Файл: Пакулов, Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.10.2024
Просмотров: 94
Скачиваний: 0
Преобразуя выражение (1.144), имеем
« 1 = “ вх н 4 - k ? r In ^ 2fs lRt ' 3" 2/^/?., ( ll1 4 5 )
Рассмотрев цепь от точки 1 до входа переключателя то ка, запишем следующее выражение:
HgUI = Ы, Uду = U, 1ч[ /з (^6in/^S7^^) “l- 1 ]• 0 • 146)
Два последних выражения представляют собой систе му двух уравнений с двумя неизвестными. Если задано Ыпхн, то неизвестными являются ui и ибт- Система этих двух уравнений устанавливает для рассматриваемого случая однозначную связь напряжения «61 на входе пе реключателя тока с входными напряжениями (мВх) МЭ.
Оценим для рассматриваемого случая соотношение напряжений «апги «Пхп. Если за счет выбора напряжения источника питания Еi и сопротивлений резисторов R1 и- R4 токи диодов / Д1, / д2 и IД7 получаются равными и
если диоды Д1, Д2 и Д7 имеют одинаковые вольт-ампер-
ные характеристики (Isi = Isi), |
то ыг>1п=Ыпхн. Это равен |
||
ство вытекает из следующих |
вычислений: |
||
|
---^вх н “ ^Д1 |
|
^Д7 r=~~ UBXя I |
+ /г<Рх 1П |
1^ — k fTIn |
4" l'j = UBXH. |
|
так как 1Д, = |
1Д7, IS, = IS7 . |
|
|
Однако в практических случаях токи, ответвляющие |
|||
ся в диоды Д1 |
и Д2, могут быть меньше тока, ответвляю |
щегося в диод Д7. Предположим, что различие между этими токами настолько велико, что выполняется соотно
шение |
/д/ + / Д2 = |
/ Д7. |
П'РИ этом с учетом выражений |
||
(1.142) |
и (1.146) находим |
|
|
||
|
|
|
( |
1Д1 + 1Д2 |
|
|
^ б 1 Н ------- ^ В Х |
Н “ К |
^ * Р т 1 ч I |
2fsi |
|
|
— k fT |
|
^ |
^вх н |
1ч2. |
При получении этого результата учитывалось, что (7д;Д-
“Ь ^ И ^Д 7^ S7 ^ ^ ’
57
Положив £=1,5 и фт= 0,026 В, что для кремниевых полу проводниковых приборов при комнатной температуре вы полняется; находим ивы—Ицхи~27 мВ.
Это означает, что напряжение ивы устанавливается ниже нижнего входного уровня па 27 мВ. Если в соот ветствии с требованиями потенциального согласования элементов положить и1!Хп—ивх П= «п:>~0,8 В, то отклоне ние «51 п от нижнего значения входных уровней составит примерно 3% от размаха входных напряжений. Таким образом, даже двукратное различие токов входных дио дов и диодов смещения не приводит к значительному различию напряжений ивы и ыВхи.
Рассмотрим второй случай, когда на одном входе дей ствует высокий уровень напряжения, а на двух входах— низкие уровни. Так как все входы равноценны, то для определенности будем считать, что высокий уровень на пряжения действует на первом входе, а низкие уровни— па втором и третьем входах. В этом случае диод Д1 закрыт и проводит лишь незначительный обратный ток /si. Все остальные диоды открыты. Входной ток (iв) пере ключателя тока должен 'быть равен нулю.
