Файл: Физические основы электротермического упрочнения стали..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 270

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

количестве микрообластей образование тетрагонального мартенсита происходит без видимых признаков внутреннего двойникования.

После электроотпуска до 120—150°С обнаружить какие-либо изменения в структуре не удалось. Не изменялась она и при на­ греве до 170° С, хотя на микродифракционной картине были заме­ чены некоторые изменения: на микроэлектронограммах участка, не имеющего двойников, видны тонкие тяжи с направлениями (100), свидетельствующие об образовании тонких пластинчатых выделе­ ний по плоскостям {100} матрицы. При печном отпуске их можно было обнаружить после выдержки в течение 1 ч при 100°С. Началу

 

 

///

 

I

превращения

в

 

процессе

 

 

 

электроотпуска

при 190° С

 

 

 

 

 

 

 

б4овс соответствовало

изменение

 

 

 

/

дилатометрической

кривой:

 

 

 

/

дифракционные

 

эффекты,

 

 

 

 

связанные

с образованием

 

 

 

 

тонких пластинок

 

исчезали

 

 

 

 

(см. рис. 116). Тщательный

 

 

 

 

анализ микроструктуры от­

 

 

 

 

пущенной стали

позволил

 

 

 

 

установить

связь

между

 

 

 

 

кристаллической

 

структу-

, , с

тт

рой мартенсита

и

характе ­

рно. 116. Дилатометрические кривые нагре-

v

r

 

г

ва

закаленной стали

(0,98% углерода), vH =

Р°М его о т п у с к а . В тех мес-

=

500 -г 6000 град!сек,

охлаждение в воде.

та х ИСХОДНОГО

мартенсита,

где не было внутренних двойников, при первом превращении появлялись очень тонкие плас­ тинки (вследствие малой интенсивности отражений определить их индексы не удалось). Характер выделений аналогичен представлен­ ным на рис. 117. Распад областей мартенсита с внутренними двойни­ ками, как и при печном отпуске, сопровождался выделением карби­ дов цементитного типа. На электронограммах видны рефлексы ром­ бической решетки.

С дальнейшим повышением температуры

нагрева — до 340° С,

т. е. до температуры на 60—70°С превышающей область I пре­

вращения, в недвойникованных кристаллах

мартенсита происходи­

ло заметное укрупнение ранее выделившейся фазы (рис. 118). При этом на микроэлектронограммах появлялась достаточно четкая ди­ фракционная картина, свидетельствовавшая об образовании е-кар­ бида с ГПУ решеткой. В микрообластях мартенсита, имевшего двойники, признаков е-фазы обнаружить не удалось. Отчетливо видимые микровыделения в нижней части рис. 118, соответствующей

мартенситному кристаллу без двойников,

являются е-карбидами,

что подтверждается электронографическим

анализом.

При повышении температуры отпуска до 390°С частицы е-кар­ бида укрупняются. При этом на них наблюдается узор муара (рис. 119), который может возникать в результате закономерного сме­ щения атомов в ГПУ решетке карбида по отношению к решетке а-фазы.


более правильную форму и расположены по слоевым линиям (рис. 120, б). Очевидно, с повышением температуры отпуска дефект­ ность цементита уменьшается. При исследовании методом темно­ го поля обнаружено «точечное» строение цементита. Это свидетель­ ствует о том, что они являются несовершенными монокристаллами и имеют, по-видимому, блочную структуру. Величина областей когерентного рассеяния в цементите составляет примерно 200 А. После электроотпуска при 460—470° С установить наличие е-кар- бидов не удалось. Следует также отметить, что ферритная матрица имеет большую плотность дислокаций, по сравнению со структурой после отпуска в течение 1 ч при той же температуре.

Структура, получающаяся в процессе электроотпуска при тем­ пературе, превышающей температуру I I I превращения, представ­ ляет собой пластинчатые или игольчатые выделения карбидной фа­ зы, ориентированные одинаково в пределах одного зерна. В отдель­ ных местах направленное расположение мелких пластинок как бы имитирует образование карбидной пластинки, если допустить, что на определенной стадии происходит слияние отдельных игл. При небольшой их плотности наблюдается «штриховая» картина ориенти­ рованных выделений карбидной фазы. При завершившемся процессе распада пластинчатая структура карбида оформляется весьма чет­ ко. Тем не менее толщина пластинок во многих случаях невелика и часто они оказываются прозрачными для электронного пучка. Толщина пластин после завершения I I I превращения тем меньше, чем выше скорость нагрева при отпуске. Оформление карбидных пластин после I I I превращения сопровождается уменьшением плот­ ности дислокаций в феррите: дислокационные сетки становятся более резкими и хорошо видны в отдельных зонах. Структура стали после электроотпуска до температуры 640°С близка к структуре после отпуска при 550° С, однако при более высокой температуре отпуска заметно увеличивается контрастность карбидных пластин вследствие их утолщения. При дальнейшем повышении температу­ ры электроотпуска структура постепенно изменяется: пластинки цементита заметно укрупняются, а в области субкритических тем­ ператур (рис. 121) развиваются процессы коагуляции карбидов. Размеры областей когерентного рассеяния цементита, хотя и незна­ чительно, увеличиваются. Плотность дислокаций в ферритной мат­ рице заметно уменьшается. Разупрочнение матрицы происходит как в результате рекристаллизации, так и в результате полигонизации.

