Файл: Моряков, О. С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.10.2024
Просмотров: 49
Скачиваний: 0
Минимальный |
расход газов |
(азот, водород), |
2 |
м3/ ч ......................................................................... |
мощность, кВт |
|
|
Потребляемая |
нагревателей............................., В |
13—15 |
|
Максимальное |
напряжение |
30 |
|
Напряжение питающей сети, |
В ........................ |
380/220 |
|
Габариты, мм |
........................................................ |
|
6050X 850X1600 |
Для лужения выводов приборов применяют различное оборудо вание: от простейших приспособлений до полуавтоматов.
В простейшем случае используют две ванночки с припоем и флюсом. Припой плавят на электрической плитке; температуру контролируют контактным термометром. При лужении выводы приборов окунают в расплавленный припой, вынимают и резким движением стряхивают излишки припоя с выводов. На воздухе
зеркало расплава быстро |
покры |
|
|
||||
вается окислом и шлаками, кото |
|
|
|||||
рые периодически удаляют скреб |
|
|
|||||
ком. Так обычно облуживают вы |
|
|
|||||
воды одного или нескольких при |
|
|
|||||
боров, |
используя |
специальную |
|
|
|||
кассету. |
|
|
|
более |
|
|
|
На рис. 79 показана |
|
|
|||||
сложная |
установка для лужения |
|
|
||||
выводов, которую можно исполь |
|
|
|||||
зовать также для пайки плат пе |
|
|
|||||
чатного монтажа. Установка име |
|
|
|||||
ет автоматическую систему регу |
|
|
|||||
лирования |
температуры |
припоя. |
Рис. 79. Установка для лужения вы |
||||
Над прямоугольной ванной 4 с |
|||||||
водов полупроводниковых приборов: |
|||||||
припоем расположен подвижный |
1 — кронштейн, 2 — вертикальная |
стойка, |
|||||
кронштейн |
1, который |
можно |
3 — ручка, 4 — ванна с припоем, |
5 —щеле |
|||
вой питатель |
|
||||||
поднимать или опускать |
поворо |
|
|
||||
том ручки |
3. |
Направляющей |
|
|
кронштейна служит вертикальная стойка 2, Сверху кронштейн име ет прямоугольное окно для установки кассеты с полупроводнико выми приборами, снизу к нему привернут щелевой питатель 5.
После разогрева припоя кассету с приборами опускают вниз так, чтобы выводы погрузились в припой на определенную глубину. В это время припой поступает в питатель из ванны через продоль ную щель. При подъеме кронштейна припой перетекает обратно в ванну. Зеркало припоя обычно покрыто окислом, но при опускании питатель своей нижней частью раздвигает окисную пленку, так что внутрь него попадает лишь чистый припой. Излишки припоя стряхиваются с выводов при ударе вертикальной стойки об ограни читель.
В массовом производстве полупроводниковых приборов приме няют полуавтоматы для лужения, например карусельный шести позиционный полуавтомат, кинематическая схема которого показа на на рис. 80. Полуавтомат предназначен для группового лужения с использованием кассет, которые загружаются заранее. После за-
133
хвата / кассета перемещается на позицию II нанесения флюса, за тем на позицию III облуживания, повторного нанесения IV флю са и повторного облуживания V. Далее кассета автоматически снимается с держателя и разгружается VI. Приборы по лотку по падают в вибробункеры для промывки VII и сушки VIII, а далее — в технологическую тару.
Для лужения используют припой ПОС61, а в качестве флю са— раствор хлористого цинка. Лужение выполняют при непрерыв ном движении расплавленного припоя (волна) для освобождения его от окислов. Процесс ведут при постоянных температуре и уров-
Рис. 80. Кинематическая схема полуавтомата для лужения выво дов полупроводниковых приборов:
/ —захват кассет с приборами, II — нанесение флюса, |
111 — облуживание |
||
выводов, IV — повторное нанесение флюса, |
У —повторное облуживание, |
||
VI — автоматическая выгрузка кассеты |
из |
держателя, |
VII — промывка |
приборов в вибробункере, |
VIII — сушка приборов |
не припоя в ванне. Недостатками метода является длительность разогрева и необходимость больших загрузок припоя. Облуженные приборы промывают в потоке горячей (60—70° С) воды.
Полуавтомат выполнен в виде стола со скафандром. На столе расположены карусель, ванны, вибробункеры и другие механизмы. Скафандр имеет бортовые отсосы, соединяемые с вытяжкой венти ляцией.
Следует учитывать, что пары хлористого цинка, свинца и его соединений вредно действуют на организм человека, поэтому при работе с этими материалами необходимо строго соблюдать правила техники безопасности.
