Файл: Виглин, С. И. Преобразование и формирование импульсов в автоматических устройствах учеб. пособие.pdf

эмиттера

4-

С течением

времени

вследствие тех

же

процессов

диффузии

и

дрейфа

в

области

базы

возрастает

ток

коллектора

и,

/к, а вместе с ним ток эмиттера

4

t,

t j

и напряжение «эо. Следовательно,

при Uбэ ’^const

постепенно умень­

шается базовый

ток

4-

Форма

изменения

токов

в

транзисторе

показана на рис. 13.57.

Ввиду

того, что в течение всего време­

ни

нарастания

токов

16 >

/6ы,

длительность

этого

процесса

сокращается.

режиме

из-за

В

ключевом

изменения

токов

и

напряжений

в широком диапазоне парамет­

ры эквивалентной схемы тран­

зистора не остаются постоянны­

ми, особенно изменяется сопро­

тивление

гэ. Тем не менее

для

упрощения расчета

длительнос­

Рис.. 13.57, Форма

токов

в тран­

ти

нарастания

воспользуемся

линейной

эквивалентной

схемой,

зисторе при включении импульса

Uc, = const.

считая, что /*э

—

усредненная

изображения

токов

/б (/>) и

величина.

Найдем

операционные

4

(Р)■

Согласно основным соотношениям (гл. 3) операционное изобра­

жение

базового

тока

Цр)

Yoa{p)Ub*

U,бэ

Гб + П + И р )\г»

Подставляя

значение

получим

Н р ) =

1

+ РЧ '

/бм(1 + Р ~з)

1в(Р)

(13.82)

1

Р

би “ 7?бэ

Г6 + (1 4" Р) Г9

(13.83)

-3 1= 4

Гб + Гэ

Го + (1 4- Р) г 3 '

формулы, полученные для случая 1ь-~ const,

лишь с заменой

на хр 1 .

Ввиду того, что в

транзисторе

всегда

4 > 4 . то

и в случае

U63— const в базе накапливается избыточный заряд q6.

Закон его

нарастания можно получить из уравнения

(13.59),

воспользовав

шись законом (13.85)

для базового тока. Поскольку базовый ток

в конце концов спадает до

установившегося

значения /6м,

мак­

симальная

величина

<7бм остается прежней.

управляющего

Процесс

спадания

токов

после

прекращения

импульса при t> /3 полностью определяется

накопленным

избы­

точным зарядом <76м

и свойствами

базовой

цепи,

в частности об­

ствия отпирающего импульса тока

4 - const. Расчет времени рас­

сасывания

tpaс и спадания tcn t

производится по формулам

(13.74) и

(13.78).

Л И Т Е Р А Т У Р А

1.

Я.

С.

И а х о к и,

Импульсные устройства,

изд-во

«Советское

радио»,

1959.

2.

С.

И,

В и гл и н,

Импульсные устройства, ХВАИВУ, 1959.

3.

Л.

М.

Г о л ь д е н б е р г ,

Основы импульсной

техники,

изд-во

«Связь»,

1964.

4.

И.

И.

С т е п а н е н к о ,

Основы

теории транзисторов

и транзисторных

схем,

изд-во

«Энергия»,

1967.

5.

Г.

С.

Ц ы к и н,

Усилительные

устройства,

изд-во «Связь», 1971.

6.

И.

Г.

М я м о н к и н,

Усилительные

устройства, изд-во «Связь», 1966.

7.

Справочник

по импульсной технике.

Под

редакцией

В. И. Яковлева,

изд-во

«Техника»,

1970.

8.

Т.

М.

А г а х а н я н,

Линейные

импульсные

усилители,

изд-во

«Связь»,

1970.

9.

К.

А.

В а л и е в ,

А.

Н.

К а р м а з и н с к и и,

М. А.

К о р о л е в, Циф­

К). Л. М.

Г о л ь д е н б е р г ,

Теория и расчет импульсных

устройств на

полупроводниковых приборах, изд-во «Связь»,

1969.

11.

В.

А.

Д н т к и н

и П.

И. К у з н е ц о в ,

Справочник по

операционно­

му исчислению, ГИТТЛ, 1951.

12.

С.

И.

В и гл и н,

Расчет

укорачивающей

цепи R C , ХВКИУ, 1962,

13.

С.

И.

Б и г л и и,

Линии задержки, ХВКИУ, 1962,

10 С. И, Вмглии,

145:. -

Стр.

П р е д и с л о в и е ................................................................................................

3

Глава 10, Преобразование сигналов в линейных

ц е п я х

.........................

4

§

10.1. Укорочение

длительности им пульсов......................................

4

§ 10.2. Укорочение импульсов в усилительном каскаде.................

10

§

10.3. Интегрирующие

ц е п и .......................................................................

14

§

10.4. Дифференцирующие

ц еп и ..............................................................

18

§

10 5.

Контуры ударного

возбуждения ..................................................

24

§

10.6.

Смещение

рабочей

точки усилительного

каскада.

Фикси­

рующие схемы ........................................................................................

28

Глава 11. Линии задержки

и м п у л ь со в ..........................................................

33

§

11.1. Применение

линии

задерж ки ......................................................

33

§ 11.2. Понятие о длинной линии..............................................................

35

§

11.3. Переходные процессы

в бесконечно

длинной . . .линии

38

§

11.4.

Переходные

процессы

в длинной линии,

согласованной

с

н агр узк ой ................................................................................................

43

§

11.5.

Переходные процессы

в длинной линии,

согласованной

с

и сточ н и к ом

............................................................................................

46

§

11.6. Переходные процессы

в несогласованной

длинной линии. 54

§

11.7. Виды линий

задерж ки.......................................................................

60

§

11.8. Искусственные линии

задерж ки ..................................................

65

§

11.9. Ультразвуковые

линии

задерж ки..............................................

75

Глава, 12. Формирующие

ц еп и

79

§

12.1. Формирование

прямоугольных

импульсов

при

разряде

длинной

линии

...................................................................................

79

§

12.2. Формирующие искусственные . . . .

цепочечные линии

88

§

12.3. Формирующая цепь, состоящая

из

параллельных

конту­

ров .............................................................................................................

91

Глава 13. О гр аничители ................................................................................................

101

§

13.1. Характеристика

ограничителя..........................................................

101

§

13.2. Диодные

ограничители

с последовательным

включением

д и о д а ............................................................................................................

106

Стр.

§ 13.3. Диодные ограничители с параллельным включением диода. 114

§

13.4. Анодное ограничение...........................................................................

119

§

13.5. Сеточное ограничение...........................................................................

122

§

13.6. Ограничение в схеме с транзистором..........................................

126

§

13.7. Транзисторный ключ...............................................................................

128

Л и т е р а т у р а ............................................................................................................

145