Таким образом, механизм карбидообразования при электроот­ пуске, как и при печном отпуске, существенно зависит от кристаллоструктурного состояния мартенсита. Если пластины мартенсита имеют внутренние двойники, выделение карбидов при электроотпус­ ке происходит по плоскостям двойникования [112] мартенсита. Возможность образования карбидов цементитного типа при низ­ котемпературном отпуске теоретически обоснована Ю. А. Багаряцким [295]. Для образования решетки цементита на границах

12 3-2110


цементитного типа, а в малоуглеродистых — промежуточного е-карбида.

Применение электронагрева с одновременной регистрацией тем­ пературы и дилатометрической кривой дает возможность устано­ вить достаточно точную связь между структурными изменениями и сопровождающими их объемными эффектами. При нагреве со ско­ ростью 500 град/сек первые выделения карбидов обнаруживаются в области температур 180—190°С, т. е. в начале I превращения. При печном отпуске первые выделения карбидов с решеткой низкотем­ пературного цементита наблюдаются в двойникованном мартенсите после отпуска в течение 1 ч при 150°С. В недвойникованных участ­ ках под микроскопом также видны е-карбиды, однако дифракцион­ ная картина настолько слаба, что не поддается расшифровке. При скоростном нагреве в области температур I I I превращения (390— 480°С) е-карбид превращается в цементит с дефектной кристалли­ ческой решеткой. Процесс протекает достаточно интенсивно, и уже в конце I I I эффекта е-карбид полностью исчезает. При повышении температуры электроотпуска дефектная решетка цементита посте­ пенно изменяется, приближаясь к нормальной решетке орторомбического цементита.

Механизм карбидного превращения при электроотпуске угле­ родистой стали детально рассмотрен в работе [2981. Согласно этой

работе,

карбидное превращение ( I I I эффект) происходит

в два

этапа.

Первый этап — перестройка

кристаллической

решетки

е-карбида в кристаллическую решетку

цементита. Этот

процесс

сопровождается резким уменьшением объема и незначительными концентрационными изменениями. Второй этап — постепенное диф­ фузионное изменение концентрации углерода в карбиде. Электронномикроскопические исследования позволяют существенно уточ­ нить предложенную схему. Прежде всего предположение [289] о возможном существовании лг-карбида (Fe23Ce) с точкой Кюри 270°С не подтверждается. Свойства дефектной решетки цементита, обра­ зующегося в процессе I I I превращения, зависят от степени упоря­ дочения и химического состава структуры. При изменении дефект­ ности (степени упорядочения и состава) можно ожидать изменения положения точки Кюри. Действительно, при исследовании магнит­ ных свойств карбидов в условиях скоростного нагрева установлено, что положение точки Кюри дефектного цементита размывается на широкий интервал температур (230—340°С). Кроме того, зависи­ мость положения точки Кюри от степени упорядочения крис­ таллической решетки установлена также в других сплавах [299, 300].

Таким образом, схема процесса распада мартенсита при электро­ отпуске высокоуглеродистых сталей может быть представлена в следующем виде.

1. Возникновение пластинчатых образований в дефектных мес­ тах кристаллической решетки. В кристаллах, имеющих внутренние

двойники,— по плоскостям двойникования {112}, а в кристаллах, 1 7 »

12*


не имеющих внутренних двойников,— главным образом по пло­ скостям {100}.

2. Образование низкотемпературного цементита с ромбической решеткой в кристаллах мартенсита, имеющих внутренние двойни­ ки, и е-карбида с ГПУ решеткой в кристаллах мартенсита, не име­ ющих внутренних двойников. Эти процессы приводят к резкому уменьшению тетрагональное™ мартенсита и составляют сущность

Iпревращения.

