ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 59
Скачиваний: 0
ного падения потенциала |
dK. |
Аналогичные |
результаты |
||
для других газов получены в |
[52], |
где установлено, что |
|||
ркр в легких газах больше, |
чем |
в тяжелых. Так, в |
|||
Аг р1ф= 3 |
Н/м2 (pi<p=0,02 |
мм рт. |
ст.), а |
в Ne рк$= |
|
= 30 Н/м2 |
(ркр= 0,2 мм рт. ст.). |
|
|
Крутизна вольт-амперной характеристики увеличива ется при уменьшении давления. Эта зависимость особен но проявляется в вынужденном режиме в связи с увели чением доли ионного тока в анодном токе. Зависимости падения напряжения на диоде от давления при постоян ном анодном токе приведены на рис. IV.4, б. Кривая 1 на этом рисунке соответствует режиму ограничения тока объемным зарядом, а кривая 2 — вынужденному режи му. Наличие минимума у кривых объясняется тем, что при низком давлении многие из быстрых электронов не участвуют в ионизации газа, а при высоком давлении значительная доля энергии электронов расходуется на
нагрев газа. |
минимума невелика: 4 0 ^ р ^ |
|
В |
водороде область |
|
sg;80 |
Н/м2 (0 ,3 ^ р ^ 0 ,6 |
мм рт. ст.), в то время как в |
ртути эта область простирается от единиц до сотен Н/м2 (от сотых долей до нескольких мм рт. ст.), а в арго не— от 13 до тысяч Н/м2 (от 0,1 до десятков мм рт. ст.).
В вынужденном режиме минимум кривой &Ua- K= f(p ) сдвинут в сторону больших давлений. Кроме того, при
р < 30 Н/м2 (р < 0,2 |
мм рт. ст.) |
катодное падение по |
||||
тенциала значительно и достигает сотен вольт. |
|
|||||
На рис. |
IV.5 помещены волът-амперные |
характеристики |
диода |
|||
с гелиевым |
наполнением |
р ~ 67 Н/м2 |
(р = |
0,5 мм |
рт. ст.) |
[531. |
Вид этих кривых полностью совпадает |
с характером |
кривых для |
||||
др |
В |
|
|
|
|
|
" а-к>и |
|
|
|
|
|
|
|
70 |
|
|
|
|
|
4
50
30
0 |
Ь |
в |
12 |
16 |
20 |
гь |
^а,Л/смг
Рис. IV.5. Вольт-амперная характеристика диода с гелиевым на полнением р = 67 Н/м2 (р = 0,5 мм рт. ст.).
68
водородного наполнения (рис. IV.3, а), за исключением третьего участка, который у гелиевых диодов измерить не удается, так как: предельный ток ограничивается потерей эмиссии катода из-за рас пыления оксида. На рис. IV.5 пунктиром помечен рост ДС/а_„ п уменьшение тока при работе катода в вынужденном режиме. Видно,
что эмиссионная способность катода начинает падать |
при Д£/а_и = |
||
= 30 -f- 36 В (по данным работы |
(10] |
критический |
потенциал рас |
пыления оксидного катода нонами |
гелия |
равен 30 эВ). |
Ток нулевого поля не должен зависеть от рода газа, наполняю щего прибор, если газ не оказывает отравляющего или активирую щего воздействия па катод. Плотности тока нулевого поля в гелии,
измеренные по точке перегиба кривых |
рис. IV.5 при Т!( = |
800, 850 и |
900° С, равны 4,5-104, 9-104 и 16,5-104 |
А/м2 соответственно |
и близки |
к значениям / ао, полученным в водороде. |
|
Эмиссионная способность катода в ряде случаев за висит от длительности импульса. Известно, что при на личии в керне катода примесей, вызывающих образова ние запорного слоя, эмиссия катода уменьшается в те чение импульса. Однако в вакууме катоды и на чистей шем никеле, но не тренированные отбором тока, также обнаруживают спад эмиссии, если длительность импуль са превышает несколько микросекунд [46]. После дли тельной тренировки те же катоды имеют стабильную эмиссию в течение импульса длительностью до 30 мкс.
Рис. IV. 6. Осциллограм
мы импульса |
анодного |
тока диода с нетрениро |
|
ванным катодом: |
|
а) хн = 8 мкс; 6) |
х =100 мкс; |
в) тн = 1200 мкс; |
7*к = 900° С; |
р = 67 Н/ма (0,5 |
мм рт. сг.) |
На рис. IV.6 приведены осциллограммы импульсов анодного тока диода с катодом, не тренированным от бором тока, полученные в водородном разряде при дав лении 0,5 мм рт. ст. Осциллограммы а—в получены при длительности импульса 8 ; 1 0 0 и 1 2 0 0 мкс соответствен
69
но. Температура керна катода во всех случаях была одинаковой и равной 900° С.
