Файл: Виглин, С. И. Генераторы импульсов автоматических устройств учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 20.10.2024

Просмотров: 120

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Помимо схемы с отрицательной базой (рис. 15.24) может быть

построена, как и

в ламповом варианте, схема с нулевой базой, в

которой

резистор

R6

включен между базой и заземленным эмит­

тером

(рис. 15.40). В

этой схеме конденсатор С разряжается че­

рез сопротивление R6,

минуя источник питания. Внешним явля­

ется только напряжение — /к о Ro,

к которому емкость С стремит­

ся перезарядиться. Напряжение ис

изменяется по закону

 

 

 

 

и г. =

иСы

 

-

(/ко Ro ~t-

^ C M ) ( i — е Т Р

 

 

Кривая разряда имеет вид, показанный на рис. 15.39. Так как

ток

разряда

i p

определяется только

сУсм,

а не совместным дейст­

вием UcM-i-Ек,

 

то в схеме с нуле­

 

 

 

вой базой он уменьшается и раз­

 

 

 

ряд

конденсатора

происходит

 

 

 

медленнее.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сравним

стабильность

паузы в

 

 

 

обеих схемах.

Ввиду

того, что

 

 

 

отпирание

транзистора

 

происхо­

 

 

 

дит

при « с = 0 ,

как

видно

из рис.

 

 

 

15.39, в схеме с отрицательной ба­

 

 

 

зой

для

разряда

используется

 

 

 

лишь крутой

начальный

 

участок

 

 

 

экспоненты,

тогда как

в

 

схеме с

Р и с

! 5 Л 0 . С х е м а с

е в о й

нулевой базой

окончание

разряда

 

базой,

 

имеет место

в конечной

 

 

пологой

 

 

 

части экспоненты. В § 15.6 показано, что чем больше скорость из­ менения напряжения кс в момент t — tn, тем выше стабильность паузы. Следовательно, схема с отрицательной базой обеспечивает гораздо большую стабильность периода. Это наглядно иллюстри­ руется на рис. 15.41.

В схеме с транзистором из всех параметров наибольшую не­

стабильность имеет ток Л-о,

сильно изменяющийся в

зависимости

от температуры. При повышений температуры рост

этого

тока

на величину

Д/,<о

измеряет

уровень, к которому стремится пере­

заряжаться

конденсатор С. Вследствие повышения старости раз­

ряда отпирание транзистора

наступает

раньше, и пауза

ta

умень­

шается.

 

 

 

 

 

 

 

 

В

схеме

с нулевой базой

из-за малой

величины

производной

" с

при « с = 0

изменение уровня

/ к 0

RQ вызывает

значитель-

dt

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ную вариацию момента t2 отпирания транзистора, что дает боль­

шую

нестабильность

А Т„ (рис. 15.41). В схеме

с

отрицательной

-

^ -

u

duc

=

п

оазои

вследствие, оольшеи величины

— п р и « с

и, момент Zi

отпирания смещается

мало, и нестабильность Д Т0

<С Д Тн.

73


Величину нестабильности

Л Т0

.определим

из

соотношения

(15.110). Подставляя вместо

ho

и tn

величины

 

ho' =

/|(0 ~|- Д ho\

 

 

/ „ ' =

/„ 4- Д Г 0 ,

 

 

получим

 

 

 

 

 

 

£к +

(/ко +

А/к о)/?б +

^с»

(15.111)

£"к +

(/к0 +

Д / к 0 ) / ? б

 

 

Рис. 15.41. К пояснению нестабильности периода колебаний в схеме с^транзистором.

