Файл: Пакулов, Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.10.2024

Просмотров: 94

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Преобразуя выражение (1.144), имеем

« 1 = “ вх н 4 - k ? r In ^ 2fs lRt ' 3" 2/^/?., ( ll1 4 5 )

Рассмотрев цепь от точки 1 до входа переключателя то­ ка, запишем следующее выражение:

HgUI = Ы, Uду = U, 1ч[ /з (^6in/^S7^^) “l- 1 ]• 0 • 146)

Два последних выражения представляют собой систе­ му двух уравнений с двумя неизвестными. Если задано Ыпхн, то неизвестными являются ui и ибт- Система этих двух уравнений устанавливает для рассматриваемого случая однозначную связь напряжения «61 на входе пе­ реключателя тока с входными напряжениями (мВх) МЭ.

Оценим для рассматриваемого случая соотношение напряжений «апги «Пхп. Если за счет выбора напряжения источника питания Еi и сопротивлений резисторов R1 и- R4 токи диодов / Д1, / д2 и IД7 получаются равными и

если диоды Д1, Д2 и Д7 имеют одинаковые вольт-ампер-

ные характеристики (Isi = Isi),

то ыг>1п=Ыпхн. Это равен­

ство вытекает из следующих

вычислений:

 

---^вх н “ ^Д1

 

^Д7 r=~~ UBXя I

+ /г<Рх 1П

1^ — k fTIn

4" l'j = UBXH.

так как 1Д, =

1Д7, IS, = IS7 .

 

 

Однако в практических случаях токи, ответвляющие­

ся в диоды Д1

и Д2, могут быть меньше тока, ответвляю­

щегося в диод Д7. Предположим, что различие между этими токами настолько велико, что выполняется соотно­

шение

/д/ + / Д2 =

/ Д7.

П'РИ этом с учетом выражений

(1.142)

и (1.146) находим

 

 

 

 

 

(

1Д1 + 1Д2

 

 

^ б 1 Н ------- ^ В Х

Н “ К

^ * Р т 1 ч I

2fsi

 

 

— k fT

 

^

^вх н

1ч2.

При получении этого результата учитывалось, что (7д;Д-

“Ь ^ И ^Д 7^ S7 ^ ^ ’

57


Положив £=1,5 и фт= 0,026 В, что для кремниевых полу­ проводниковых приборов при комнатной температуре вы­ полняется; находим ивы—Ицхи~27 мВ.

Это означает, что напряжение ивы устанавливается ниже нижнего входного уровня па 27 мВ. Если в соот­ ветствии с требованиями потенциального согласования элементов положить и1!Хп—ивх П= «п:>~0,8 В, то отклоне­ ние «51 п от нижнего значения входных уровней составит примерно 3% от размаха входных напряжений. Таким образом, даже двукратное различие токов входных дио­ дов и диодов смещения не приводит к значительному различию напряжений ивы и ыВхи.

Рассмотрим второй случай, когда на одном входе дей­ ствует высокий уровень напряжения, а на двух входах— низкие уровни. Так как все входы равноценны, то для определенности будем считать, что высокий уровень на­ пряжения действует на первом входе, а низкие уровни— па втором и третьем входах. В этом случае диод Д1 закрыт и проводит лишь незначительный обратный ток /si. Все остальные диоды открыты. Входной ток (iв) пере­ ключателя тока должен 'быть равен нулю.

В соответствии с рис. 1.24

находим

 

 

«1=

 

+

иД2=

ипх „+ £<рт In [(1Л2И51) 4-1 ],

 

где

/д2 —

+

IS7-- ГД7= №

— ul)IRi]-\-fsl

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ид?!кфт

1),

 

 

поэтому

 

 

 

Is?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U\ —- «вх и "I- &Р, 1о

 

у5/к»

 

1SI

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аналогично получаем

 

 

 

 

 

(1.147)

 

 

 

 

 

 

 

^6i —

 

Мд-j — 4

£?т 1н

д?!I$7) ""Ь П*

(1.148)

Очевидно,

что

точно определить

ток /

протекающий

через

диод

Д7,

как

некоторую

долю тока /4

весьма

трудно.

Это

вызвано

тем,

что токи 1Д7, IД8 и Iда свя­

заны между собой

сложной

зависимостью.

