ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 137
Скачиваний: 0
быть выбит электрон c L - и более высоких оболочек. Поэтому сече ние* фотоэффекта имеет скачки при энергиях фотонов, равных энер гиям связи электронов. На рис. 3 в качестве примера приведена зависимость сечения фотоэффекта для свинца от энергии фотона [8].
Вероятность фотоэффекта возрастает с увеличением атомного номера материала и уменьшается с ростом энергии фотона. В ча стности, вероятность этого процесса уменьшается при увеличении энергии Е фотона приблизительно по закону Е~3(при Е < 0,5 Мэе)
и по закону Е~г (при Е |
0,5 |
Мэе). |
|
Подчеркнем, что в ослабле нии фотонного излучения при прохождении его через среду фотоэффект играет преоблада ющую роль для излучений с энергией ниже 0,1 Мэе и для сред с атомным номером более
20.
Комптоновское рассеяние. Комптоновским рассеянием на зывается процесс взаимодейст вия фотонного излучения с ве ществом, в котором фотон в ре зультате упругого столкнове ния с электроном теряет часть своей энергии и изменяет на правление своего первоначаль ного движения, а из атома вы бивается электрон отдачи. В ли тературе встречаются и другие названия этого процесса: эффект Комптона, некогерентное рас сеяние. Электрон отдачи ча
сто называют также комптоновским электроном. Схематически процесс комптоновского рассеяния показан на рис. 4.
Энергия Е электрона отдачи равна
Е — hvo — hv, |
(23) |
|
где |
hv0 — энергия первичного фотона, |
a hv — энергия рассеян |
ного |
фотона. |
|
*Вероятность протекания того илн иного процесса характеризуется сечением, которое измеряется в см2. 10~24 см2 составляет барн. Сечение означает отно шение числа элементарных актов какого-либо процесса в 1 сек. на атом, яд ро или частицу к числу падающих частиц на 1 см2 в 1 сек. Оно обычно обо значается буквой а.
23
Величины Е и hv можно найти по формулам
hvо
|
В ~ 1 + 0,51/ [/iv0 (1 — cos 0)] |
’ |
(24) |
||||
|
|
||||||
|
|
|
|
0,51 |
|
|
(25) |
|
/iv“ |
1 -!- 0 ,51//п’о — cos 0 |
• |
|
|||
|
|
|
|||||
В |
этих |
формулах 0,51 |
(в |
Мэе) — это иг0с2 (т0 — масса |
покоя |
||
электрона, |
а с |
— скорость света). Угол 0 показан на рис. 4. |
|
||||
' |
Свободный. |
/РассЕЯНный |
|
||||
зпектрон |
\ |
ho / |
ротон |
|
|||
|
ho0 |
|
|
\ / в |
|
|
|
Подог ’щид тотон |
|
Рис. 4. Схема процесса |
ком |
||||
|
|
|
|
дяонтроп'п |
птоновского рассеяния средой |
||
|
|
|
|
фотонного пзлученпя |
|
||
|
|
|
|
отдооо |
^ |
|
|
На рис. 5 приведена зависимость доли энергии первичного фотона, передаваемой электронам отдачи, от энергии фотона [11]. Кривая распределения электронов отдачи по энергии имеет резко выраженную границу, соответствующую максимальной энергии Ет&х электрона отдачи (рис. 6). Величина 2?т ах определяется из формулы
Л\'о
(26)
•^гаах — 1-j- 0,25/hv0 '
Рис. 5. Зависимость доли / энергии первичного фотона, передаваемой элек трону отдачи, от энергии фотона
Рис. 6. Дифференциальное сечение в для комптоновского эффекта |
как функ |
ция энергии электронов Едл в случае фотонов с энергией Еф = 0,2 |
-н 1,2 Мэе |
На рисунке указаны также величины максимальной энергии электронов отдачи
24
На рис. 6 иа оси ординат отложены сечения взаимодействия на электрон и иа единичный интервал энергии [8].
Комптоновское рассеяние является одним из наиболее суще ственных процессов взаимодействия фотонного излучения в срав нительно широкой энергетической области. Например, оно доми-\ нирует над другими процессами в свинце, если энергии фотонов равны 0,5 —5 Мэе, в железе при энергиях 0,1 —10 Мэе, в алюминии
при энергиях 0,05—15 Мэе и в воздухе при |
энергиях 0,02 — |
|
23 Мэе. |
|
|
|
Чтомноо |
Позитрон |
|
Ядра |
|
|
hv > Zm0a z |
|
Рис. 7. Схема процесса обра |
Подающий /ротон |
|
|
|
зования электронно-позитрон |
Элвктрон о~ |
|
ных пар |
||
|
Образование электронно-позитронных пар. Этот эффект со стоит в исчезновении фотона в кулоновском поле ядра или элек трона и создании пары электрон — позитрон (рис. 7). При этом образовавшейся паре передается вся энергия h v фотона за вычетом энергии покоя возникшей пары, равной 2лг0с2 = 1,022 Мэе, т. е.
E+ -j-E - = hv — 2тас-, |
(27) |
где i?+ и Е_ — соответственно энергии позитрона и электрона. Таким образом, данный эффект имеет порог, равный 1,022 Мэе.
