Файл: Моряков, О. С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.10.2024

Просмотров: 49

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Минимальный

расход газов

(азот, водород),

2

м3/ ч .........................................................................

мощность, кВт

 

Потребляемая

нагревателей............................., В

13—15

Максимальное

напряжение

30

Напряжение питающей сети,

В ........................

380/220

Габариты, мм

........................................................

 

6050X 850X1600

Для лужения выводов приборов применяют различное оборудо­ вание: от простейших приспособлений до полуавтоматов.

В простейшем случае используют две ванночки с припоем и флюсом. Припой плавят на электрической плитке; температуру контролируют контактным термометром. При лужении выводы приборов окунают в расплавленный припой, вынимают и резким движением стряхивают излишки припоя с выводов. На воздухе

зеркало расплава быстро

покры­

 

 

вается окислом и шлаками, кото­

 

 

рые периодически удаляют скреб­

 

 

ком. Так обычно облуживают вы­

 

 

воды одного или нескольких при­

 

 

боров,

используя

специальную

 

 

кассету.

 

 

 

более

 

 

На рис. 79 показана

 

 

сложная

установка для лужения

 

 

выводов, которую можно исполь­

 

 

зовать также для пайки плат пе­

 

 

чатного монтажа. Установка име­

 

 

ет автоматическую систему регу­

 

 

лирования

температуры

припоя.

Рис. 79. Установка для лужения вы­

Над прямоугольной ванной 4 с

водов полупроводниковых приборов:

припоем расположен подвижный

1 — кронштейн, 2 — вертикальная

стойка,

кронштейн

1, который

можно

3 — ручка, 4 — ванна с припоем,

5 —щеле­

вой питатель

 

поднимать или опускать

поворо­

 

 

том ручки

3.

Направляющей

 

 

кронштейна служит вертикальная стойка 2, Сверху кронштейн име­ ет прямоугольное окно для установки кассеты с полупроводнико­ выми приборами, снизу к нему привернут щелевой питатель 5.

После разогрева припоя кассету с приборами опускают вниз так, чтобы выводы погрузились в припой на определенную глубину. В это время припой поступает в питатель из ванны через продоль­ ную щель. При подъеме кронштейна припой перетекает обратно в ванну. Зеркало припоя обычно покрыто окислом, но при опускании питатель своей нижней частью раздвигает окисную пленку, так что внутрь него попадает лишь чистый припой. Излишки припоя стряхиваются с выводов при ударе вертикальной стойки об ограни­ читель.

В массовом производстве полупроводниковых приборов приме­ няют полуавтоматы для лужения, например карусельный шести­ позиционный полуавтомат, кинематическая схема которого показа­ на на рис. 80. Полуавтомат предназначен для группового лужения с использованием кассет, которые загружаются заранее. После за-

133


хвата / кассета перемещается на позицию II нанесения флюса, за­ тем на позицию III облуживания, повторного нанесения IV флю­ са и повторного облуживания V. Далее кассета автоматически снимается с держателя и разгружается VI. Приборы по лотку по­ падают в вибробункеры для промывки VII и сушки VIII, а далее — в технологическую тару.

Для лужения используют припой ПОС61, а в качестве флю­ са— раствор хлористого цинка. Лужение выполняют при непрерыв­ ном движении расплавленного припоя (волна) для освобождения его от окислов. Процесс ведут при постоянных температуре и уров-

Рис. 80. Кинематическая схема полуавтомата для лужения выво­ дов полупроводниковых приборов:

/ —захват кассет с приборами, II нанесение флюса,

111 — облуживание

выводов, IV — повторное нанесение флюса,

У —повторное облуживание,

VI автоматическая выгрузка кассеты

из

держателя,

VII — промывка

приборов в вибробункере,

VIII сушка приборов

не припоя в ванне. Недостатками метода является длительность разогрева и необходимость больших загрузок припоя. Облуженные приборы промывают в потоке горячей (60—70° С) воды.

Полуавтомат выполнен в виде стола со скафандром. На столе расположены карусель, ванны, вибробункеры и другие механизмы. Скафандр имеет бортовые отсосы, соединяемые с вытяжкой венти­ ляцией.

Следует учитывать, что пары хлористого цинка, свинца и его соединений вредно действуют на организм человека, поэтому при работе с этими материалами необходимо строго соблюдать правила техники безопасности.

