Файл: Туровский Я. Техническая электродинамика.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 211

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

1. Главное квантовое число / г = 1 , 2, 3, . .., оо, опреде­ ляющее большую ось эллиптической орбиты, т. е. основ­ ной энергетический уровень или электронную оболочку. Исследования, проводимые с помощью катодных лучей, показали, что в оболочках находится по несколько элек-

Последняв оболочка

 

 

 

 

 

-

 

1

1

«

1

я

I

 

 

 

 

Наинизшии

1

энергетический

уроаень \ Первая оболочка^

 

 

-\

 

 

 

" Т

" I

 

1

 

 

 

 

 

I

 

м

 

N

 

 

 

 

 

\ считая

от ядра

 

I

 

 

 

 

 

 

q

| Слои оболочки

| n=1

I п = г

\/> = 3 I л=4 I л=5

I n=6

 

I n=7

I Главное

кван-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

товое

число

Рис. 1-2. Схема

«разрешенных»

энергетических

уровней

 

электронов

в многоэлектронном

атоме

(без

сохранения

масштаба).

 

 

/ — о р б и т а л ь н о е

(«побочное»)

квантовое число;

s,

р, d,

f — подгруппы («суб ­

о б о л о ч к и » ) ;

2,

6 и

т.

д . — максимальное

д о п у с т и м о е

количество

электронов

в д а н н о й подгруппе .

тронов, образующих определенные комплексы, так назы­ ваемые электронные слои. Слои эти по порядку удаления от ядра обозначают буквами К, L , М, N, О, Р, Q (рис. 1-2).

2. Орбитальное квантовое число, называемое также «побочным», 1 = 0, 1,2,..., я — 1 , которое разбивает элек­ троны каждой оболочки на п подгрупп («субоболочек») с несколько отличными энергиями. Это квантовое число определяет малую ось эллиптической орбиты. Эти энер­ гетические подуровни образуют семейства траекторий

20


в пределах каждого слоя. Их обозначают буквами

s, р,

d, f (рис. 1-2).

 

mt=0,

3.

Орбитальное магнитное

квантовое число

+ 1,

± 2 , ... , ±1, определяющее

пространственное

кван­

тование плоских эллиптических орбит. Оно связано с су­ ществованием магнитного момента электрона, вызываю­ щего направленную ориентацию атома во внешнем (на­ пример, земном) магнитном поле.

4. Спиновое магнитное квантовое число ms=±l/2, определяющее ориентацию вектора (оси) спина электро­ на (с левым или правым вращением).

Оба магнитных квантовых числа m-L и та определяют количество электронов в подгруппе. На энергию электро­

на

величины nti и ms

не влияют.

з а п р е т о м

П а у ­

 

Согласно принципу, называемому

л и

(1925 г.), никакие

два электрона

в атоме не

могут

иметь один и тот же набор перечисленных выше четырех квантовых чисел. Так как все квантовые числа связаны между собой, то это означает, что в определенной обо­ лочке и подгруппе может существовать строго опреде­

ленное количество электронов,

«заполняющее» данный

энергетический уровень (рис. 1-2).

 

Например, для /г = 1 .возможны исключительно

числа

1=0, mi=0, m s = ± l / 2 , т. е. в

первой оболочке

может

иметься не более двух электронов. Если там находится один электрон, то получаем химически активный атом водорода. Если же оболочка содержит оба электрона, то получаем химически нейтральный гелий с заполненной оболочкой.

В

случае оболочки п = 2 возможны уже две подгруп­

пы 1

= 0 и 1=1 с числами

/пг = 0,0,

+ 1 , — 1 , а также tns =

= + 1/2 и 1/2, т. е. всего

восемь

электронов в оболочке

и т. д.

Таким образом, все подгруппы s могут поместить не более двух электронов, подгруппы р— до шести электро­ нов, d—10 электронов и f—14 электронов. Максимальное число подгрупп в оболочке равно п. Максимальное число электронов в подгруппе равно 2(2/+1).

В нормальном состоянии электроны занимают пооче­ редно наинизшие (наиболее близкие к ядру) энергетиче­ ские уровни. После заполнения данной оболочки начина­ ется формирование новой оболочки. Однако не всегда все подгруппы, представленные на рис. 1-2, целиком за­ полняются электронами. В некоторых случаях в много-

21


электронных атомах отталкивающие усилия остальных электронов, связанных с атомом, являются причиной то­ го, что энергетически оказывается более выгодно распо­ ложение нового электрона в высшей подгруппе (рис. 1-2), несмотря на то, что осталась еще не заполненной под­ группа, ближайшая к ядру (сравни группы М и N на рис. 1-2 и 1-12). Элементы с таким строением атомов на­

зывают переходными. К ним принадлежат все

элементы

с ферромагнитными свойствами, как Fe, Со, Ni и др.

Химические свойства

данного элемента определяются

в основном количеством

электронов в крайней

внешней

оболочке. Поэтому химические свойства обладают пе­ риодичностью при переходе от атомного числа Z = l до Z=92, соответствующего количеству электронов в атоме. Электроны, находящиеся на внешней главной орбите (слое), называют поэтому валентными электронами. Именно эти электроны и определяют электрическую про­ водимость тела.