Из рис. IV.6 видно, что эмиссия катода, не трениро
ванного отбором тока, сохраняется |
постоянной |
только |
в течение импульса длительностью |
не более 8 — |
1 0 мкс |
-(осциллограмма а). Увеличение длительности импульса до 1 0 0 мкс (осциллограмма б) приводит к появлению спада тока. Спад тока особенно велик при т„=1200 мкс (осциллограмма в).
Спад тока, вычисленный по осциллограмме рис. IV.6,s, происхо дит по экспоненциальному закону
|
С = (Сн — U exp {tlx) + |
(IV.16) |
|
где ia — мгновенное значение тока, |
— начальный ток, |
— уста |
|
новившийся |
ток, т — постоянная |
времени спада, определяющая |
|
тангенс угла |
наклона прямой In [(/а — «^/(/дн — тсо)] = / |
(t) к оси |
абсцисс. Характер зависимости т от времени тренировки демонстри руется рис. IV.7.
Кривые па этом рисунке получены при тренировке катода в ре жиме т„ = 1200 мкс, / п = 5 имп/с, Ua — const (i/n — импульсное
.напряжение источника, питающего диод). Температура катода рав-
Рис. IV. |
7. Зависимость постоянной спада анодного тока |
от про |
|||
|
должительности тренировки катода в режиме: |
|
|||
= |
1200 |
мкс, / = 5 |
имп/с, U&= const, р = |
67 Н/м* (0,5 мм. pi. |
ст.). |
нялась 950° |
С (кривая |
/) и 900° С (кривая |
2). Начальная плотность |
тока в первый момент после включения С/а в обоих случаях равня лась 104 А/м2. В процессе тренировки значение плотности тока уве личивалось благодаря повышению эмиссионной способности катода. Время тренировки, требующееся для получения эмиссии, стабильной в течение 1200 мкс, зависит от температуры катода и составляет примерно 1—2 ч и 8—14 ч при Тк = 950 и 900° С соответственно.
70
Характерной особенностью импульса падения напря жения на диоде с нетренированным катодом является рост At/a-к в течение импульса (осциллограмма рис. IV.8 ,a), т. е. увеличение внутреннего сопротивления дио да вследствие спада тока эмиссии катода. Значение ДUа—к на диоде с нетренированным катодом равно 80—
Рис. IV.8. Осциллограммы импульсного |
падения напря |
жения: |
катод; т — 1*200 мкс |
a — нетрепиропанныи катод; б —тренированный |
|
(масштаб напряженый одинаков). |
|
100 В при Тк=9004-950° С и /а= 1 0 4 |
А/м2, что соответ |
ствует вынужденному режиму работы катода. Таким об разом, спад эмиссии имеет место при работе катода в вынужденном режиме, т. е. при наличии внешнего поло жительного поля катода. После прекращения спада им
пульса тока Аи л- к |
становится также прямоугольным |
(осциллограмма IV.8 |
, б). |
Падение напряжения на диоде с тренированным ка тодом не превышает 25—30 В при плотности тока, рав ной (3—6)-104 А/м2 и Т ц= 850° С, что присуще режиму ограничения тока объемным разрядом. Эмиссионная способность тренированного катода может существенно увеличиваться в течение импульса. В качестве примера, на осциллограмме рис. IV.9, в показано трехкратное по вышение тока за время 1200 мкс. Причиной роста тока является импульсный нагрев катода разрядным током (см. раздел IV.4). На том же рисунке представлены осцилло граммы импульсов падения напряжения на диоде при работе катода в вынужденном режиме: /а= 1,6-1 05 А/м2,
7^=850° С, |
р = 66,7 Н/м2 (0,5 |
мм. рт. |
ст.) для тп= |
8 , |
100 и 1200 |
мкс. Особенностью |
падения |
напряжения |
в |
этом случае является уменьшение Дбга_к при тп> 2 0 мкс. Из двух основных составляющих падения напряжения на диоде: iaR()кс и AUK— наиболее сильной температур ной зависимостью обладает катодное падение потенциа ла. Поэтому резкий спад А £/а-к в первые 600—800 мкс (рис. IV.9, в) объясняется главным образом уменьше-
71