После вычитания выражений (15.110) и (15.111), найдем для схемы с отрицательной базой

 

 

1 +

 

Д / к о Я б

 

 

Д

ТП

ЕК

+ ho R&

(15.112)

- p i n

 

Д / к 0 / ? б

 

 

 

1 + ЕК

 

 

 

 

 

+

/ко

/ ? 6 +

UCu

 

Для схемы с нулевой базой

 

 

д / .к0

 

 

 

 

 

 

1 +

 

 

 

Д Тп= — тр 1п

 

/к0

 

(15.113)

 

 

Д ho Re

 

 

1

+

 

 

 

ho Ru +

UCM

 

Анализ выражения (15.112) показывает, что для получения ма­

лой величины

Д Т0

необходимо

выполнить

неравенство

 

 

 

Д / к о ^ б « £ " к .

 

(15.П4)

74


Тогда в выражении (15.112) дробь близка к единице, а логариф­ мическая функция!К!нулю. Воспользовавшись n$>« а < 1 прибли­ женной формулой

1п(1 - f o j s a ,

получим

л г

-

А / к 0 / ? 6 £ / С м

п

а У ° "

 

Ь р ( ^ к + / к о / ? б ) ^ к + / к 0 / ? 6 + а д '

1

г ц с ч

'

Расчетное значение Д/к-о можно определить так:

Д /кО А(0 макс — IкО,

г д е / к о м а к с значение тока при максимальной температуре t* =

=60° С;

/к о — номинальное значение при ^° = 20°С.

Так

как / к о м а к с = 16/к о,

то / к о С / к О м а к с

и можно полагать

 

 

Д /кО = /кО макс-

 

 

Тогда

неравенство

(15.114)

принимает вид

 

 

 

/ , < 0 м а к с / ? б « £ к .

 

(15.116)

Учитывая значение (15.108') для Uc«

и пренебрегая

малой ве­

личиной /ко Re,

вместо выражения

(15.115) находим

 

 

А 7 ; = - т р

^

• ^ « « « Я » .

(15.117)

 

 

 

1 " Г 9 т

 

^-к

 

Таким образом, в схеме с отрицательной базой высокая ста­ бильность периода колебаний (|Д 7^0| х р ) обеспечивается толь­ ко при условии (15.116). Оно ограничивает величину сопротивле­ ния Rs, что не позволяет получить чрезмерно большой период ко­ лебаний.

Для схемы с нулевой базой, пренебрегая в знаменателе выра­ жения (15.113) малым вторым членом, получим

А Г н = - т р 1 п ^ 1 +

/ к 0 7 | М о а к с j .

(15.118)

Так как

 

 

/|<0 макс ^

/кО,

 

ТО

Из-за сильной вариации тока /к о при изменении температуры схема с нулевой базой имеет весьма большую нестабильность пе­ риода колебаний и на практике не используется.


§15 .11. З А Т О Р М О Ж Е Н Н Ы Й Р Е Ж И М РАБОТЫ

Весьма часто в сложных импульсных системах требуется обес­ печить срабатывание блокинг-генератора в строго фиксированные моменты времени одновременно с другими устройствами или с оп­ ределенной задержкой относительно момента их срабатывания. Для этой цели используется заторможенный режим работы бло­ кинг-генератора.

Заторможенный

'реж-и'м

отличается

двумя

особенностями.

ВоnietpiB ы .\,

если « а

бетакимт-генеф атар- ш

 

подаются извне

им­

пульсы

запуска,

то

он

не

'работает.

• ©о-'вторых,

IHа

.каждый

зШгоуск

блоюииг-пенератар1 срабатывает

одши

раз,

генерируя

 

им пульс!

такой

же

формы,

капе и

!в режиме

'ав­

токолебаний. При

периодическом

поступлении

импульсов запуска

с периодом

Тя блокннг-генератор

дает импульсы с тем же перио­

дом (Твг=Т3).

Но срабатывание блокинг-генератора в затор­

моженном режиме может проис-

 

 

 

 

 

•ходить

и

не:• 'пэрисднчесш, а

по

 

 

 

 

 

мере надобгюстн.