Хорошие результаты дает лужение деталей в ультразвуковой ванне, так как процесс интенсифицируется. Источник ультразвуко­ вых колебаний — магнитострикционный излучатель расположен под ванной с припоем. Ультразвуковые колебания вызывают ка­ витацию, способствующую удалению пленки окисла с погружен­

134


ных в ванну деталей и очищающую их поверхность. Оптимальная частота ультразвука, при которой получают наиболее качественное лужение, составляет 20—30 кГд.

§ 46. Оборудование для пайки кристаллов к ножкам

Установка ЭМ—415 (рис. 81), предназначенная для пайки германиевых и кремниевых кристаллов к позолоченным ножкам приборов, состоит из стола, механизмов перемещения, нагружения и привода инструмента Ю, микроскопа 1 с держателем 2, нагрева­ теля 9, газовой и вакуумной систем и электрооборудования.

Рис. 81. Установка ЭМ-415 для пайки кристаллов к позоло­ ченным ножкам приборов:

1 — микроскоп,

2 — держатель,

3 — вибратор, 4 — линейка,

5 —ку­

лачок, 6 — тяга,

7 — рукоятка,

8 —стойка, 9 — нагреватель,

10 — ра­

 

бочий инструмент

 

Шарнирный механизм перемещения предназначен для пооче­ редной подачи под рабочий инструмент 10 и в поле зрения микрос­ копа 1 нагревателя 9 с ножкой (или держателем диодов) или стойки 8 с кристаллами и золотыми прокладками. Одно звено этого механизма вместе с закрепленным на нем нагревателем 9 поворачивают относительно неподвижной оси, а на втором распо­ лагается стойка 8 для кристаллов.

Чтобы присоединить кристалл к ножке в необходимом положе­ нии, верхнюю часть нагревателя, который состоит из четырех смен­ ных элементов, можно поворачивать на угол 130°. Датчиком температуры является керамический термометр сопротивления.

135

Заданное усилие прижима рабочего инструмента с кристаллом

к золоченной поверхности ножки, а также вибрация инструмента

вплоскости, перпендикулярной его вертикальной оси, обеспечи­ ваются специальным приспособлением. Величина усилия зависит от положения груза на линейке 4, Амплитуду колебаний регули­ руют переключателем напряжения. Рабочий инструмент изготов­

лен из стали.

Кристалл, имеющий квадратную форму, размещается в гнездена торцевой части рабочего инструмента, заходя в него примерно на одну треть толщины, и удерживается там вакуумным присосом.

Рукояткой 7 через систему рычагов и тягу 6 можно поворачи­ вать кулачок 5 толкателя, который, в свою очередь, перемещает инструмент вместе с механизмом нагружения. Изменением длины толкателя регулируют высоту подъема инструмента, а длины тя­ ги— его ход по вертикали. На рукоятке управления механизмом привода расположена кнопка включения и выключения вакуума.

Пайку кристаллов к ножкам выполняют под бинокулярным микроскопом 1 (МБС-1), закрепленном на держателе 2, который позволяет устанавливать микроскоп в нужном положении. В полезрения микроскопа попадает инструмент, а также поочередно стой­ ка с кристаллами и ножка, расположенная на нагревателе, вокруг которой создается защитная газовая среда. Охлаждаются ножки с кристаллами обдувом через отверстие в инструменте.

Действием газовой и вакуумной систем управляют с помощью электромагнитных клапанов.

Электрооборудование установки служит для подачи энергии к нагревателю освещения, работы вибратора 3, а также для автома­ тической выдержки режима пайки и сигнализации.

Техническая характеристика установки ЭМ-415 приведена ниже.

Производительность, ш т / ч ........................................

 

 

900

 

Температура в рабочей зоне, °С

................................

°С

200—450

Точность поддержания

температуры,

±5

 

Время установления теплового режима, мин . . .

18

 

Время пайки,

с ............................................................

 

 

 

4—10

Размеры кристалла, м м ............................................

 

 

От 0,5X0,5

Усилие на инструменте

(в месте контакта), гс . .

до 2X2

10—140

Амплитуда колебаний

торца инструмента, мм . .

0,2—0,8

Ход инструмента по вертикали,

м м ................................

 

 

8

Напряжение

питания,

В ...............................................

 

 

 

220

Давление газа, а т .............................................................

