^ценностью поля Н, как и между магнитным потоком Ф и намагни
|
|
|
|
|
|
|
чивающим |
током |
/, линейна: В = \іН\ |
Ф = |
LKj, где |
р, = const — |
магнитная |
проницаемость материала сердечника, LK = |
const — ин |
дуктивность намагничивания, / = /, — і2 — г', |
/, — ток |
в первичной |
обмотке док, к — ток во вторичной обмотке |
w6, і'2 = |
пі2 — ток г2, |
приведенный |
к |
первичной обмотке, |
n = |
we!wK— коэффициент |
трансформации, /' = ппіа — приведенный |
к первичной |
обмотке ток |
нагрузки, пп = |
w Jw K. |
|
|
|
Обмотки ш,( и йУб включены так (начала обмоток отмечены точ ками), чтобы обратная связь была положительной-, последнее, в частности, означает, что при возрастании коллекторного тока ік напряжение «2 на обмотке We отрицательно, что способствует от крыванию транзистора.
Активная нагрузка Ru подключена при помощи дополнительной
обмотки дон = nnwK, поэтому пересчитанное в коллекторную |
цепь |
ее сопротивление R ',— — R». Будем в дальнейшем считать |
R'tl |
«Г .
заданной величиной; если /?„ подключено к коллектору через раз делительный конденсатор, то следует считать па = 1. Назначение шунтирующей цепочки Rm, Ди показанной на рис. 6.1а пунктиром, будет выяснено ниже. Резистор RK (или Ra), также показанный на рис. 6.1а пунктиром, иногда включается для ограничения коллек торного тока на уровне, не превосходящем допустимый для дан ного транзистора; резистор Rwn включается для возможного регу лирования или стабилизации длительности формируемых импуль сов (см. ниже). В ждущих блокинг-генераторах часто отсутствуют элементы С, Re (С = О, Re = 0). Поэтому в дальнейшем будем от мечать особенности процессов при отсутствии С, Re в схеме рис. 6.1.
На рис. 6.2 приведена упрощенная эквивалентная схема бло- дииг-генератора, в которой параметры цепи базы и нагрузки пере считаны в коллекторную цепь (в первичную обмотку); емкость С0, показанная пунктиром, представляет собой суммарную эквива лентную паразитную емкость, приведенную к коллекторной об мотке (включающую в себя емкости трансформатора, нагрузки,
|
|
|
|
монтажа, коллекторного |
перехода |
транзистора); индуктивность |
Ls— индуктивность рассеяния |
трансформатора; і'б = піб — приве |
денный ток базы; R'0K = RBJn2, |
С' = |
Сп2— приведенные к коллек |
торной обмотке входное сопротивление транзистора ОЭ RBX (пред |
полагается, что в схеме |
рис. 6.1а Ra = 0; при наличии Raon вместо |
Rm рассматривается Явхэкв = RBS. + RR<m) и емкость С (естественно, при С = 0 отсутствует и емкость в эквивалентной схеме).
И с х о д н о е с о с т о |
я н и е . В |
исходном |
состоянии |
транзистор |
заперт. Для получения |
ждущего |
режима |
напряжение |
смещения |
Ее на базу транзистора выбирается запирающим, т. е. положитель ным для транзистора типа р-п-р и отрицательным для транзистора типа п-р-п. При этом напряжение иа базе запертого транзистора «бз = Ее\ «с(0) = Ее\ с учетом обратного тока базы и сопро-