Хорошие результаты дает лужение деталей в ультразвуковой ванне, так как процесс интенсифицируется. Источник ультразвуко вых колебаний — магнитострикционный излучатель расположен под ванной с припоем. Ультразвуковые колебания вызывают ка витацию, способствующую удалению пленки окисла с погружен
134
ных в ванну деталей и очищающую их поверхность. Оптимальная частота ультразвука, при которой получают наиболее качественное лужение, составляет 20—30 кГд.
§ 46. Оборудование для пайки кристаллов к ножкам
Установка ЭМ—415 (рис. 81), предназначенная для пайки германиевых и кремниевых кристаллов к позолоченным ножкам приборов, состоит из стола, механизмов перемещения, нагружения и привода инструмента Ю, микроскопа 1 с держателем 2, нагрева теля 9, газовой и вакуумной систем и электрооборудования.
Рис. 81. Установка ЭМ-415 для пайки кристаллов к позоло ченным ножкам приборов:
1 — микроскоп, |
2 — держатель, |
3 — вибратор, 4 — линейка, |
5 —ку |
лачок, 6 — тяга, |
7 — рукоятка, |
8 —стойка, 9 — нагреватель, |
10 — ра |
|
бочий инструмент |
|
Шарнирный механизм перемещения предназначен для пооче редной подачи под рабочий инструмент 10 и в поле зрения микрос копа 1 нагревателя 9 с ножкой (или держателем диодов) или стойки 8 с кристаллами и золотыми прокладками. Одно звено этого механизма вместе с закрепленным на нем нагревателем 9 поворачивают относительно неподвижной оси, а на втором распо лагается стойка 8 для кристаллов.
Чтобы присоединить кристалл к ножке в необходимом положе нии, верхнюю часть нагревателя, который состоит из четырех смен ных элементов, можно поворачивать на угол 130°. Датчиком температуры является керамический термометр сопротивления.
135
Заданное усилие прижима рабочего инструмента с кристаллом
к золоченной поверхности ножки, а также вибрация инструмента
вплоскости, перпендикулярной его вертикальной оси, обеспечи ваются специальным приспособлением. Величина усилия зависит от положения груза на линейке 4, Амплитуду колебаний регули руют переключателем напряжения. Рабочий инструмент изготов
лен из стали.
Кристалл, имеющий квадратную форму, размещается в гнездена торцевой части рабочего инструмента, заходя в него примерно на одну треть толщины, и удерживается там вакуумным присосом.
Рукояткой 7 через систему рычагов и тягу 6 можно поворачи вать кулачок 5 толкателя, который, в свою очередь, перемещает инструмент вместе с механизмом нагружения. Изменением длины толкателя регулируют высоту подъема инструмента, а длины тя ги— его ход по вертикали. На рукоятке управления механизмом привода расположена кнопка включения и выключения вакуума.
Пайку кристаллов к ножкам выполняют под бинокулярным микроскопом 1 (МБС-1), закрепленном на держателе 2, который позволяет устанавливать микроскоп в нужном положении. В полезрения микроскопа попадает инструмент, а также поочередно стой ка с кристаллами и ножка, расположенная на нагревателе, вокруг которой создается защитная газовая среда. Охлаждаются ножки с кристаллами обдувом через отверстие в инструменте.
Действием газовой и вакуумной систем управляют с помощью электромагнитных клапанов.
Электрооборудование установки служит для подачи энергии к нагревателю освещения, работы вибратора 3, а также для автома тической выдержки режима пайки и сигнализации.
Техническая характеристика установки ЭМ-415 приведена ниже.
Производительность, ш т / ч ........................................ |
|
|
900 |
|
||
Температура в рабочей зоне, °С |
................................ |
°С |
200—450 |
|||
Точность поддержания |
температуры, |
±5 |
|
|||
Время установления теплового режима, мин . . . |
18 |
|
||||
Время пайки, |
с ............................................................ |
|
|
|
4—10 |
|
Размеры кристалла, м м ............................................ |
|
|
От 0,5X0,5 |
|||
Усилие на инструменте |
(в месте контакта), гс . . |
до 2X2 |
||||
10—140 |
||||||
Амплитуда колебаний |
торца инструмента, мм . . |
0,2—0,8 |
||||
Ход инструмента по вертикали, |
м м ................................ |
|
|
8 |
||
Напряжение |
питания, |
В ............................................... |
|
|
|
220 |
Давление газа, а т ............................................................. |
|
|
|
|
1,5 |
|
Расход газа, |
м3/ ч ............................................................. |
|
|
|
|
0,2 |
Технологический вакуум, мм рт. ст.............................. |
|
|
450 |
|||
Габариты, м м ................................................................ |
|
|
’. |
960X660X1185 |
||
Масса, к г .............................................................. |
|
|
|
95 |
|
|
Показанная |
на |
рис. |
82 |
автоматическая |
установка |
ЖКМ 1.121.001 для присоединения кристаллов к позолоченным ножкам, состоит из двух частей: механизма присоединения 3 и электрического блока 1. Перед пуском установки в дисковую кас сету 5 предварительно закладывают 90 кристаллов с электронно дырочными переходами и такое же количество ножек — в другую»
136
кассету 2. Нагрев ножек осуществляется туннельным нагревателем в атмосфере защитного газа.
