Файл: Методы стабилизации параметров полупроводниковых приборов [сборник статей]..pdf

вать снятие нарушенного слоя, был введен контроль качест­ ва обработки полирующим травителем состава (вес ч ):

На рис. 1 и 2 представлены фотографии после полировки пластин кремния по существующей технологии с примене пнем финишной полировки аэросилом и пастой АСМ-0,5. Из рисунков видно, что полировка аэросилом позволяет почти полностью исключить алмазный фон. Качество получающей­ ся при этом поверхности намного лучше, чем после полиров­ ки алмазными пастами.

ВЫВОДЫ

1.Изучено влияние состава полирующих паст на качество поверхности пластин.

2.Показано, что обработка пластин кремния аэросилом улучшает качество поверхности.

лимеров. Изучено влияние концентрации связующего, режима термооб­ работки, толщины на качество тонкой пленки. Предложено эффективное покрытие, увеличивающее износоустойчивость фотошаблона.

Табл, 1, илл. 5, библ. ссыл. 10.

У Д К 621.7.024:678.746.3

Использование полимерных материалов для очистки кремниевых плас­ тин. Ю к е л ь с о н И. И., Е в с ю к о в а Т, М., К о н д о в а Л. В„ К о р е н е в а И. С. «Методы стабилизации параметров полупроводнико­ вых приборов», Воронеж, ВТИ, 1974, с. 52.

С целью повышения степени чистоты поверхности кремниевых плас­ тин изучен вопрос об эффективности полимерной очистки. Известно, что

С целью замены нескольких органических растворителей (изопропило­ вого спирта, толуола, этилового спирта) был использован N-метилпирро- лидон. Это позволило сократить технологический никл отмывок, улуч­ шить качество чистоты поверхности, стабилизировать электрические пара­ метры.

Табл. 3, библ. ссыл. 1.

У Д К 621.382.3

Новая конструкция базового вывода для сплавных кремниевых тран­ зисторов. В а с и л е н к о Н. М., Ч е р н ы х Е. В., С к у т н е в А. В., П е в г о в а - Л . А. «Методы стабилизации параметров полупроводнико­ вых приборов», Воронеж, ВТИ, 1974, с. 62.

Описана новая конструкция базового вывода на сплавных кремние­ вых транзисторах средней мощности в виде кольца, изготовленного из титановой фольги ВТ-10. Это позволило механизировать процесс изго­ товления вывода, усовершенствовать технологию и осуществлять припай­ ку базового вывода одновременно с получением р— п— р-структуры, исклю­ чить ультразвуковую промывку ножки собранной и последующую дли­ тельную сушку в вакууме, снизить уровни обратных токов, повысить ста­ бильность параметров транзисторов.

Табл. 1, илл. 1, библ. ссыл. 2.

У Д К 621.382.3

Оптимальный режим электрической тренировки кремниевых сплавных транзисторов средней мощности. Ч е р н ы х Е. В., П е в го в а Л. А., А ф а н а с ь е в Г. Г., В а с и л е н к о Н. М., К о л м а к о в В, В «Методы стабилизации параметров полупроводниковых приборов», .Воро

Описан процесс электротренировки кремниевых транзисторов средней мощности в режимах, обеспечивающих более качественную отбраковку по стабильности параметров при сокращении времени.

Табл. 1, илл. 1

целях предотвращения появления коррозии вследствие работы гальвани­ ческой пары «алюминий— золото». Приведены фотоснимки, сделанные на микроскопе «Стереоскан-4», алюминиевой проволоки, обработанной. в триэтаноламине и трихлорэтилене, В результате анализа фотографий уста­ новлено, что поверхность деформированной части алюминиевой прово­ локи, промытой в триэтаноламине, чистая, признаков образования каких-

«Методы стабилизации параметров полупроводниковых приборов», Воро­ неж, ВТИ, 1974, с. 75.

В статье описаны исследования по подбору полирующего состава на основе аэросила для финишной полировки пластин кремния. Методом контроля полирующим травителем выявлено отсутствие алмазного фона после финишной полировки суспензией аэросила. Приведены снимки пластин кремния с полировкой алмазной пастой и аэросилом. Отработа­ ны оптимальные режимы полирования пластин кремния. Показано, что наибольшее влияние на процесс химико-механической полировки оказы­ вают расход суспензии и температура разогрева оправок.

Илл.2, библ. ссыл. 4.