 

 

 

 

1,5

Расход газа,

м3/ ч .............................................................

 

 

 

 

0,2

Технологический вакуум, мм рт. ст..............................

 

 

450

Габариты, м м ................................................................

 

 

’.

960X660X1185

Масса, к г ..............................................................

 

 

 

95

 

Показанная

на

рис.

82

автоматическая

установка

ЖКМ 1.121.001 для присоединения кристаллов к позолоченным ножкам, состоит из двух частей: механизма присоединения 3 и электрического блока 1. Перед пуском установки в дисковую кас­ сету 5 предварительно закладывают 90 кристаллов с электронно­ дырочными переходами и такое же количество ножек — в другую»

136


кассету 2. Нагрев ножек осуществляется туннельным нагревателем в атмосфере защитного газа.

При включении электродвигателя приводится в движение рас­ пределительный вал, который с помощью кулачков кинематически согласует движения присасывающего устройства 4, перемещения кассеты с ножками на шаг, поворот дисковой кассеты с кристалла­ ми и работу пьезоэлектрического вибратора. Присасывающее устройство 4 имеет инструмент, при помощи которого происходит захват кристалла, его подъем, поворот и опускание на поверхность фланца ножки.

! 21

Рис. 82. Установка ЖКМ 1.121.001 для

присоединения кристаллов

к ножкам приборов:

 

 

1 ” электрический блок,

2 — кассета с ножками,

3 — механизм присоединения,

4 — присасывающее

устройство, 5 —дисковая кассета с кристаллами

В момент контакта кристалла с ножкой инструмент вибрирует в горизонтальной плоскости, как бы притирая поверхность кристалла к позолоченной поверхности и облегчая пайку. После этого меха­ низм вакуумного присоса возвращается в исходное положение и останавливается. Для повторного срабатывания необходимо на­ жать на педаль. Смена кассет с кристаллами и ножками произво­ дится вручную.

Техническая характеристика установки ЖКМ 1.121.001 при­ ведена ниже.

Производительность,

ш т / ч ........................................

525

Размер кристаллов, м м .................................................

От 0,5x0,5

 

 

до 2X2

Температура нагрева печи, °С .....................................

200—450

Время установления

режима, м и н .........................

20

Амплитуда колебаний инструмента, м м .................

0,2—0,8

Частота колебаний, Г ц .................................................

50

Время пайки, с ............................................................

 

1—2

Напряжение питания,

В .............................................

220

Максимальная мощность, В т .....................................

400

Рабочий вакуум (не -менее),мм рт. ст.........................

300

Масса, к г .........................................................................

 

60

137


Контрольные вопросы

1.Каким требованиям отвечают твердые припои?

2.Для чего выполняют металлизацию керамических деталей?

3.Какими методами наносят металлизирующий слой на керамику?

4.Для чего вжигают металлизацию?

5.Как подготовляют детали к пайке?

6.Какова последовательность операций при пайке деталей?

7.Каково устройство термического оборудования для отжига, пайки, вжигания металлизации и присоединения кристаллов к ножкам?

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

Б р у к В.

А.

и др. Производство полупроводниковых приборов.

М., «Выс­

шая школа», 1973.

С.

Вакуумное нанесение тонких пленок. М., «Энергия», 1967.

Д а н и л и н

Б.

К о у т н ы й

И. и др. Технология серийного производства транзисторов и

полупроводниковых диодов. М., «Энергия», 1968.

 

Л е б е д и н с к и й

М. А. Технология электровакуумного производства. .4. I.

М. — Л., Госэнергоиздат, 1961.

«Энергия»,

М а с л о в

А.

А. Электронные полупроводниковые приборы. М.,

1967.

О. С.

Производство корпусов полупроводниковых

приборов.

М о р я к о в

М., «Высшая школа», 1973.

 

М о р я к о в

О.

С.

Устройство и наладка оборудования полупроводникового

производства. М., «Высшая школа», 1971.

Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под редакцией Р. Бургера и Р. Донована. М., «Мир», 1969.

Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов. Под

редакцией П. Н. Масленникова. М., «Энергия», 1970.

Атомиздат, 1969.

П р е с н о в

В. А. и

др. Керамика и ее спаи в технике. М.,

Т и х о н о в

Ю. Н.

Технология изготовления германиевых

и кремниевых

диодов и триодов. М., «Энергия», 1964.