Файл: Кулигин, О. С. Многокристальные интегральные схемы (опыт проектирования).pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 03.11.2024
Просмотров: 26
Скачиваний: 0
известные недостатки шариковых выводов. Такие кристаллы допу
скают визуальный контроль при совмещении со схемой коммута ции, и, кроме того, они не требуют специального места при разме
щении на подложке. Кристаллы с балочными выводами обычно при
соединяются методом термокомпрессионнои сварки (woble—bond). Другой метод создания межсоединений основан на использовании
подложек с балочными выводами |
(beam—lead substrates') |
Этот |
. |
метод экономичен и обеспечивает высокую плотность соединений. К различным разновидностям балочных выводов относятся «пауч-
ковые выводы» (Motorola), «.Unibond» (Fairchild), «SLT» (IBM), «Multibond» (G. E.).
Основное ограничение при выборе типа выводов кристалла —
существующий уровень технологии и наличное технологическое
оборудование. |
Тип |
коммутации |
используемых |
|
Изготовление тонко- и толстопленочных схем, |
||||
для коммутации |
кристаллов, |
принципиально различно. C |
точки |
|
зрения технологии изготовления толстые пленки |
ближе к |
печат |
||
ным схемам малого размера |
(к предварительно нанесенным про |
водникам присоединяются дискретные компоненты). Тонкие плен ки имеют сходство с полупроводниковыми ИС, в которых путем металлизации активные и пассивные элементы соединяются в схе му. Во многих тонкопленочных схемах конденсаторы и резисторы
выполняются на коммутационных подложках. Однако высокая
стоимость таких схем ограничивает их применение по сравнению со схемами, где резисторы и конденсаторы выполнены на субподлож
ках. Перспективы развития той или иной технологии оцениваются специалистами по-разному. Обе технологии обеспечивают создание
многослойных схем.
Подложка
Подложка используется как основа при металлизации, обеспе чивающей коммутацию бескорпусных ИС. Подложки характери
зуются степенью чистоты поверхности, термическими и механиче скими свойствами, теплопроводностью, допустимыми геометриче скими размерами и другими свойствами, которые оказывают влия
ние на основные характеристики микросхем и аппаратуры.
ЭТАПЫ РАЗРАБОТКИ
Разработка МИС — сложная задача, требующая учета большо
го числа схемотехнических, конструктивных и технологических факторов. Перечисленные факторы отражают традиционное раз
биение процесса разработки на отдельные этапы, именно, схемо технический, конструкторский и технологический, которые обычно выполняются специалистами различного профиля. Эти этапы, не сомненно, в какой-то своей части пересекаются, что особенно спра
ведливо в условиях современного состояния электроники. Однако, кроме очевидного упрощения при анализе, такое разбиение по зволяет вскрыть общность процессов, составляющих содержание
отдельных этапов, и преемственность методов их реализации. В
этом случае можно исследовать один из этапов, зафиксировав ос
тальные в некотором конкретном состоянии с помощью системы ограничений и допущений. Используя такую возможность, даль
нейшее изложение можно ограничить рассмотрением этапа кон
структорской разработки. Основные процессы этого этапа — про
ектирование и конструирование.
Отметим различие между процессами проектирования и кон
струирования при рассмотрении их с точки зрения автоматизации
и использования вычислительных машин. Проектирование заклю
чается в разработке формализованных параметров конструкции.
Под конструированием понимается творческий процесс неформаль
ного представления конструкции в системе принятых условных
обозначений. Следовательно, сущность конструирования состоит в оформлении и фиксации неформализованного творческого процесса.
Характерным для процесса проектирования является использо вание большого количества априорной информации, заимствован ной из процессов конструирования, выполненных ранее. Так, можно
феноменологически определить различные типы корпусов и поста вить им в соответствие некоторую формальную систему, например,
числа от 1 до |
N, |
где каждое число обозначает определенный тип |
|
|
корпуса. В процессе проектирования можно оперировать только одними этими числами, хотя определенный тип корпуса есть резуль тат процесса конструирования. Дальнейшее изложение посвящено
анализу процесса проектирования МИС и возможностей его форма лизации с целью использования вычислительных машин на этапе конструкторской разработки.
ПРОЕКТИРОВАНИЕ
В процессе проектирования электронной аппаратуры и ее эле
ментов необходимо учитывать множество различных факторов,
большой диапазон их изменения, влияние этих факторов на резуль
тат процесса проектирования.
