ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 142
Скачиваний: 0
Значения гидрофобно-гидрофильного баланса .могут быть вычис лены также из химической формулы поверхностно-активного веще ства. Формулу для такого расчета предложил Девис [2331:
ГГБ — Г— геГх+ 7
где Г — гидрофильное групповое число; Гх — гидрофобное группо вое число; п — число гидрофобных групп.
Ниже приведены значения групповых чисел, определенные Деви сом для соединений, содержащих различные группы:
Гидрофильные |
|
38,7 |
—SOjNa+ .......................................................... |
|
|
—СОО-К+ ...................................................... |
|
21,1 |
—COO-Na+ ...................................................... |
|
19,1 |
Азот третичного амина....................................... |
|
9,4 |
Сложноэфирная сорбинатного кольца . . . . |
6,8 |
|
Сложноэфирная свободная............................... |
|
2,4 |
Карбоксигруппа —СООН................................... |
|
2.1 |
Гидроксил свободный ....................................... |
|
1,9 |
Оксигруппа —О— ............................................... |
|
1,3 |
Гидроксил сорбинатного к о л ь ц а ................... |
|
0,5 |
Гидрофобные —СИ—; —СЛ12—; —СІІ3; |
—0,475 |
|
—СІ12— .............................................................. |
|
|
Производные |
' |
0,33 |
—(СН2 -СІ-І2—О)— ................... |
||
-(С Н 2—СНа-СНа—О-)— ........................... |
|
-0,15 |
Из различных методов определения ГГБ интересно привести способ, основанный на том, что любой гидрофобный радикал тре бует около 2/3 оксиэтиленового звена для солюбилизации одного атома углерода в своей цепи. Удлинение оксиэтиленовой цепи при дает поверхностно-активному веществу определенные свойства. Ис ходя из этого, гидрофобно-гидрофильное число ГДД определяют по следующей формуле:
где исн2о — число оксиэтиленовых звеньев в поверхностно-актив ном веществе; пс — число атомов углерода в гидрофобной части поверхностно-активного вещества.
Известен также способ [234] оценки ГГБ, основанный на титро вании водой растворов поверхностно-активных веществ в смеси бен зола и диоксана.
В заключение отметим, что понятие о гидрофобно-гидрофильном балансе дает возможность предварительно выбрать поверхностно активное вещество для той или иной цели при ограниченных сведе ниях о структуре и физико-химических свойствах поверхности дис персной фазы, однако не характеризует эффективность его действия. Эффективность поверхностно-активного вещества наиболее полно можно определить только экспериментальным путем при подборе его количества и условий диспергирования системы. Практически
221
установлено, что оптимальное количество поверхностно-активного вещества, независимо от его характера, при диспергировании маг нитного порошка в растворе связующего полимера составляет 0,5— 2 вес. % от количества порошка.
Для достижения хороших результатов диспергирования доста точно создать на поверхности диспергируемого материала мономоле
кулярный слой |
поверхностно-активного вещества [235, 236]. |
В технологии |
магнитных лент в качестве поверхностно-активного |
вещества наибольшее применение находит диалкиловый эфир фос форной кислоты:
/О
[RO(r.If.,CH,0)6]P<f
Ч Ш
где R — алкильная группа, содержащая 8—10 атомов углерода, а также жирные кислоты, их эфиры и т. п.
5.1.5. Электропроводящие компоненты
Большинство полимеров — диэлектрики. Электроны, при помощи которых осуществляются химические связи в макромолеку лах, локализованы, и удельная электропроводность их при обычной температуре не превышает 10“1в Ом“1-см-1. Наличие такой электро проводности обусловлено, как правило, ионами примесей. Поэтому магнитная лента, основу и рабочий слой которой составляют пре имущественно полимеры, имеет весьма малую проводимость. Вслед ствие перемещения магнитной ленты различными лентопротяжными механизмами записывающих и воспроизводящих устройств она электризуется и притягивает к себе пыль. При дальнейшем исполь зовании ленты пылинки, попадая между магнитной головкой и лен той, отводят последнюю от головки. Это приводит к выпадению сигнала, т. е. к локальному отсутствию записи. Электризация маг нитных лент, используемых в устройствах вычислительной техники, вообще недопустима, так как при этом нарушается достоверность записываемой и воспроизводимой информации.
Существует несколько способов снижения электризуемое™ маг нитных лент. Об одном из них было сказано выше — это введение в рабочий слой поверхностно-активных веществ, которые несколько улучшают электропроводность рабочего слоя.
Более эффективным способом снижения электризуемое™ маг нитных лент является введение в состав рабочего слоя электропро водящих наполнителей. В большинстве случаев в качестве таких наполнителей применяют графит или сажу [237—239]. Можно также снизить электризуемость магнитных лент нанесением специаль ных электропроводящих составов. Такие составы могут быть нане сены на нерабочую сторону магнитной ленты. Покрытия из них одновременно выполняют функцию подслоя, улучшающего адгезию рабочего слоя к основе [240, 241].
Механизм электропроводности полимеров, содержащих электро проводящие наполнители, точно не установлен. Известно, однако
222
[2421, что он определяется типом наполнителя, степенью его дисперс ности. температурой и рядом других факторов. По мнению одних исследователей, перенос заряда осуществляется по цепочкам, состо ящим из частиц электропроводящего наполнителя, между которыми имеется непосредственный контакт [243, 244].Другие исследователи считают [245—247], что проводимость полимеров, содержащих электропроводящие наполнители, определяется тепловой эмиссией электронов через промежутки между частицами наполнителя.
