Файл: Микроминиатюризация высокочастотных радиоустройств..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.10.2024

Просмотров: 55

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

47

Р и с .I . 22. Зависимость добротности катушек различных номинальных индуктивностей, изготовленных из провода

ПЭЛШО 0 ,0 5 , от частоты.

ляют необходимое количество витков при минимальных диаметре

провода и внутреннем диаметре катушки,

затем по кривым

р и с .I .21 находят площадь, которую будет

занимать катушка, и

при необходимости вычисляют её наружный диаметр, а по кривым р и с .1 .22 и 1.23 с учётом диаметра провода и внутреннего диа­ метра катушки определяют ожидаемую добротность на соответ­ ствующей частоте.

48

Р и с .I . 23 . Зависимость добротности катушек различных

номинальных индуктиш остей, изготовленных

иі

провода

ПЭЛШО 0 ,0 9 , от частоты.

 

 

Если полученная таким образом величина добротности оказа­

лась недостаточно высокой и не удовлетворяет требованиям, то

расчёт повторяют, выбрав больший диаметр провода. Если и при

этом добротность оказалась недостаточно высокой, то выбирают

больший внутренний диаметр катушки. Такой расчёт позволяет

49

получить катушки минимальных размеров с заданной добротностью.

Методика расчёта позволяет решить задачу размещения на ограниченном участке площади подложки катушки с заданной индуктивностью и добротностью.

Пользуясь графиками р и с ,I . 21, по известной площади опре­ деляют максимальную величину индуктивности, которая может быть получена при минимальном внутреннем диаметре катушки и диаметре провода. Если полученная величина окажется больше требуемой,

то расчёт ведут описанным выше способом, выбирая больший диа­ метр катушки. Такой расчёт позволяет получать катушки с макси­ мальной добротностью, возможной в пределах ограниченной площади.

Если определенная по графикам р и с .1.22 и 1.25 величина индуктивности окажется меньше требуемой, то необходимо пере­ смотреть топологию микросхемы, предусмотрев необходимую площадь на подложке для размещения катушки с требуемыми параметрами.

8 . ПАРАМЕТРЫ КОММУТАЦИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ ГИБРИДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ

На работу высокочастотной микросхемы большое влияние оказы­ вают соединительные проводники коммутационной схемы - пленочные и проволочные. Индуктивность соединительных проводников микро­ схемы необходимо учитывать уже при частотах порядка èO-IOO МЙд.

Величина индуктивности соединительных проводников микросхемы на более высоких частотах становится сравнимой с величиной индуктивности контурных к ат уш ек ,а модуль 'их полного сопротив­

ления'с сопротивлением /"& транзистора. 9



50

( Следует иметь в виду, что пленочные проводники обладают

относительно большим омическим сопротивлением на постоянном токе. На высоких частотах комплексное их сопротивление еще

более увеличивается за счёт того, что толщина нанесенной '

пленки много меньше глубины проникновения поля. И з-за этого,

как показали экспериментальные измерения, несколько увеличи­ вается индуктивность пленочного проводника по сравнению с ленточным проводником толщиной несколько десятков микрон.

L

Индуктивность

 

ленточного проводника

[1 .2]

 

Ü - I 5 )

где

= 2 e -f0 ~ p .3 fy -§ z $ +

0 , 1 2

3 5

+

o s ) , мкГи J

0 ,6, В

 

-ш ирина,

толщина,

длина проводника

 

 

 

 

 

 

 

соответственно,

мм.

 

 

 

 

 

 

 

Для пленочных проводников ширина его много больше толщины.

И з-за этого индуктивность тонкопленочного

проводника возраста­

ет по сравнению с ленточным проводником той же ширины,

но

имеющего толщину,

соизмеримую с

шириной.

 

 

 

 

 

Экспериментально было определено, что при вычислении вели­

чины индуктивности тонкопленочных проводников в формуле

( I .15)

необходимо увеличить величину свободного члена на

0 ,1 5 ,

чтобы

свести ошибку при расчётах с 5-10% до 1-2%. В результате

получаем следующую'4( j , 3

уточненную5 + 2 , формулу3 e $:

K

c p

+

( I .I 6 )

L = l ß iO

ß

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

кф/ -

 

коэффициент формы пленочного проводника.

