары ( C J S ) и от ношением CBX/Cf, которое является коэффициентом усиления с
~Ua +иэ
Рис. |
2.3. Схемные решения головных каскадов: |
||||
я — с резистором |
R p |
б — без |
резистора |
обратной |
связи; в — параметриче |
|
ский; |
г — с |
оптической |
обратной |
связью. |
замкнутой обратной связью Kj для источника входного сигна ла, нагруженного на емкость Свх:
К / = Сцх1С/, in = 2,2СН/Сf/S,
где С„— полная емкостная нагрузка каскода; Свх — полная входная емкость каскода. Для типовых значений CH=10-f-15 пФ,
5 = 6 — 8 |
мА./В; |
С„х= 5 |
— 8 пФ; |
С/=0,2ч-0,3 пФ, время нарастания |
|||
^н~0 , 1 |
мкс и |
хорош |
согласуется |
с собственным |
временем |
на |
|
растания токового импульса |
детектора (0 ,1 ч-0 , 2 |
мкс), |
если |
||||
только |
амплитудный |
анализ |
не |
сопровождается |
временными |
измерениями. Время нарастания tu можно уменьшить, увеличив С/. Поэтому для детекторов с большой собственной емкостью (50— 100 пФ) целесообразно выбирать С/»1 пФ. Постоянная времени цепи обратной связи т/=С,Д/ при этом составляет до
ли или единицы миллисекунд. В некоторых схемах резистор Rf подключен не к выходу зарядочувствительной секции, а непо средственно на корпус, что приводит к значительному увеличе нию постоянной времени входной цепи. Такое включение в боль шинстве случаев не дает каких-либо преимуществ, так как, вопервых, размыкается цепь обратной связи по постоянному току и, во-вторых, резко увеличивается вероятность наложений им пульсов.
Несколько иная схема первой секции предусилителя, выпол ненная исключительно на полевых транзисторах, описана в ра боте [14]. При небольшом уровне шума эта схема требует до статочно «деликатного» обращения, так как использование источника напряжения +100 В для питания головного каскада может привести к пробою первых двух транзисторов*
Предусилители без резистора обратной связи. Резистор R/ не является необходимым элементом головного каскада и принципиально можно реализовать схему, состоящую только из ППД и полевого транзистора. Так как через R,- осуществляется подача оптимального потенциала на затвор полевого транзи стора, а токи, идущие через R,, изменяются со временем, то основная проблема — в обеспечении достаточно длительной ста бильности первой секции предусилителя.
В первых вариантах [15] эту задачу решали, тщательно от бирая ППД и полевой транзистор, но это малопроизводительная процедура, так как обратный ток ППД, как правило, превышает ток затвора полевого транзистора. Еще большие трудности свя заны с изменением ионного тока детектора, зависящего от энер гии, расходуемой в детекторе в единицу времени на образова ние дырок и электронов. Более совершенная схема, предложен
ная |
в |
работе [16], |
состоит из двух повторителей: истокового |
на |
Т1 |
и повторителя |
Уайта на биполярных транзисторах (см. |
рис. 2.3,6). В такой схеме достигается почти полная нейтрали зация межэлектродных емкостей за счет применения следящей
обратной |
связи через конденсаторы Сь С2, |
С3: |
С'з^СзиО — |
|
—К i); С'зс = Сзс( 1 - К 2); С'Л= СЛ(\ —/(,), где С'3|„ |
С'зс, С'л—дей |
|||
ствующие |
значения емкостей затвор — исток, |
затвор — сток и |
||
детектора; |
К\ и К2— коэффициенты передачи сигнала на выхо |
|||
де повторителей Тх и Уайта. |
|
|
||
Действующее значение динамической входной емкости |
||||
уменьшили до 0,1 |
пФ при удовлетворительном |
времени нараста |
||
ния ( / „ ^ 1 |
0 0 нс), |
так как ta увеличивается |
пропорционально |
|
1/(1—/С,). |
|
|
|
|
Используя генерацию пар носителей заряда в области за твор — сток полевого транзистора, можно замкнуть цепь об ратной связи и обеспечить нейтрализацию заряда, поступающего во входную цепь. В результате применения такой схемы в рабо те [13] уровень собственного шума был снижен до A£Si= = 82 эВ.
72
Предусилитель с пассивными входными элементами. Этот тип предусилителя, основанный на принципе параметрического усиления, был впервые предложен авторами работы [17]. Вход ная часть схемы — резонансный контур с собственной резонанс
ной частотой сор (см. рис. 2.3, в). Контур |
связан |
с генератором |
|||
накачки |
через конденсаторы |
Сь С2 и с |
ППД |
через |
фильтры |
Ф|, Ф2. |
Генератор накачки, |
работающий |
на частоте |
ыр/2, под |
держивает в контуре незатухающие колебания, а цепь обрат ной связи CjRf обеспечивает стабильность амплитуды колеба ний. Заряд, возникающий в ППД, изменяет емкость перехода диодов Д ь Дг и приводит к кратковременному отклонению соб ственной частоты колебаний контура от резонансной сор. Это со провождается уменьшением амплитуды высокочастотных коле баний. На выходе системы после усиления и детектирования возникает импульс с амплитудой, пропорциональной заряду, об разованному в ППД. Схема параметрического усиления имела уровень собственных шумов A£Si=0,64 кэВ при температуре 77 К. Дальнейшее снижение шума, по-видимому, трудно осуще ствить из-за диэлектрических потерь в элементах входной цепи и ряда других причин, связанных с особенностью параметриче ского усиления [18]. Кроме того, описанная схема достаточно сложна в изготовлении и настройке и не нашла широкого при менения, тем более что значительно лучшие результаты были вскоре получены с зарядочувствительиыми предусилителями на полевых транзисторах.
Предусилители с электроннооптической обратной связью. Впервые схема такого предусилителя, обеспечивающего высо кое энергетическое разрешение, была опубликована в работе [19]. Основное отличие ее — в способе подачи отрицательной обратной связи на вход полевого транзистора (см. рис. 2.3, г), которая осуществляется светодиодом Д2 из As—Ga, включен ного последовательно с резистором R. Если напряжение на вы ходе зарядочувствнтельной секции равно Двых, то ток диода 1%—Uпых/R обусловливает световой поток, часть которого попа дает на светочувствительную область затвор — канал Ти При этом в цепи затвора генерируется ток, пропорциональный току h'-
/ 3 = ф/ 2 = ФUBhj R .
Если коэффициент связи Ф выбрать равным примерно 10~10, а
— 100 Ом, то h = UbuJ R / , где R / = R / Ф, что эквивалентно на личию в цепи затвора резистора обратной связи с сопротивле нием R / около 1012 Ом. Однако в отличие от обычных высоко омных угольных резисторов эквивалентное сопротивление R / не связано с дополнительными источниками шумов, обусловленных флуктуациями проводящего слоя, зависимостью активной части импеданса от частоты, паразитной емкости и т. п. Такая схема позволила уменьшить собственный уровень шума предусилителя
73