Высокая сложность цифровой аппаратуры, насчитывающей де сятки и сотни тысяч элементов, приводит к тому, что незначитель
ные ошибки проектирования на начальных конструктивных |
уров |
нях приводят к существенным потерям на аппаратурном |
уров |
не. В таких условиях проектирование традиционными методами,
основанными на Интуиции и опыте разработчика, нельзя считать рациональным. Можно предположить, что процесс проектирования
мало чувствителен к изменению параметров в большом диапазоне
их значений. Тогда надо оценить эту зону малой чувствительности, чтобы сделать выводы при решении задач унификации. Таким об
разом, МИС выдвигают необходимость разработки точных методов
9
проектирования, основанных на математических расчетах и приме
нении ЭЦВМ.
Рассмотрим возможный подход к решению этой задачи, для чего
введем предварительные аналитические определения. MIlC пред
ставим в виде системы
X = (х'і, λ-2, . . .),
где x1, х2,... — различные свойства этой системы, которые в даль
нейшем будем называть конструктивными параметрами. Фиксиро ванные наборы параметров определяют отдельные состояния си стемы. Тогда под процессом проектирования будем понимать после
довательность состояний системы, если на каждом шаге процесса
выбирается.только один параметр — сначала x¡, потом X2 и т. д.:
(λ'b X2, ... Х2, •••)• Различные функционалы, зависящие от про
цесса, назовем критериями эффективности:
Kl (X,, %2, ■ ■ ; Xl, X , ■ ■ •)
Y2(X1, x2, ..., x{, х2, ...)
Критерии эффективности имеют, как правило, противоречивый ха
рактер и улучшение одного из них ведет к ухудшению другого. За
дача проектирования состоит |
в том, чтобы выбрать такие конст |
руктивные параметры X0= (x1, |
х2, . |
..), которые бы обеспечили наи |
|
лучшее решение, т. е. |
Ki(X0) |
|
K2(Xo) |
где opt — оператор оптимизации критериев эффективности, уста
навливающий принцип оптимальности, который отвечает на воп
рос: в каком смысле оптимальное решение |
превосходит |
все ос |
|
тальные допустимые решения? |
(при |
проектирова |
|
При нескольких критериях эффективности |
|||
нии МНС) можно найти большое количество |
принципов |
опти |
|
мальности в зависимости от конкретных требований, |
предъявля |
емых к МНС. В математическом плане эти принципы формулиру ются в виде требования минимизации (максимизации) одного из критериев при достижении определенных значений других крите
риев.
Существует ряд специальных математических методов поиска
оптимальных решений. Такие методы объединяются под общим
названием «исследование операций». Известные недостатки этих методов приводят к тому, что все чаще для поиска оптимальных решений привлекаются методы эвристического поиска.
10
ПАРАМЕТРЫ И КРИТЕРИИ
В процессе проектирования необходимо принять решение отно
сительно выбора основных параметров МИС, которые бы обеспе чивали выполнение требований, предъявляемых к МИС и аппара
туре на их основе. Как следует из описания основных учитыва
емых факторов при проектировании Л4ИС, такими параметрами яв ляются: xi — степень интеграции кристалла; X2 — степень интегра
ции микросхемы; X3 — тип корпуса; Xi — число слоев пассивной
металлизации на подложке; X5 — тип выводов кристалла и др. Эти параметры представляют собой входные параметры про
цесса проектирования и могут иметь значение постоянных или пе
ременных величин. Существенным при определении параметров
можно считать их независимость в смысле причинно-следственных
связей.
Для критериальной оценки процесса проектирования использу
ются выходные переменные, характеризующие целевую направ
ленность процесса.
Основные достоинства микроэлектроники сводятся к тому, что сна уменьшает габариты, снижает стоимость и повышает надеж
ность аппаратуры. Первый фактор можно считать решающим, на
пример, при изготовлении аэрокосмической аппаратуры. Однако в
других случаях более важным фактором выступает стоимость. Как
показано в [2] названные характеристики аппаратуры могут слу
жить критериями эффективности процесса проектирования.
Для того, чтобы с помощью критериев эффективности можно
было сравнить аппаратуру различной сложности и назначения,
обычно пользуются нормированными единицами. При этом стои
мость характеризует затраты труда, материалов и оборудования на изготовление единичной схемной функции (логического вентиля) в
составе аппаратуры и измеряется в рублях на один вентиль
(руб./вент.). Надежность оценивается с помощью величин интен сивностей отказов конструктивных элементов и представляет собой конструктивную надежность,, отнесенную к единичной схемной функции — l/час. вент. Для характеристики габаритов аппаратуры служит критерий плотности компоновки — вент./см3. Введем обо значение критериев эффективности:
C (х) —стоимость (руб./вент.);
А (х) —надежность (1/час. вент.);
G (х) — плотность компоновки (вент./см3).
ДОПУЩЕНИЯ и ОГРАНИЧЕНИЯ
Для доведения задачи проектирования MHC до численных ре шений в приемлемое время необходимы некоторые допущения и ог раничения. Эти допущения должны касаться всех сторон проекти рования и изготовления ?ЛИС.
11