В соответствии с рис. 1.24 |
находим |
|
|
||||||||
«1= |
|
+ |
иД2= |
ипх „+ £<рт In [(1Л2И51) 4-1 ], |
|
||||||
где |
/д2 — |
+ |
IS7-- ГД7= № |
— ul)IRi]-\-fsl — |
|
||||||
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
ид?!кфт |
1), |
|
|
||
поэтому |
|
|
|
Is?(е |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
U\ —- «вх и "I- &Р, 1о |
|
у5/к» |
|
1SI |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Аналогично получаем |
|
|
|
|
|
(1.147) |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||
|
^6i — |
|
Мд-j — 4 |
£?т 1н |
д?!I$7) ""Ь П* |
(1.148) |
|||||
Очевидно, |
что |
точно определить |
ток / |
протекающий |
|||||||
через |
диод |
Д7, |
как |
некоторую |
долю тока /4 |
весьма |
|||||
трудно. |
Это |
вызвано |
тем, |
что токи 1Д7, IД8 и Iда свя |
|||||||
заны между собой |
сложной |
зависимостью. |
Выразим при |
||||||||
ближенно |
ток 1Д7 |
через ток |
/ 4 = |
иб1//?4. Для этого по |
ложим, что ток диода Д2 возрос по сравнению с током
58
В первом случае в два раза за счет запирания диода Д1 и переключения тока / д/ в диод Д2. Из выражения
вольт-амперной характеристики диода находим, что при увеличении тока диода в два раза прирост напряжения на диоде составляет % т In 2. Так как в рассматриваемом
случае (б = 0, то h = |
1д7-\г I дя-)г 1дд. Для токов диодов |
имеем |
|
!Л7 — 1S71ехР — «б.)/^Рт] — 1}; |
|
IД8 ^ ^ |
S7 {^ХР 1(^2 ^6i)/^<Pt] |
Если предположить, что при поступлении на первый е х о д напряжения высокого уровня Uz и из остались без изменения, и учесть, что напряжение щ возросло на ве личину йфт 1п 2, то можно получить следующее отноше ние:
|
|
2/ |
["ехр ( |
и, — h fTIn 2 |
Н |
Л _ |
Ц81 |
1 + ■ S7 |
k<fT |
||
1Д7 |
1Д71'* |
IS7 lexP H«i—“6i),*¥iJ — 1} |
Учитывая, что экспоненциальные слагаемые в числителе и знаменателе значительно больше единицы, пренебре гаем последними и получаем окончательное выражение
гд7==1и 1*- |
О-149) |
Гак как токи 1Д8 и Iдд равны между собой и составляют в сумме половину тока /4, то каждый из них равен 74/4.
Подставив значение 1Д7 в формулу (1.148), |
находим |
|
«6i = «i — А<рт In [(ыб1/2/57/?4) + |
1]. |
(1.150) |
Формулы (1.147) и (1.150) позволяют определить напря жение на входе переключателя тока по известным пара метрам элементов схемы и значению нижнего уровня входного напряжения.
Если потребовать для этого случая равенства значе ния Ыб1нижнему значению входного напряжения ивх ш то при идентичных диодах Д2 и Д7 это равносильно требо ванию равенства токов диодов, что вытекает из следую
щего соотношения: |
|
|
Ugi UBXн —(- |
ИД7—• Ивх„—{— |
|
|
ДТ |
(1.151) |
+ ^?т1п[(/д2//д,;)-|- 1] — кУч\п[(1ш{IS7) -f- 1] |
||
|
Д71' S7‘ |
|
59
Равенство игл й ^вх.н 'ВОЗМОЖНО ЛИШЬ В СЛУ'ЧЗб, ОСЛЙ
^ Tl n [ ( V / s /) + l ] - k p Tln [(1Д7/137) + 1] = 0.
Если диоды идентичны, то ISI = / s_, следовательно, ра венство справедливо лишь при .1Д2 — 1д7.
Из этих же соотношений следует и другой вывод. При идентичных диодах схем И и ИЛИ и при одинаковых токах, протекающих через диоды, уровень входного на пряжения МЭ передается на вход переключателя тока без изменения.
Теперь рассмотрим случай, когда на двух входах, на пример первом и втором, действуют высокие уровни на пряжений, а на одном (третьем) -—низкий. Так как от крытое состояние диодов Д1 и Д2 сохраняется и в этом случае, то из приближенных оценок, замечаем, что по тенциал точки 1 (рис. 1.24) становится выше потенциалов точек 2 и 3 примерно на величину размаха входного сиг нала. Это видно из следующих соотношений:
ui — «вх в 4“ Афт In [(^щ/As/) 4~ П» |
(1.152) |
Ua—• ивх н | ^дз — «вх н 4" А^Рт Шдз^з,) 4"~ |
0 • 1^3) |
и3= «вх н -{- иЛ6= цвхи А<рх In [(^де/^s/) 4~ 4- |
(1-154) |
Положив IД1== 'U flv |
находим |
|
|
Ui— |
иих в «вх ы Афт 1п2. |
(1.155) |
|
При иахв ^вхн~б,8 |
В; |
А= 1,5; фт = 0,026 |
В находим |
Ui— « 2 = 0 , 8 |
В—0,027В = 0,773 В. |
Аналогично можно получить и значение разности щ—из. Так как на аноде диода Д7 действует более высокий потенциал, чем на анодах диодов Д8 и Д9, то за счет
тока / Д7, напряжение «61 становится выше напряже
ний «2 и из, поэтому диоды Д8 и Д9 закрыты. Для этого случая -схему, изображенную на рис. 1.24, можно пред ставить в упрощенном виде (рис. 1.25). При рассматри ваемом сочетании входных сигналов напряжение uei на входе переключателя тока должно быть выше опорного (Иоп), а ток t6#0. На рис. 1.25 не -показаны обратные токи диодов Д8 и Д9. Для учета этих токов их необхо димо просуммировать с токами h и ie(u<a).
60