Файл: Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник.pdf

У с л о в и е н а с ы щ е н и я т р а н з и с т о р а . В результате опро­ кидывания транзистор насыщается.. В режиме насыщения напря­

Напомним, что для маломощных германиевых транзисторов в за­ висимости от величин токов базы и коллектора |мбн| « (0,2-j-0,7)В, а для кремниевых транзисторов |«бн| ~ (0,4н-1,2)В.

Д л и т е л ь н о с т ь и м п у л ь с а . Под длительностью импульса 1а будем понимать длительность вершины импульса, т. е. тот про­ межуток времени, в течение которого транзистор насыщен и бло- кинг-генератор находится в режиме квазнравновесня (предпола­ гаем, что Іф < tu).

Для определения tu следует рассмотреть процесс изменения заряда Q{t) в базе и определить тот момент времени, в который

сыщения. Следовательно, определение t„ сводится к разрешению (аналитическому, графическому пли численному) уравнения

относительно t — t„.

Найдем выражение для Qrp(i) и Q(t). Граничное значение за­ ряда Qrp зависит от величины коллекторного тока /„ насыщенного

Та

транзистора (см. параграф 2.2.2):Qrp(/) « T a(K( /) » у і к(і). В на­

шем случае ток £„ в режиме насыщения изменяется во времени, и поэтому Qrp — также функция времени.

Согласно эквивалентной схеме рис. 6.2

Определим составляющие коллекторного тока.

В режиме насыщения к„ » 0 и |«і| = L ~ Ä ; £ к; поэтому

т. е. ток намагничивания нарастает практически по линейному закону. Приведенный'ток нагрузки, как видно из рис. 6.2,

328

Рассмотрим случай, когда можно не считаться с инерцион­ ностью транзистора. Такой случай имеет место при формировании сравнительно длительных импульсов блокинг-генератором на вы­ сокочастотных транзисторах; при этом /и много больше постоян­

Решение ур-ния (6.10) для рассматриваемого случая иллюстри­ руется рис. 6.4а.

329

Заметим, что при ^ доп ^ RB* длительность t„ практически не за­ висит от входного сопротивления насыщенного транзистора:

Вместе с тем изменением /?доп можно регулировать длительность импульса в широких пределах.

6)

Из ф-лы (6.22) и рис. 6.4 очевидно влияние различных парамет­ ров схемы на длительность импульса. Так, например, рост индук­ тивности намагничивания LK влечет за собой рост длительности импульса (с ростом LKуменьшается скорость роста тока намагни­ чивания / и замедляется, процесс рассасывания заряда). Увеличе­ ние нагрузки (уменьшение R',,) приводит к сокращению ta (рост і'а приводит к росту ік и, следовательно, к росту скорости рассасыва­ ния заряда в базе). Увеличение Еб (уменьшение коэффициента а) приводит к уменьшению отрицательного напряжения на базе, что вызывает уменьшение тока базы и степени насыщения транзистора и, следовательно, уменьшение tu. Аналогично можно проанализи­ ровать влияния £ к, п, ß. Заметим, что с ростом температуры растет ß и увеличивается длительность формируемого импульса.

Теперь рассмотрим влияние инерционности транзистора на дли­ тельность импульса.

Из рис. 6.46, где изображены графики Qrp(/) и Q(t) в соответ­ ствии с ф-лами (6.17) и (6.19), видно, что при формировании

330

импульса, длительность которого меньше Зтр, инерционность тран­ зистора вызывает сокращение длительности формируемого им­

ур-ние (6.27) имеет единственный положительный корень, определяющий вели­ чину tu. Этот корень можно определить графо-аналитически; для этого нужно

331