 

 

 

 

 

 

 

 

Обычно

и мпульсы

запуска

об-

 

 

 

 

 

разуются

в р>езультате преобразо-

 

 

 

 

 

вания

весьм;э стабильного сину-

 

 

 

 

 

соидального напряжения, поэтому

 

 

 

 

 

-

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U =

«Л

Рис. 15.42. Схема блокинг-ге-

Рис. 15.43. Форма напряжений

нератора с

транзистором,

работаюидего в заIОрио­

в заторможенном режиме

жен ном

режиме.

(схема с транзистором).

стабильность периода колебаний в заторможенном режиме гораз­ до выше, чем в автоколебательном.

Схема блокинг-генератора, работающего в заторможенном ре­ жиме, приведена на рис. 15.42, а временные графики, поясняющие процессы в ней, — на рис. 15.43. Отсутствие колебаний без воздей­ ствия импульсов запуска обеспечивается включением в базовую цепь источника положительного напряжения Ее, запирающего транзистор. Так как в запертом транзисторе через сопротивление

76


Ra

протекает ток

До, то

условие запирания имеет

следующий

вид:

 

 

 

 

 

С'оз = Еь — /ко Re > 0,

(15.119)

где

сУбз напряжение на базе запертого транзистора.

 

Если условие

(15.119)

выполняется надежно, то

колебания не

возникают, и состояние схемы, когда транзистор заперт, является устойчивым.

Роль запускающих импульсов и3 состоит в отпирании тран­ зистора. В схеме (рис. 15.42) запуск осуществляется импульсами « з отрицательной полярности, подаваемыми от специального ис­ точника на сопротивление R3, включенное в базовую цепь. Для простоты будем считать, что импульсы запуска имеют прямоуголь­

ную форму с амплитудой Ua

(рис.

15.43).

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим цепь передачи импульса запуска

и3

на базу

транзистора.

В

момент

 

t,

напряжение

U3

оказывается приложенным к

элементам

базовой цепи, включенным последовательно (источник

сопротивление

/?б,

обмотка

W(y

и конденсатор

С).

Для

импульсных

сигналов сопротив­

ление

источника

 

Вв

 

пренебрежимо

 

мало. "

 

 

 

 

 

Если

выполнено

условие передачи

импульсов

 

 

 

 

 

Re

С

>

/из.

 

 

(/из

— длительность

 

импульса

 

 

 

 

 

запуска), то можно пренебречь изменением

 

 

 

 

 

напряжения ис<

считая

емкость

С

закорочен­

 

 

 

 

 

ной. Следовательно, импульс запуска оказы­

 

 

 

 

 

вается

приложенным

к цепи,

состоящей

из

 

 

 

 

 

сопротивления

Ro и

индуктивности

 

 

базо­

 

 

 

 

 

вой обмотки (рис. 15.44). Благодаря протека­

 

 

 

 

 

нию

тока

i3

 

на

сопротивлении

Re

создается

+• Q -

 

 

 

отрицательное

напряжение,

изменяющееся

с

 

 

 

 

 

постоянной

 

времени

 

 

 

 

 

 

 

р „ с ,

1,5.44. Передача им-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Lf,

 

 

 

 

 

пульса

запуска на базу

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

/^Г-

 

 

 

 

 

 

 

транзистора.

 

 

Так

как

сопротивление

/?с

достаточно

велико,

то

обычно

выполняет­

ся

условие

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'L

«

<"3-

 

 

 

 

 

 

Поэтому уже через малое время

3 ^ L

отрицательный запускающий

им­

пульс

и3

оказывается

приложенным

 

полностью

к

сопротивлению

Re.

т. е. передается на базу. Для упрощения исследования можно пренебречь малым временем прохождения импульса в базовой цепи и считать, что в

момент /[

он передается

на базу.

 

 

Если

амплитуда

U3

достаточно

велика

 

 

 

U,

>

и63,

то результирующее

напряжение

на

базе

 

 

 

"й = U63

U3 < 0,

и в момент / j транзистор отпирается.

Далее схема работает, как в режиме автоколебаний. Возникает прямой лавинообразный процесс, приводящий к скачкам напряже­ ний «,-, и ик и токов в схеме, а затем происходит заряд конден-