Теория электрических контактов говорит о том, что ток возмо жен не только при непосредственном контакте двух проводников, но и тогда, когда между ними имеется зазор или прослойка диэлект рика [248]. В данном случае прохождение тока будет определяться величиной зазора, приложенным напряжением и температурой.
В зависимости от перечисленных факторов возможны различные варианты механизма перескока электронов через потенциальный барьер. Один из вариантов осуществляется при помощи «туннель ного эффекта», заключающегося в том, что через потенциальный барьер между двумя твердыми телами происходит равновероятный обмен электронами. Из волновой теории известно, что электроны, обладающие энергией меньшей по величине, чем потенциальный барьер, способны все же, с известной степенью вероятности, преодо левать его при условии, что их собственная длина волны соизмерима с величиной зазора или толщиной изолирующей пленки. При воз действии электрического поля вероятность переходов в направлении поля возрастает, в результате чего возникает ток. При сравнении туннельного эффекта и термоэлектронной эмиссии, как двух воз можных механизмов прохождения тока через зазор, можно наблю дать, что в первом случае величина тока больше, чем во втором, при любой температуре [249]. Если зазор настолько велик, что электропроводность определяется термоэлектронной эмиссией, то ток намного порядков меньше суммарного, определяющегося всеми возможными механизмами перескока электронов через потенциаль ный барьер. Туннельное сопротивление определяется величиной зазора и является экспоненциальной функцией. При длине зазора порядка 30 А оно составляет ~ 10 -4 Ом-см2. Величина этого сопро тивления находится в прямой зависимости от диэлектрической про ницаемости материала, разделяющего частицы электропроводящего наполнителя.
Одним из методов исследования механизма проводимости электро проводящих полимеров является построение вольт-амперных характе ристик. Линейные участки таких характеристик свидетельствуют о соблюдении закона Ома, т. е. о том, что электропроводящие час тицы находятся в непосредственном контакте друг с другом. Откло нение от закона Ома указывает на наличие необычного механизма проводимости. Однако вольт-амперная характеристика может иметь линейный характер и при туннельном эффекте, если напряжение не превышает определенного предела.
Таким образом, механизм электропроводности системы полимер— электропроводящий наполнитель до настоящего времени однозначно
223
ие |
установлен. Ио-видимому, использование различных наполните |
|
лей |
может |
обусловить разные механизмы электропроводности. |
В системах, |
в которых связующий полимер является диэлектриком |
(что бывает в большинстве случаев), механизм электропроводности определяется типом электропроводящего наполнителя. Если это металл, то он проводит электрический ток вследствие свободного перемещения электронов, если же это, например, графит, то он харак теризуется свойствами полупроводника. Поэтому механизм прово димости у полимеров, наполненных металлом, будет отличаться от ме ханизма проводимости полимеров, наполненных графитом.
Уровень существующей экспериментальной техники не позволяет однозначно установить, связано ли скачкообразное уменьшение удельного объемного сопротивления с моментом возникновения контакта между частицами электропроводящего наполнителя, вслед ствие чего образуются токопроводящие микропути, или со сближе нием частиц на расстояния, величина которых достаточна для реали зации туннельного эффекта. Наряду с этим установлено, что во всех случаях удельное объемное сопротивление скачкообразно умень шается тогда, когда в результате большой концентрации частиц или благодаря образованию цепочечных структур при их сближе нии обеспечивается прохождение тока. Расположение частиц напол нителя, при котором образуются цепочки, простирающиеся от одного электрода к другому, наиболее целесообразно для достижения тре буемой электропроводности. Однако для образования цепочечных структур необходимо определенное взаимодействие частиц между собой и со связующим полимером, а также определенное внешнее
механическое, электрическое |
или |
магнитное воздействие. |
В технологии магнитных |
лент |
в качестве электропроводящего |
наполнителя широко применяют сажу, структура частиц которой подобна кристаллам графита. В кристаллической структуре гра фита атомы углерода расположены в плоских параллельных слоях. Согласно рентгенограммам [242] частицы сажи состоят из отдель ных малых кристаллических ячеек, каждую из которых составляют несколько параллельных слоев углеродных атомов с расстоянием между ними в плоскости слоя ~2,456 Â, т. е. они расположены на таком же расстоянии друг от друга, как атомы в кристаллической решетке графита. Расстояние же между слоями всегда больше, чем в кристаллах графита, и неодинаково для различных типов сажи. Неплотное расположение параллельных слоев углеродных атомов в частицах некоторых типов сажи может служить причиной наличия остаточных сил на поверхности частиц. Эти силы вызывают образо вание вторичной структуры и, по-видимому, обусловливают высокую электропроводность таких саж.
Активными участками на поверхности частицы являются места выхода из нее торцов параллельных слоев. Из-за ненасыщенности краевых атомов углерода торцы и углы кристаллитов обладают повышенной энергией. В связи с этим поверхность сажи имеет актив ные участки, обладающие повышенной адсорбционной энергией [250]. Действием свободных сил на поверхности частиц сажи опре-
224