Сечение рассматриваемого процесса возрастает с увеличением энергии фотона и увеличивается приблизительно пропорциональ но квадрату атомного номера среды.
Образование пар сопровождается относительно мягким у-из- лучением. Природа его такова. Позитрон нестабилен в присутствии электронов среды, и он быстро исчезает путем рекомбинации с од ним из электронов (в основном свободных) * . При этом исчезно вение позитрона приводит к испусканию эквивалентного количе ства энергии в виде фотонного излучения. Возникают два фотона
сэнергией 0,511 Мэе.
Вкулоновском поле орбитального электрона возникают пары,
приводящие к образованию триплета, т. е. пары электрон — по зитрон плюс электрон, в поле которого протекает процесс и кото рый выбивается из атома. Пороговая энергия для образования триплета равна 4 тп.0с2. Этот процесс имеет небольшое значение по сравнению с процессом образования пары в поле ядра.
Другие виды взаимодействия фотонного излучения. Когерент ное (томпсон-рэлеевское) рассеяние представляет собой рассеяние
* Этот процесс называется аннигиляцией.
25
фотонов связанными атомными электронами, при котором атом ни возбуждается, ни ионизируется. Этот процесс протекает, в ос новном, в случае фотонов низкой энергии и материалов с большими атомными номерами. Рассеянные фотоны имеют ту же длину вол ны, что и первичные, т. е. материалу не передается никакой энер гии. Имеет место только ослабление первичного пучка.
Фотораспад ядер (или ядерный фотоэффект) — это процесс взаимодействия фотонного излучения с ядрами, приводящий к ис пусканию нейтрона, протона или а-частицы. Он имеет место в том случае, когда энергия фотона превышает энергию связи соответ ствующей частицы в ядре. Фотораспад характерен для фотонного излучения высокой энергии (выше 10—15 Мэе для материалов с низкими атомными номерами и выше ~ 7 Мэе для материалов с большими атомными номерами). Исключение составляют реакции (у, п) для дейтерия и бериллия, которые начинают протекать с энергией фотонов 2,23 и 1,665 Мэе соответственно (см. также стр. 37).
Ослабление инт енсивност и и поглощение энергии фотонного и злучен и я
п р и прохож дении через вещество
В результате протекания различных процессов взаимодей ствия с веществом интенсивность потока фотонного излучения при прохождении через вещество уменьшается. Возьмем узкий моно хроматический пучок фотонов, падающий на прибор-детектор, измеряющий интенсивность (рис. 8). Если между этим прибором и источником излучения находится какой-либо поглотитель тол щиной АI, помещенный в пучок, то интенсивность I пучка при про хождении через этот поглотитель уменьшится на величину АI,
д / = _ | а/ д /, |
(28) |
где |х — коэффициент пропорциональности, называемый линей ным коэффициентом ослабления.
После перегруппировки уравнения (28) и интегрирования его от 0 до I получаем
I = h e-W , |
(29) |
где /„ — начальная интенсивность излучения.
Уравнение (29) выражает общеизвестный экспоненциальный закон ослабления.
Для пучка фотонов с различными энергиями закон ослабления выражается формулой
I = Jie-W |
+ |
/ 2e-W + . . . + I.e"^1, |
(30) |
где 11: / 2, . |
. |
., 11 — начальные интенсивности фотонов с энерги |
26
ями Ег, Ег, . . ., Et, a jXj, р2, . . ., рг — соответствующие линейные коэффициенты ослабления,
Уравнение (29) было выведено для узкого параллельного пучка фотонов. В этом случае детектор регистрирует только первичное нерассеянное излучение. Если же пучок широкий, то детектор, помимо нерассеянных фотонов, регистрирует также фотоны, мно гократно рассеянные в поглотителе (рис. 9). Говоря по-иному,
Рис. 8. Ослабление узкого монохроматического пучка фотонов при прохож дении через вещество
1 — источник излучения; 2 — коллиматор; з — поглощающая среда; 4 — прибор-детек тор
Рис. 9. Ослабление широкого пучка фотонов при прохождении через вещество
Обозначения те же, что на рис. 8
детектор будет измерять большее количество фотонов. Вклад мно гократно рассеянного излучения по сравнению с первичным излу чением учитывается с помощью так называемого фактора накоп ления (англ. — buildup factor). Его обозначают буквой В. Тогда для случая широкого пучка уравнение (29) трансформируется к виду
I = Б1ое~^1. |
(31) |
Если I измеряется в см, то р имеет размерность см~г. На прак тике чаще используют массовые коэффициенты ослабления р/р,
где |
р — плотность поглощающего вещества в г/см3. Очевидно, |
р/р |
не зависит от плотности и имеет размерность см2/г. |
По определению МКРЕ [21], массовый коэффициент ослабле ния для косвенно ионизирующих частиц — это частное от деления dN на произведение р, N и dl, где N — число частиц, падающих перпендикулярно на слой материала с толщиной dl и плотностью р, a dN — число частиц, которые осуществляют взаимодействие
в этом слое. |
Следовательно, |
|
|
р ______1 |
dN |
(32) |
|
р ~ р N |
dl |
||
|
27