3.Превращение образовавшихся метастабильных карбидов (низкотемпературного цементита и е-карбида) в дефектный це­

ментит. Эти процессы являются основой I I I превращения при отпуске.

4. При температурах, превышающих температуру I I I превра­ щения, дефектный цементит превращается в цементит с совершен­ ной орторомбической решеткой, а затем происходит коагуляция цементита и рекристаллизация ферритной матрицы.


• Глава третья

М Е Х А Н И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А

ЭЛ Е К Т Р О Т Е Р М О О Б Р А Б О Т А Н -

НО Й С Т А Л И

Н Е К О Т О Р Ы Е П О Л О Ж Е Н И Я ФИЗИЧЕСКОЙ Т Е О Р И И ПРОЧНОСТИ М Е Т А Л Л О В И СПЛАВОВ

ВИДЫ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ

Кристаллическая структура металлов и сплавов, даже хорошо отожженных, имеет значительное количество различных дефектов. Плотность дислокаций в отожженных металлах обычно составляет 104—108 см~2- Так как линия дислокации не может оборваться внут­ ри кристалла, она должна либо образовать замкнутую петлю, либо оканчиваться в дислокационном узле или на поверхности кристал­ ла. Поэтому в металле и в моно-, и в поликристаллическом состоянии существуют сложные двух- и трехмерные дислокационные сетки. Франк показал [301], что если в кристалле равновероятно встре­ чаются дислокации различных систем, то они могут стремиться образовать трехмерную сетку с ячейками примерно одинаковой длины. Равновесное состояние узлов такой сетки будет определять­ ся равенством нулю геометрической суммы векторов Бюргерса составляющих дислокаций (так называемый закон Кирхгофа) и равновесием линейных натяжений этих дислокаций.

Размер ячейки сетки Франка в хорошо отожженных кристаллах колеблется от нескольких до сотен микрон, а углы разориентировки соседних ячеек — от 1 до 30' [302, 303]. В кристаллах очень ма­ лых размеров («усах», мелких частицах) трехмерная сетка не суще­ ствует, что во многом предопределяет поведение их при деформации. Около включений и частиц выделений часто наблюдаются скопле­ ния дислокаций или изолированные дислокационные петли, обра­ зование которых связано с появлением напряжений вследствие различных термических коэффициентов линейного расширения мат­ рицы и частиц (при изменении температуры) либо различных сжимаемостей матрицы и частиц (при обработке гидростатическим дав­ лением).

Наконец, в структуре отожженного кристалла возможно обра­ зование призматических дислокационных петель (например, при захлопывании вакансионных пустот, микропор).

Можно выделить три основных вида дислокаций в кристалле: полные, расщепленные и частичные, вершинные [304]. Полная

дислокация не содержит никаких протяженных дефектов, кроме своего узкого ядра, и окружена совершенным материалом. Так как она устойчива, то должна иметь такой вектор Бюргерса, при кото-

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

10

 

 

Устойчивый

вектор

Наблюдаемое

Наиболее

часто

Структура

 

наблюдаемые

 

Бюргерса полной

направление

 

плоскости

сколь­

 

 

дислокации

скольжения

жения

оцк

1

 

 

< 1 П >

{110}, {112}

<ш> ,

< Ю 0 >

 

 

 

 

гцк

4~ <по>

 

<по>

{111}

 

ГПУ

1

 

 

' <1120>

{0001}

~2

<1120>,<0001>

Алмаза

4- < 1 1 0 >

 

< 1 Ю >

{111}

 

 

 

 

NaCl

4-

<по>

 

< 1 Ю >

{110}

 

CsCl

 

<юо>

 

<юо>

{110}

 

ррм исключалась бы возможность снижения ее энергии вследствиедиссоциации на частичные дислокации. Кроме того, вектор Бюр­ герса должен соединять эквивалентные (по химическому подо»

Рис. 122. Возможные способы укладки плотноупакованных слоев.

бию и геометрическому окружению) атомы решетки. Примеры полных устойчивых дислокаций приведены в табл. 10 [304].

Представление о расщепленных и частичных дислокациях вво­ дится обычно с помощью рассмотрения возможных способов упа­ ковки атомов в решетке, а также дефектов такой упаковки. На рис. 122

показана

плотноупакованная плоскость ГЦК или ГПУ решетки

(в первом случае это плоскости {111}, во втором — {0001}). Сле­

дующий

(над показанным в плоскости рисунка) атомный слой мо­

жет занимать одно из трех положений, условно обозначенных А, В, С. При укладке слоев в порядке ... АВСАВС ... возникает ГЦК