И о н и з а ц и я . Чтобы поднять электрон на энергети­ ческий уровень, более высокий, чем тот, который он зани­ мал в нормальном состоянии атома, необходимо сооб­ щить ему фотон со строго определенной энергией (напри­ мер, световой), равной одному кванту. Тогда говорят, что атом возбужден. Легче всего возбуждаются валентные электроны, так как ближайший более высокий энергети­ ческий уровень всегда для них свободен, а расстояния между внешними энергетическими уровнями являются меньшими, чем расстояния между внутренними уровня­ ми. Возбуждение электрона может привести к полному его отрыву от атома. Это вызывает ионизацию атома. Образуется тогда однократно заряженный положитель­ ный ион. Возможно образование двукратных ионов. Ко­ гда атом захватывает на свою орбиту лишний электрон, образуется отрицательный ион. Потенциал ионизации и потенциал возбуждения (резонансный потенциал) выра­

жают

соответствующей

энергией

в

электроно-вольтах

(эВ). Энергия

1 эВ

равна

энергии,

которую

приобретает

1 электрон

при

перемещении

между

точками

с

разностью

потенциалов

1 В. Ионизирующая энергия

составляет для

атомов

водорода

13,5

эВ,

гелия

24,5

эВ,

кислорода

13,6 эВ,

неона

21,5

эВ,

ртути 10,4

эВ

и

азота

14,5 эВ.

Частично или полностью ионизированный газ называется плазмой. Степень ионизации плазмы изменяется при изменении температуры, Электрическая проводимость

22


Плазмы в присутствии магнитного поля является тензор­

ной величиной (анизотропной).

 

К р и с т а л л и ч е с к а я с т р у к т у р а

м е т а л л о в .

Металлы имеют кристаллическую структуру, т. е. атомы металлов расположены в пространстве регулярным об­ разом.

Среди 14 возможных комбинаций расположения ато­ мов в пространстве для металлов самыми важными явля­

ются три типа

элементарных решеток, показанные па

Fe

Си

 

 

а)

б)

 

в)

 

Рис. 1-3. Виды элементарных

кристаллических

ячеек, наиболее

часто

встречающихся

в ме­

таллах.

 

 

 

 

а

объемно - центрированная кубическая

решетка;

б

гранецентрированная

кубическая решетка; в —

гексагональная решетка с

самой

плотной упаковкой

пространства.

 

 

 

 

рис. 1-3. Металлы натрий, ванадий, хром, вольфрам кри­

сталлизуются в объемно-центрированную

кубическую

решетку (рис. 1-3,а); благородные

металлы медь, сереб­

ро, золото,

никель,

алюминий — в

гранецентрированную

кубическую

решетку

(рис. 1-3,6). Железо

может высту­

пать в двух различных кристаллических

формах. При

нормальных

температурах оно имеет объемно-центриро­

ванную

кубическую

решетку

(рис. 1-3,о), а при темпера­

турах,

превышающих

906 °С,

приобретает

гранецентри­

рованную кубическую

структуру

(рис. 1-3,6).

Свойства кристаллических тел существенным образом

зависят от расположения

атомов в кристалле. Распреде­

ление атомов вдоль одной из осей кристалла

может отли­

чаться

от распределения

атомов вдоль другой оси. От­

сюда

и вытекают различные физические

свойства тел

в различных направлениях, т. е. анизотропия кристаллов.

Физические свойства металлов в твердом состоянии за­ висят главным образом от их кристаллографической структуры. Например, плотность металла при произ-

23


вольной температуре можно

рассчитать, зная

структуру

и данные элементарной пространственной

ячейки ме­

талла.

 

 

Э л е к т р о п р о в о д н о с т ь

м е т а л л о в .

Сближение

отдельных атомов в твердом теле и особенно в кристалле вызывает взаимное проникновение электронов одного атома в другой, а возникающие значительные силы взаи­ модействия атомов вызывают расщепление установлен­ ных энергетических уровней на большое число непо­ средственно примыкающих друг к другу уровней энер­ гии, разрешенных для движения электронов. Это явле­ ние проявляется, очевидно, сильнее всего на внешних оболочках. Взаимодействие атомов в металлах настоль­ ко сильно, что для внешних валентных электронов уста­ навливается практически непрерывная зона непосредст­ венно соприкасающихся между собой «дозволенных» энергетических уровней. В металлах только часть примы­ кающих друг к другу энергетических уровней валентной зоны занята электронами, остальные высшие энергети­ ческие уровни, образующие тоже непрерывную зону, сво­ бодны от электронов. Таким образом, если в отдельном атоме для возбуждения валентного электрона и перехо­ да его на высший энергетический уровень требовалось сообщение ему определенного количества дискретных квантов энергии, в металле непрерывность дозволенных энергетических уровней позволяет поднять валентный электрон на высший свободный уровень с помощью про­ извольно малого количества энергии. Если теперь в об­ разце металла создать электрическое поле, то силы воз­ действия этого поля вызовут переход электронов, нахо­ дящихся на поверхности заполненной части валентной зоны, на высшие свободные энергетические уровни этой зоны, а также их движение в сторону высшего потенциа­ ла наведенного электрического поля. Это движение элек­ тронов как раз и есть электрический ток, а само описан­ ное явление называется электронной проводимостью.

Каждую частично заполненную непрерывную зону до­

зволенных энергетических

уровней называют в связи

с этим зоной проводимости.

Электроны,

находящиеся

в полностью занятых зонах, не могут, таким

образом, как

правило, участвовать в электронной проводимости из-за отсутствия достаточно близкого свободного уровня энер­ гии, который электрон мог бы занять, получив от элек­ трического поля небольшую энергию. Это свойство элек-

24