Файл: Бокштейн Б.С. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 151

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ангармонизма колебаний решетки, который также приводит к нели­ нейной зависимости теплоемкости от температуры.

Равновесные методы не дают информации об энтальпии переме­ щения вакансий, а только позволяют определить энтальпию их обра­ зования и в некоторых случаях — равновесную концентрацию. Однако их можно приспособить для исследования релаксационных характеристик (т. е. среднего времени жизни неравновесных вакан­

сий та и энтальпии перемещения Я”), если нагрев или охлаждение кристалла (на АТ) проводить в течение некоторого времени i*. Обычно температура при этом меняется импульсным или периодиче­ ским образом. Рассмотрим в качестве примера измерение теплоемко­ сти металлического кристалла.

Измеренное значение теплоемкости зависит от величины и вре­ мени импульсного нагрева: С = / (А7\ t*). При нагреве кристалла решетка и электроны забирают тепло практически мгновенно, по­ скольку фононное и электронное распределение устанавливается очень быстро и соответствующие времена релаксации (t l и хе) малы. Однако для установления равновесного распределения вакансий требуется время. Поэтому, если нагрев проводить быстро, так что выполняется условие tl и С t* <С Д>, то мы измерим теплоемкость кристалла, в котором концентрация вакансий не изменилась, а если t* т»> т0 измерим теплоемкость кристалла с вакансиями. Таким образом, можно найти и теплоемкость бездефектной решетки и теп­ лоемкость, связанную с образованием вакансий, не прибегая к эк­ страполяции свойства решетки из области средних температур 194].

В неравновесных методах избыточные вакансии вводят в металл (либо создают недостаток вакансий) с помощью резкого нагрева или охлаждения, деформации, облучения -и т. д. В случае, например, когда причиной появления избыточных вакансий является резкое охлаждение («закалочные» методы), то, сделав предположение, что в ходе охлаждения сохраняются все вакансии, бывшие в кристалле при температуре начала охлаждения, можно оценить их концентра­ цию при этой температуре.

Действительно, пусть следует измерить удельное электросопро­

тивление (р) кристалла р =

pL + р0, а р0 N v\

индекс L относится

к решетке, a

v — к вакансиям. Тогда значение

р, измеренное при

температуре Т г до нагрева,

равно

 

Pi = 9 l ( T , ) +

Р - ЛТг ) ,

 

(194)

а после резкого охлаждения с температуры Т 2 (измерение — при Т х):

Pi = Pl (Ti) р„ 2).

(195)

При этом предполагается, что сопротивление решетки соответствует температуре Т х (равновесное распределение колебаний решетки уста­ навливается за время, много меньшее времени охлаждения).

Таким образом:

Ар = Ара Nv (Т2) - Nv (Тх).

108


Если Т у < Т 2, так что Nv (Тх) < Nv (Т2),

то

Ар «

(Г2).

196

( )

Измеряя

Ар = f (Т2) при произвольном

Т г (например, комнатная

температура), можно найти #£.

Метод очень распространен, выгодно отличается простотой осу­ ществления и легкостью измерения, но имеет по крайней мере два существенных недостатка. При любой скорости охлаждения часть вакансий успевает исчезнуть — это главное, и, кроме того, при быстром охлаждении в кристалле возникают другие дефекты, которые также влияют на электропроводность. Следует отметить, что труд­ ность выделения дефектов данного типа (например, моновакансий) в сложном спектре дефектов и их комплексов является принципиаль­ ной и характерна почти для всех существующих методов исследова­ ния дефектов.

По существу к закалочным относится один из самых новых мето­ дов исследования вакансий, основанный на том, что среднее время аннигиляции позитронов в металлах зависит от температуры. Это связано с тем, что часть позитронов захватывается вакансиями или дислокациями, соответственно меняется интенсивность 7 -лучей, испускаемых кристаллом. Разделение роли вакансий и дислокаций осуществляется подбором условий эксперимента (главным образом, температуры отжига после закалки) [95].

Как было указано выше, вакансии могут появляться и исчезать (например, при нагреве и охлаждении), т. е. для них не выполняется закон сохранения. Это— важная особенность вакансий.

В частности, такая особенность позволяет находить энтальпию перемещения вакансий. Если кристалл содержит избыточные (зака­ ленные) вакансии, то с течением времени они будут исчезать, стре­ мясь к равновесному значению. Если принять для кинетики изме­ нения концентрации вакансий первый порядок

(197)

то

(198)

Здесь индекс 0 относится к начальному моменту времени, ар — к рав­ новесию.

По-прежнему Ар я* Nv, поэтому

Ар (0 = Лро + (Ар" — Др0) [l — exp ( —

(199)

Время релаксации или среднее время жизни вакансий опреде­ ляется средним расстоянием L до стоков (мест, где вакансия может исчезнуть) и подвижностью вакансий

( 200)

109



Рис. 38. Зависимость вре­ мени релаксации вакансий в алюминии (/ — 5, 7) и меди (6) при температуре плавления (Ig т0) от рас­
стояния между эффектив­ ными источниками (/, 2, 3,) или стоками (4— 7)

где Dv — коэффициент диффузии вакансий:

Dv = D0ve x p ( - H ' ’vl/kT).