При включении электродвигателя приводится в движение рас пределительный вал, который с помощью кулачков кинематически согласует движения присасывающего устройства 4, перемещения кассеты с ножками на шаг, поворот дисковой кассеты с кристалла ми и работу пьезоэлектрического вибратора. Присасывающее устройство 4 имеет инструмент, при помощи которого происходит захват кристалла, его подъем, поворот и опускание на поверхность фланца ножки.
! 21
Рис. 82. Установка ЖКМ 1.121.001 для |
присоединения кристаллов |
|
к ножкам приборов: |
|
|
1 ” электрический блок, |
2 — кассета с ножками, |
3 — механизм присоединения, |
4 — присасывающее |
устройство, 5 —дисковая кассета с кристаллами |
В момент контакта кристалла с ножкой инструмент вибрирует в горизонтальной плоскости, как бы притирая поверхность кристалла к позолоченной поверхности и облегчая пайку. После этого меха низм вакуумного присоса возвращается в исходное положение и останавливается. Для повторного срабатывания необходимо на жать на педаль. Смена кассет с кристаллами и ножками произво дится вручную.
Техническая характеристика установки ЖКМ 1.121.001 при ведена ниже.
Производительность, |
ш т / ч ........................................ |
525 |
Размер кристаллов, м м ................................................. |
От 0,5x0,5 |
|
|
|
до 2X2 |
Температура нагрева печи, °С ..................................... |
200—450 |
|
Время установления |
режима, м и н ......................... |
20 |
Амплитуда колебаний инструмента, м м ................. |
0,2—0,8 |
|
Частота колебаний, Г ц ................................................. |
50 |
|
Время пайки, с ............................................................ |
|
1—2 |
Напряжение питания, |
В ............................................. |
220 |
Максимальная мощность, В т ..................................... |
400 |
|
Рабочий вакуум (не -менее),мм рт. ст......................... |
300 |
|
Масса, к г ......................................................................... |
|
60 |
137
Контрольные вопросы
1.Каким требованиям отвечают твердые припои?
2.Для чего выполняют металлизацию керамических деталей?
3.Какими методами наносят металлизирующий слой на керамику?
4.Для чего вжигают металлизацию?
5.Как подготовляют детали к пайке?
6.Какова последовательность операций при пайке деталей?
7.Каково устройство термического оборудования для отжига, пайки, вжигания металлизации и присоединения кристаллов к ножкам?
|
|
|
ЛИТЕРАТУРА |
|
Б р у к В. |
А. |
и др. Производство полупроводниковых приборов. |
М., «Выс |
|
шая школа», 1973. |
С. |
Вакуумное нанесение тонких пленок. М., «Энергия», 1967. |
||
Д а н и л и н |
Б. |
|||
К о у т н ы й |
И. и др. Технология серийного производства транзисторов и |
|||
полупроводниковых диодов. М., «Энергия», 1968. |
|
|||
Л е б е д и н с к и й |
М. А. Технология электровакуумного производства. .4. I. |
|||
М. — Л., Госэнергоиздат, 1961. |
«Энергия», |
|||
М а с л о в |
А. |
А. Электронные полупроводниковые приборы. М., |
||
1967. |
О. С. |
Производство корпусов полупроводниковых |
приборов. |
|
М о р я к о в |
||||
М., «Высшая школа», 1973. |
|
|||
М о р я к о в |
О. |
С. |
Устройство и наладка оборудования полупроводникового |
производства. М., «Высшая школа», 1971.
Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под редакцией Р. Бургера и Р. Донована. М., «Мир», 1969.
Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов. Под
редакцией П. Н. Масленникова. М., «Энергия», 1970. |
Атомиздат, 1969. |
||
П р е с н о в |
В. А. и |
др. Керамика и ее спаи в технике. М., |
|
Т и х о н о в |
Ю. Н. |
Технология изготовления германиевых |
и кремниевых |
диодов и триодов. М., «Энергия», 1964.