Файл: Фогельсон, Т. Б. Импульсные водородные тиратроны.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 59

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ного падения потенциала

dK.

Аналогичные

результаты

для других газов получены в

[52],

где установлено, что

ркр в легких газах больше,

чем

в тяжелых. Так, в

Аг р1ф= 3

Н/м2 (pi<p=0,02

мм рт.

ст.), а

в Ne рк$=

= 30 Н/м2

(ркр= 0,2 мм рт. ст.).

 

 

Крутизна вольт-амперной характеристики увеличива­ ется при уменьшении давления. Эта зависимость особен­ но проявляется в вынужденном режиме в связи с увели­ чением доли ионного тока в анодном токе. Зависимости падения напряжения на диоде от давления при постоян­ ном анодном токе приведены на рис. IV.4, б. Кривая 1 на этом рисунке соответствует режиму ограничения тока объемным зарядом, а кривая 2 — вынужденному режи­ му. Наличие минимума у кривых объясняется тем, что при низком давлении многие из быстрых электронов не участвуют в ионизации газа, а при высоком давлении значительная доля энергии электронов расходуется на

нагрев газа.

минимума невелика: 4 0 ^ р ^

В

водороде область

sg;80

Н/м2 (0 ,3 ^ р ^ 0 ,6

мм рт. ст.), в то время как в

ртути эта область простирается от единиц до сотен Н/м2 (от сотых долей до нескольких мм рт. ст.), а в арго­ не— от 13 до тысяч Н/м2 (от 0,1 до десятков мм рт. ст.).

В вынужденном режиме минимум кривой &Ua- K= f(p ) сдвинут в сторону больших давлений. Кроме того, при

р < 30 Н/м2 (р < 0,2

мм рт. ст.)

катодное падение по­

тенциала значительно и достигает сотен вольт.

 

На рис.

IV.5 помещены волът-амперные

характеристики

диода

с гелиевым

наполнением

р ~ 67 Н/м2

(р =

0,5 мм

рт. ст.)

[531.

Вид этих кривых полностью совпадает

с характером

кривых для

др

В

 

 

 

 

 

" а-к>и

 

 

 

 

 

 

70

 

 

 

 

 

4

50

30

0

Ь

в

12

16

20

гь

^а,Л/смг

Рис. IV.5. Вольт-амперная характеристика диода с гелиевым на­ полнением р = 67 Н/м2 = 0,5 мм рт. ст.).

68


водородного наполнения (рис. IV.3, а), за исключением третьего участка, который у гелиевых диодов измерить не удается, так как: предельный ток ограничивается потерей эмиссии катода из-за рас­ пыления оксида. На рис. IV.5 пунктиром помечен рост ДС/а_„ п уменьшение тока при работе катода в вынужденном режиме. Видно,

что эмиссионная способность катода начинает падать

при Д£/а_и =

= 30 -f- 36 В (по данным работы

(10]

критический

потенциал рас­

пыления оксидного катода нонами

гелия

равен 30 эВ).

Ток нулевого поля не должен зависеть от рода газа, наполняю­ щего прибор, если газ не оказывает отравляющего или активирую­ щего воздействия па катод. Плотности тока нулевого поля в гелии,

измеренные по точке перегиба кривых

рис. IV.5 при Т!( =

800, 850 и

900° С, равны 4,5-104, 9-104 и 16,5-104

А/м2 соответственно

и близки

к значениям / ао, полученным в водороде.

 

Эмиссионная способность катода в ряде случаев за­ висит от длительности импульса. Известно, что при на­ личии в керне катода примесей, вызывающих образова­ ние запорного слоя, эмиссия катода уменьшается в те­ чение импульса. Однако в вакууме катоды и на чистей­ шем никеле, но не тренированные отбором тока, также обнаруживают спад эмиссии, если длительность импуль­ са превышает несколько микросекунд [46]. После дли­ тельной тренировки те же катоды имеют стабильную эмиссию в течение импульса длительностью до 30 мкс.

Рис. IV. 6. Осциллограм­

мы импульса

анодного

тока диода с нетрениро­

ванным катодом:

а) хн = 8 мкс; 6)

х =100 мкс;

в) тн = 1200 мкс;

7*к = 900° С;

р = 67 Н/ма (0,5

мм рт. сг.)