(201)

Измеряя т0 при разных температурах и считая L Ф L (Т), можно

найти Н™. Поскольку измеряемое свойство зависит от температуры и времени, для изучения кинетики возврата обычно используют отжиги двух типов: изохронные (температура ступенчато изме­ няется через равные промежутки времени) или изотермические (при

постоянной температуре).

Анализ кривых отжига сильно ослож­ няется вследствие двух обстоятельств. Пер­ вое уже упоминалось выше. При закалке и особенно в процессе отжига в исследуемых образцах происходят различные процессы, дающие вклад в изменение электросопро­ тивления. Это приводит к значительно более сложной зависимости Ар (t), чем следует из формулы (199), на дифференциальных кри­ вых d Ар (t)/dt наблюдается несколько пи­ ков и т. д. Методы анализа кривых отжига исследованы во многих работах, моногра­ фиях и обзорах, среди которых следует от­ метить [40, 96]. Исследование кинетики изменения какого-либо свойства сплавов, зависящего от концентрации вакансий, в частности электросопротивления, является также основным методом определения энер­ гии связи пары вакансия — атом примеси.

Для расчета, как уже упоминалось, обычно используют фор­ мулу (175) или аналогичную ей.

Во-вторых, как это следует из выражения (200), время установле­ ния равновесной концентрации вакансий определяется расстоянием между действующими источниками и стоками вакансий (L) и, следо­ вательно, зависит от их типа, плотности и эффективности.

Формула (200) справедлива, если сопротивление испусканию (поглощению) вакансий меньше диффузионного сопротивления, т. е. скорость испускания (поглощения) вакансий велика. Однако по­ скольку это условие может выполняться для источников одного типа и не выполняться для другого, величина L в формуле (200) может быть разной для одного и того же материала в различных условиях эксперимента.

Это также осложняет анализ экспериментов по отжигу закален­ ных вакансий. Отметим, однако, что подвижность дефектов данного типа (в частности, вакансий), по-видимому, практически не меняется при изменении типа действующих источников. На рис. 38 приведена зависимость времени релаксации вакансий в металлах (алюминии, свинце, меди, золоте) от расстояния между эффективными источни­ ками (/—3) или стоками (4—7) вакансий при температуре плавления. В первом случае — это поверхность (или границы зерен), во втором <—

ПО


дислокации. Время релаксации изменяется на 8 порядков, однако сохраняется удовлетворительная линейная зависимость между rv и

<L 2>.

7.НЕКОТОРЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ВАКАНСИЙ

Наиболее полно и надежно характеристики моновакансий изме­ рены для металлов с г. ц. к. решеткой [18, с. 58, 611. Рассмотрим только сопоставление суммы энтальпий образования и перемещения вакансий с энергией активации самодиффузии в этих металлах, опре­ деленной из независимых экспериментов. Соответствующие данные приведены в табл. 18. Значения энергии активации самодиффузии взяты из монографии [2]. Для удобства все значения энергии при­ ведены в электронвольтах на атом. Разброс цифр в таблице отражает разброс экспериментальных данных различных авторов.

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 18

Сопоставление энергии активации самодиффузии

 

 

с характеристиками моновакансий

 

 

 

Металл

"(о

rjltl

Hf , Н1П

E

Hlv

 

Серебро . . .

1.00—1,10

0,83—0,88

1,83—1,98

1,77—1,99

Алюминий . .

0,75—0,79

0,40—0,65

1,15—1,44

1,32—1,48

Золото . . . .

0,82—0,98

0,68—0,87

1,50—1,85

1,80—1,96

М е д ь ...............

0,95—1,17

0,80—1,10

1,75—2,27

2,03—2,13

Платина . . .

1,18—1,40

1,08—1.48

2,26—2,88

2,88—2,98

Никель

. . .

1,30—1,40

1,25—1,50

2,55—2,90

2,81—3,08

Полезно отметить, что в металлах с г. ц. к. решеткой отношение

H[JE & 0,50—0,55.

Во всех случаях совпадение суммы энтальпий образования и пере­ мещения вакансий с энергией активации можно считать хорошим. Приведенные данные не оставляют сомнений в том, что в основном перемещение атомов в г. ц. к. металлах осуществляется путем обмена с моновакансиями. К аналогичному выводу приводит, как известно, эффект Киркендалла.

Таким образом, в металлах и твердых растворах замещения с г. ц. к. решеткой (также и г. п. у.) может только обсуждаться вопрос о том, надо ли учитывать (и при каких условиях) вклад других меха­ низмов (например, бивакансионного) на фоне подавляющего преиму­ щества моновакансионного механизма (см. п. 5).

Несколько сложнее обстоит дело с металлами, имеющими о. ц. к. решетку. Наибольший интерес среди них представляют о. ц. к. переходные металлы IV группы—■Tip, Zrp, Hfp; V группы — вана­ дий, ниобий, тантал; VI группы— хром, молибден, вольфрам, а также Fea из VIII группы периодической системы. Этот класс метал­ лов содержит элементы с наиболее высокой температурой плавления,

111