Выразим при­

ближенно

ток 1Д7

через ток

/ 4 =

иб1//?4. Для этого по­

ложим, что ток диода Д2 возрос по сравнению с током

58


В первом случае в два раза за счет запирания диода Д1 и переключения тока / д/ в диод Д2. Из выражения

вольт-амперной характеристики диода находим, что при увеличении тока диода в два раза прирост напряжения на диоде составляет % т In 2. Так как в рассматриваемом

случае (б = 0, то h =

1д7-\г I дя-)г 1дд. Для токов диодов

имеем

 

!Л7 — 1S71ехР — «б.)/^Рт] — 1};

IД8 ^ ^

S7 {^ХР 1(^2 ^6i)/^<Pt]

Если предположить, что при поступлении на первый е х о д напряжения высокого уровня Uz и из остались без изменения, и учесть, что напряжение щ возросло на ве­ личину йфт 1п 2, то можно получить следующее отноше­ ние:

 

 

2/

["ехр (

и, h fTIn 2

Н

Л _

Ц81

1 + ■ S7

k<fT

1Д7

1Д71'*

IS7 lexP H«i—“6i),*¥iJ — 1}

Учитывая, что экспоненциальные слагаемые в числителе и знаменателе значительно больше единицы, пренебре­ гаем последними и получаем окончательное выражение

гд7==1и 1*-

О-149)

Гак как токи 1Д8 и Iдд равны между собой и составляют в сумме половину тока /4, то каждый из них равен 74/4.

Подставив значение 1Д7 в формулу (1.148),

находим

«6i = «i — А<рт In [(ыб1/2/57/?4) +

1].

(1.150)

Формулы (1.147) и (1.150) позволяют определить напря­ жение на входе переключателя тока по известным пара­ метрам элементов схемы и значению нижнего уровня входного напряжения.

Если потребовать для этого случая равенства значе­ ния Ыб1нижнему значению входного напряжения ивх ш то при идентичных диодах Д2 и Д7 это равносильно требо­ ванию равенства токов диодов, что вытекает из следую­

щего соотношения:

 

 

Ugi UBXн —(-

ИД7• Ивх„—{—

 

 

ДТ

(1.151)

+ ^?т1п[(/д2//д,;)-|- 1] — кУч\п[(1ш{IS7) -f- 1]

 

Д71' S7‘

 

59



Равенство игл й ^вх.н 'ВОЗМОЖНО ЛИШЬ В СЛУ'ЧЗб, ОСЛЙ

^ Tl n [ ( V / s /) + l ] - k p Tln [(1Д7/137) + 1] = 0.

Если диоды идентичны, то ISI = / s_, следовательно, ра­ венство справедливо лишь при .1Д2 — 1д7.

Из этих же соотношений следует и другой вывод. При идентичных диодах схем И и ИЛИ и при одинаковых токах, протекающих через диоды, уровень входного на­ пряжения МЭ передается на вход переключателя тока без изменения.

Теперь рассмотрим случай, когда на двух входах, на­ пример первом и втором, действуют высокие уровни на­ пряжений, а на одном (третьем) -—низкий. Так как от­ крытое состояние диодов Д1 и Д2 сохраняется и в этом случае, то из приближенных оценок, замечаем, что по­ тенциал точки 1 (рис. 1.24) становится выше потенциалов точек 2 и 3 примерно на величину размаха входного сиг­ нала. Это видно из следующих соотношений:

ui — «вх в 4“ Афт In [(^щ/As/) 4~ П»

(1.152)

Ua—• ивх н | ^дз — «вх н 4" А^Рт Шдз^з,) 4"~

0 • 1^3)

и3= «вх н -{- иЛ6= цвхи А<рх In [(^де/^s/) 4~ 4-

(1-154)

Положив IД1== 'U flv

находим

 

Ui

иих в «вх ы Афт 1п2.

(1.155)

При иахв ^вхн~б,8

В;

А= 1,5; фт = 0,026

В находим

Ui— « 2 = 0 , 8

В—0,027В = 0,773 В.

Аналогично можно получить и значение разности щ—из. Так как на аноде диода Д7 действует более высокий потенциал, чем на анодах диодов Д8 и Д9, то за счет

тока / Д7, напряжение «61 становится выше напряже­

ний «2 и из, поэтому диоды Д8 и Д9 закрыты. Для этого случая -схему, изображенную на рис. 1.24, можно пред­ ставить в упрощенном виде (рис. 1.25). При рассматри­ ваемом сочетании входных сигналов напряжение uei на входе переключателя тока должно быть выше опорного (Иоп), а ток t6#0. На рис. 1.25 не -показаны обратные токи диодов Д8 и Д9. Для учета этих токов их необхо­ димо просуммировать с токами h и ie(u<a).

60