На рис. IV.6 приведены осциллограммы импульсов анодного тока диода с катодом, не тренированным от­ бором тока, полученные в водородном разряде при дав­ лении 0,5 мм рт. ст. Осциллограммы а—в получены при длительности импульса 8 ; 1 0 0 и 1 2 0 0 мкс соответствен­

69



но. Температура керна катода во всех случаях была одинаковой и равной 900° С.

Из рис. IV.6 видно, что эмиссия катода, не трениро­

ванного отбором тока, сохраняется

постоянной

только

в течение импульса длительностью

не более 8 —

1 0 мкс

-(осциллограмма а). Увеличение длительности импульса до 1 0 0 мкс (осциллограмма б) приводит к появлению спада тока. Спад тока особенно велик при т„=1200 мкс (осциллограмма в).

Спад тока, вычисленный по осциллограмме рис. IV.6,s, происхо­ дит по экспоненциальному закону

 

С = (Сн — U exp {tlx) +

(IV.16)

где ia — мгновенное значение тока,

— начальный ток,

— уста­

новившийся

ток, т — постоянная

времени спада, определяющая

тангенс угла

наклона прямой In [(/а — «^/(/дн тсо)] = /

(t) к оси

абсцисс. Характер зависимости т от времени тренировки демонстри­ руется рис. IV.7.

Кривые па этом рисунке получены при тренировке катода в ре­ жиме т„ = 1200 мкс, / п = 5 имп/с, Ua — const (i/n — импульсное

.напряжение источника, питающего диод). Температура катода рав-

Рис. IV.

7. Зависимость постоянной спада анодного тока

от про­

 

должительности тренировки катода в режиме:

 

=

1200

мкс, / = 5

имп/с, U&= const, р =

67 Н/м* (0,5 мм. pi.

ст.).

нялась 950°

С (кривая

/) и 900° С (кривая

2). Начальная плотность

тока в первый момент после включения С/а в обоих случаях равня­ лась 104 А/м2. В процессе тренировки значение плотности тока уве­ личивалось благодаря повышению эмиссионной способности катода. Время тренировки, требующееся для получения эмиссии, стабильной в течение 1200 мкс, зависит от температуры катода и составляет примерно 1—2 ч и 8—14 ч при Тк = 950 и 900° С соответственно.

70


Характерной особенностью импульса падения напря­ жения на диоде с нетренированным катодом является рост At/a-к в течение импульса (осциллограмма рис. IV.8 ,a), т. е. увеличение внутреннего сопротивления дио­ да вследствие спада тока эмиссии катода. Значение ДUа—к на диоде с нетренированным катодом равно 80—

Рис. IV.8. Осциллограммы импульсного

падения напря­

жения:

катод; т — 1*200 мкс

a — нетрепиропанныи катод; б —тренированный

(масштаб напряженый одинаков).

100 В при Тк=9004-950° С и /а= 1 0 4

А/м2, что соответ­

ствует вынужденному режиму работы катода. Таким об­ разом, спад эмиссии имеет место при работе катода в вынужденном режиме, т. е. при наличии внешнего поло­ жительного поля катода. После прекращения спада им­

пульса тока Аи л- к

становится также прямоугольным

(осциллограмма IV.8

, б).

Падение напряжения на диоде с тренированным ка­ тодом не превышает 25—30 В при плотности тока, рав­ ной (3—6)-104 А/м2 и Т ц= 850° С, что присуще режиму ограничения тока объемным разрядом. Эмиссионная способность тренированного катода может существенно увеличиваться в течение импульса. В качестве примера, на осциллограмме рис. IV.9, в показано трехкратное по­ вышение тока за время 1200 мкс. Причиной роста тока является импульсный нагрев катода разрядным током (см. раздел IV.4). На том же рисунке представлены осцилло­ граммы импульсов падения напряжения на диоде при работе катода в вынужденном режиме: /а= 1,6-1 05 А/м2,

7^=850° С,

р = 66,7 Н/м2 (0,5

мм. рт.

ст.) для тп=

8 ,

100 и 1200

мкс. Особенностью

падения

напряжения

в

этом случае является уменьшение Дбга_к при тп> 2 0 мкс. Из двух основных составляющих падения напряжения на диоде: iaR()кс и AUK— наиболее сильной температур­ ной зависимостью обладает катодное падение потенциа­ ла. Поэтому резкий спад А £/а-к в первые 600—800 мкс (рис. IV.9, в) объясняется главным образом уменьше-

71