 

 

В таблице

 

1 .5

приведены расчётные

(по формулам 1 .1 5 ,1 .1 6 )

и экспериментальные усредненные данные результатов измерений величины индуктивности тонкопленочных проводников, имеющих


51

следующие усредненные размеры:

1 ,2

мм;

№.2 —

1,5

мы;

а)

ширина проводника № I

-

Ö)

длина проводника № I

-

I I

мы;

Ій 2 -

15

мы;

в)

толщина проводников 400-600

нм.

Таблица

1 .5

 

провод­

 

Индуктивность L , мкРН

откл. от

 

р а с -

 

ника

 

рассчитанная

по эксперименталъ-

 

 

 

 

формулам

ное

среднее

четного

по

 

 

 

С І.І5 ?

( І .І б )

значение

формулам.

%

 

I

 

0,008

+6

( І.Іб )

 

 

0,0075

0,0079

+1,2

 

2

 

0,0106

0,011

0,0109

+3

-0 ,9 2

 

Измерения проводили

с помощью куметра Е9-5 на

частотах

І0 5 -І0 7

МГц. Частота измерялась

цифровым частотомером

 

типа

4 3 -4 . Из данных таблицы

следует,

что расхождение

расчётных

по формуле( і .І б ) и

экспериментальных данных не превосходит

2%,

чем подтверждается правомерность применения в уточненных

расчётах

формулы ( I . 1 6 ).

 

 

 

 

 

 

 

С целью оптимального выбора диаметра и материала соеди­

нительных проволочных проводников микросхем

былиf

проведены'

экспериментальные исследования их ВЧ параметров

(таб л .1 .6 ) .

Из данных таб л .1 .6 сЛедует, что ВЧ параметры

проволочных

соединительных проводников слабо зависят от материала, а

средняя

погонная индуктивность проводников, имеющих диаметр

0 ,0 5 -0 ,1

мм, приблизительно равна 0,011 мкГн на

сантиметр

длины.

 

 


Материал

ф , ММ

Медь

о . і

Серебро

‘ 0,05

Золото

0,05

Золото

о , і

52

^,мм

 

Таблица 1 .6

 

і ,МКГН

,0м

L ,мкРн

 

 

 

 

для 10мм

10

п о

0,011

0,37

длины

78

0,01

30

0,031

0,45

38

70

0,043

0,65

0,012

10

107

0,012

0,39

36

70

0,044

0,76

0,012

10

107

0,012

0,41

30

81

0,029

0,39

0,01

10

107

0,01

0,27

53

Глава вторая. ГИБРИДНЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КВАРЦЕВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ

і . О ВЫБОРЕ СХЕМ ГИБРИДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ КВАРЦЕВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ .

Известно большое количество схем транзисторных генерато­

ров гармонических колебаний, стабилизированных кварцем. Все многообразие этих схем может быть сведено к трем группам,

которые отличаются друг от друга функциями кварцевого резо­ натора и характером его полного сопротивления на генерируе­

мой частоте.

Различают

схемы осцилляторные, с кварцем в це­

ли обратной

связи и

с

затягиванием частоты.

В осцилляторных

схемах кварцевый резонатор является со­

ставной частью колебательной системы генератора. Полнон со­ противление кварца носит индуктивный характер. Отключение кварца, его короткое замыкание или замена емкостью приводит к срыву колебаний. Подключением к кварцу внешних реактивных сопротивлений изменяют генерируемую частоту в интервале час­ тот последовательного и параллельного резонансов.

В схемах с кварцем в цепи обратной связи кварцевый резо­ натор выполняет функции узкополосного фильтра. Условия само­ возбуждения выполняются вблизи частоты минимума или максиму­ ма полного сопротивления кварцевого резонатора.

В схемах с затягиванием частоты условие самовозбуждения выполняется без подключения кварца. Кварцевый резонатор вклю-

чаетоя в колебательную систему генератора как некий вторич­ ный контур с добротностью на несколько порядков выше доброт-